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接線盒和車身控制模塊

發(fā)布時(shí)間:2020/8/7 13:34:07 訪問次數(shù):1755

5G的進(jìn)一步發(fā)展以及設(shè)備之間相互連接的不斷推進(jìn),IoT時(shí)代即將到來。不僅僅是一直以來的低消耗以及高功能,對于電子設(shè)備的進(jìn)一步高質(zhì)量設(shè)計(jì)的需求也日益強(qiáng)烈。尤其是針對車載設(shè)備ADAS或自動駕駛,我們必須要應(yīng)對并實(shí)現(xiàn)比以往更高的要求。

TDK的貼片壓敏電阻是一種ESD保護(hù)元件,可保護(hù)設(shè)備免受靜電(ESD)損壞或誤操作。而TDK的貼片NTC熱敏電阻則是可對傳感器/設(shè)備等進(jìn)行溫度補(bǔ)償以及可檢測設(shè)備內(nèi)部異常發(fā)熱的溫度保護(hù)元件。本次研討會將對上述產(chǎn)品的基礎(chǔ)特性進(jìn)行說明,此外,我們還會針對客戶在選擇產(chǎn)品時(shí)所需了解的故障模式或響應(yīng)速度等特性進(jìn)行說明。最后,還將說明汽車ADAS/自動駕駛所必須的車載設(shè)備通信接口(車載Ethernet、CAN-FD)、BMS、V2X用ESD

溫度保護(hù)器件的產(chǎn)品特征。

制造商: Silicon Laboratories

產(chǎn)品種類: ARM微控制器 - MCU

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: EFM32ZG

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

核心: ARM Cortex M0

程序存儲器大小: 8 kB

數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit

數(shù)據(jù) RAM 大小: 2 kB

工作電源電壓: 3 V

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

程序存儲器類型: Flash

商標(biāo): Silicon Labs

數(shù)據(jù) Ram 類型: RAM

接口類型: I2C, SPI, UART

I/O 電壓: 3 V

濕度敏感性: Yes

計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量: 2 Timer

處理器系列: EFM32

產(chǎn)品類型: ARM Microcontrollers - MCU

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Microcontrollers - MCU

電源電壓-最大: 3.8 V

電源電壓-最小: 1.98 V

商標(biāo)名: EFM32

零件號別名: EFM32ZG108F8

單位重量: 637.700 mg

STM32L4P5和STM32L4Q5單片機(jī),最高頻率可達(dá)120MHz,憑借帶有DSP和浮點(diǎn)單元(FPU)的ARM® Cortex®-M4內(nèi)核擴(kuò)展了STM32超低功耗產(chǎn)品系列及性能。

STM32L4P5系列MCU具有512KB ~ 1 MB Flash,具用48~169引腳的各類封裝。STM32L4Q5具有1 MB Flash存儲器,還提供了額外的硬件加密加速引擎(AES, HASH 和 PKA)。


柵驅(qū)動器開關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷,并計(jì)劃于今日開始出貨。

TPD7107F采用東芝的汽車級低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET,適用于負(fù)載電流的高側(cè)開關(guān)。作為一種電子開關(guān),這種新型IPD能夠避免機(jī)械繼電器的觸頭磨損,有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗,同時(shí)還提供免維護(hù)功能。

通過提供增強(qiáng)功能(自我保護(hù)功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能)以支持車載ECU所需的高可靠性。這款新型IPD能夠監(jiān)控負(fù)載運(yùn)行和與之連接的MOSFET。當(dāng)運(yùn)行發(fā)生異常時(shí),它能迅速關(guān)斷MOSFET,以減少M(fèi)OSFET上的負(fù)載。

TPD7107F采用了WSON10A封裝,并由于內(nèi)置升壓電路,可減少了電容器等外圍器件的使用。這款新型IPD在待機(jī)狀態(tài)下的耗電量僅為3μA(最大值)。應(yīng)用車載設(shè)備

ECU(車身控制模塊、接線盒等)配電模塊半導(dǎo)體繼電器特性通過AEC-Q100認(rèn)證能夠根據(jù)負(fù)載電流,與低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET搭配使用內(nèi)置升壓電路,減少無源外圍器件的使用內(nèi)置保護(hù)功能和診斷輸出功能(電壓異常、過流、過熱、電源反接、接地端斷路保護(hù)以及VDD負(fù)載線短路等)


