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微處理器和模擬的智能電動(dòng)機(jī)控制

發(fā)布時(shí)間:2020/8/8 22:17:38 訪問(wèn)次數(shù):1572

超低功耗 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,除了電池管理電路外,TI 還針對(duì) 300mA 輸出電流設(shè)計(jì)方案推出了最小、最低功耗的降壓轉(zhuǎn)換器 TPS62740,其可在主動(dòng)工作狀態(tài)下支持 360nA 的靜態(tài)電流,而待機(jī)狀態(tài)下靜態(tài)電流則為 70 nA。這款轉(zhuǎn)換器可在低至 10uA 的電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 的效率。它可實(shí)現(xiàn) 31 平方毫米的總體解決方案尺寸,支持可編程輸出電壓特性與 DCS-Control™ 功能,從而可為 TI 超低功耗 MSP430FR59xx 微控制器 (MCU) 等微控制器、以及 SimpleLink™ CC2541 無(wú)線 MCU 等藍(lán)牙 (Bluetooth®) 低能耗解決方案供電。此外,

作為電源管理集成電路與 MCU 的領(lǐng)先供應(yīng)商,TI 正在通過(guò)創(chuàng)新產(chǎn)品以最高效率及最低功耗從環(huán)境源提取和管理能源,將低功耗設(shè)計(jì)推向新高。2011 年,TI 推出了支持 330nA 低靜態(tài)電流的 bq25504 升壓充電器電路。TI 還可提供支持任何低電壓、低功耗設(shè)計(jì)需求的升壓轉(zhuǎn)換器、降壓轉(zhuǎn)換器以及電池充電器。      

bq25570 與 bq25505 采用 3.5 毫米 × 3.5 毫米 QFN 封裝,TPS62740 采用微型 2 毫米 × 3 毫米 SON 封裝,而 TPS62737 與 TPS62736 則也采用 3.5 毫米 × 3.5 毫米 QFN 封裝。

功率MOSFET,它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿,不僅通態(tài)電阻(RDS(on))降低,還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛,包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、SMPS(包括服務(wù)器、電信和OR-ing)和電池管理等等。

新封裝概念將源極(而非傳統(tǒng)的漏極)與導(dǎo)熱墊相連。除了實(shí)現(xiàn)新的PCB布局,這還有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和性能。目前推出的兩個(gè)型號(hào)占板面積不同,它們分別是:源極底置,標(biāo)準(zhǔn)門極布局的PQFN 3.3x3.3 mm封裝;及源極底置,門極居中的PQFN 3.3x3.3 mm封裝。源極底置,標(biāo)準(zhǔn)門極布局的封裝是基于當(dāng)前的PQFN 3.3x3.3 mm引腳分配布局。電氣連接的位置保持不變,方便將如今標(biāo)準(zhǔn)的漏極底置封裝簡(jiǎn)單直接地替換成新的源極底置封裝。在門極居中的封裝中,門極引腳被移到中心位置以便于多個(gè)MOSFET并聯(lián)。由于漏-源極爬電距離增大,多個(gè)器件的門極可以連接到同一層PCB上。將門極接口移到中心位置還能使源極面積增大,從而改進(jìn)器件的電氣連接。

Active-Semi的產(chǎn)品包括微處理器和模擬結(jié)合的智能電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)以及可編程電源管理兩部分,產(chǎn)品特性包括通過(guò)模塊化IP,為客戶設(shè)計(jì)生產(chǎn)高度定制化靈活的產(chǎn)品,同時(shí)具有可編程可配置特性,并提供豐富的軟件及IP資源。Larry強(qiáng)調(diào),Active-Semi擁有眾多知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

Larry強(qiáng)調(diào)了Active-Semi在模擬和數(shù)字領(lǐng)域的結(jié)合,這也是公司順利開(kāi)辟全新市場(chǎng)的重要原因。

可編程電源市場(chǎng)的前景非常廣闊。包括SSD、白電、電動(dòng)工具以及視頻編解碼領(lǐng)域都是傳統(tǒng)可編程電源市場(chǎng)的強(qiáng)項(xiàng),并且有著穩(wěn)定增長(zhǎng),對(duì)于未來(lái),包括可穿戴市場(chǎng)、車用市場(chǎng)將是可編程電源最具潛力的市場(chǎng)。