(素材來源:ttic和21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

5G的進(jìn)一步發(fā)展以及設(shè)備之間相互連接的不斷推進(jìn),IoT時(shí)代即將到來。不僅僅是一直以來的低消耗以及高功能,對于電子設(shè)備的進(jìn)一步高質(zhì)量設(shè)計(jì)的需求也日益強(qiáng)烈。尤其是針對車載設(shè)備ADAS或自動駕駛,我們必須要應(yīng)對并實(shí)現(xiàn)比以往更高的要求。

TDK的貼片壓敏電阻是一種ESD保護(hù)元件,可保護(hù)設(shè)備免受靜電(ESD)損壞或誤操作。而TDK的貼片NTC熱敏電阻則是可對傳感器/設(shè)備等進(jìn)行溫度補(bǔ)償以及可檢測設(shè)備內(nèi)部異常發(fā)熱的溫度保護(hù)元件。本次研討會將對上述產(chǎn)品的基礎(chǔ)特性進(jìn)行說明,此外,我們還會針對客戶在選擇產(chǎn)品時(shí)所需了解的故障模式或響應(yīng)速度等特性進(jìn)行說明。最后,還將說明汽車ADAS/自動駕駛所必須的車載設(shè)備通信接口(車載Ethernet、CAN-FD)、BMS、V2X用ESD

溫度保護(hù)器件的產(chǎn)品特征。

制造商: Silicon Laboratories

產(chǎn)品種類: ARM微控制器 - MCU

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: EFM32ZG

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

核心: ARM Cortex M0

程序存儲器大小: 8 kB

數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit

數(shù)據(jù) RAM 大小: 2 kB

工作電源電壓: 3 V

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

程序存儲器類型: Flash

商標(biāo): Silicon Labs

數(shù)據(jù) Ram 類型: RAM

接口類型: I2C, SPI, UART

I/O 電壓: 3 V

濕度敏感性: Yes

計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量: 2 Timer

處理器系列: EFM32

產(chǎn)品類型: ARM Microcontrollers - MCU

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Microcontrollers - MCU

電源電壓-最大: 3.8 V

電源電壓-最小: 1.98 V

商標(biāo)名: EFM32

零件號別名: EFM32ZG108F8

單位重量: 637.700 mg

STM32L4P5和STM32L4Q5單片機(jī),最高頻率可達(dá)120MHz,憑借帶有DSP和浮點(diǎn)單元(FPU)的ARM® Cortex®-M4內(nèi)核擴(kuò)展了STM32超低功耗產(chǎn)品系列及性能。

STM32L4P5系列MCU具有512KB ~ 1 MB Flash,具用48~169引腳的各類封裝。STM32L4Q5具有1 MB Flash存儲器,還提供了額外的硬件加密加速引擎(AES, HASH 和 PKA)。


柵驅(qū)動器開關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷,并計(jì)劃于今日開始出貨。

TPD7107F采用東芝的汽車級低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET,適用于負(fù)載電流的高側(cè)開關(guān)。作為一種電子開關(guān),這種新型IPD能夠避免機(jī)械繼電器的觸頭磨損,有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗,同時(shí)還提供免維護(hù)功能。

通過提供增強(qiáng)功能(自我保護(hù)功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能)以支持車載ECU所需的高可靠性。這款新型IPD能夠監(jiān)控負(fù)載運(yùn)行和與之連接的MOSFET。當(dāng)運(yùn)行發(fā)生異常時(shí),它能迅速關(guān)斷MOSFET,以減少M(fèi)OSFET上的負(fù)載。

TPD7107F采用了WSON10A封裝,并由于內(nèi)置升壓電路,可減少了電容器等外圍器件的使用。這款新型IPD在待機(jī)狀態(tài)下的耗電量僅為3μA(最大值)。應(yīng)用車載設(shè)備

ECU(車身控制模塊、接線盒等)配電模塊半導(dǎo)體繼電器特性通過AEC-Q100認(rèn)證能夠根據(jù)負(fù)載電流,與低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET搭配使用內(nèi)置升壓電路,減少無源外圍器件的使用內(nèi)置保護(hù)功能和診斷輸出功能(電壓異常、過流、過熱、電源反接、接地端斷路保護(hù)以及VDD負(fù)載線短路等)


(素材來源:ttic和21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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