在可編程技術(shù)上,Active-Semi具有ActiveCiPS專利技術(shù),可在芯片生產(chǎn)時(shí)對(duì)CiPS組件進(jìn)行編程,通過(guò)修改非易失性閃存而不是MASK,然后提供給客戶,從而實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高度靈活性與快速上市周期。

(素材來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

超低功耗 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,除了電池管理電路外,TI 還針對(duì) 300mA 輸出電流設(shè)計(jì)方案推出了最小、最低功耗的降壓轉(zhuǎn)換器 TPS62740,其可在主動(dòng)工作狀態(tài)下支持 360nA 的靜態(tài)電流,而待機(jī)狀態(tài)下靜態(tài)電流則為 70 nA。這款轉(zhuǎn)換器可在低至 10uA 的電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 的效率。它可實(shí)現(xiàn) 31 平方毫米的總體解決方案尺寸,支持可編程輸出電壓特性與 DCS-Control™ 功能,從而可為 TI 超低功耗 MSP430FR59xx 微控制器 (MCU) 等微控制器、以及 SimpleLink™ CC2541 無(wú)線 MCU 等藍(lán)牙 (Bluetooth®) 低能耗解決方案供電。此外,

作為電源管理集成電路與 MCU 的領(lǐng)先供應(yīng)商,TI 正在通過(guò)創(chuàng)新產(chǎn)品以最高效率及最低功耗從環(huán)境源提取和管理能源,將低功耗設(shè)計(jì)推向新高。2011 年,TI 推出了支持 330nA 低靜態(tài)電流的 bq25504 升壓充電器電路。TI 還可提供支持任何低電壓、低功耗設(shè)計(jì)需求的升壓轉(zhuǎn)換器、降壓轉(zhuǎn)換器以及電池充電器。      

bq25570 與 bq25505 采用 3.5 毫米 × 3.5 毫米 QFN 封裝,TPS62740 采用微型 2 毫米 × 3 毫米 SON 封裝,而 TPS62737 與 TPS62736 則也采用 3.5 毫米 × 3.5 毫米 QFN 封裝。

功率MOSFET,它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿,不僅通態(tài)電阻(RDS(on))降低,還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛,包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、SMPS(包括服務(wù)器、電信和OR-ing)和電池管理等等。

新封裝概念將源極(而非傳統(tǒng)的漏極)與導(dǎo)熱墊相連。除了實(shí)現(xiàn)新的PCB布局,這還有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和性能。目前推出的兩個(gè)型號(hào)占板面積不同,它們分別是:源極底置,標(biāo)準(zhǔn)門極布局的PQFN 3.3x3.3 mm封裝;及源極底置,門極居中的PQFN 3.3x3.3 mm封裝。源極底置,標(biāo)準(zhǔn)門極布局的封裝是基于當(dāng)前的PQFN 3.3x3.3 mm引腳分配布局。電氣連接的位置保持不變,方便將如今標(biāo)準(zhǔn)的漏極底置封裝簡(jiǎn)單直接地替換成新的源極底置封裝。在門極居中的封裝中,門極引腳被移到中心位置以便于多個(gè)MOSFET并聯(lián)。由于漏-源極爬電距離增大,多個(gè)器件的門極可以連接到同一層PCB上。將門極接口移到中心位置還能使源極面積增大,從而改進(jìn)器件的電氣連接。

Active-Semi的產(chǎn)品包括微處理器和模擬結(jié)合的智能電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)以及可編程電源管理兩部分,產(chǎn)品特性包括通過(guò)模塊化IP,為客戶設(shè)計(jì)生產(chǎn)高度定制化靈活的產(chǎn)品,同時(shí)具有可編程可配置特性,并提供豐富的軟件及IP資源。Larry強(qiáng)調(diào),Active-Semi擁有眾多知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

Larry強(qiáng)調(diào)了Active-Semi在模擬和數(shù)字領(lǐng)域的結(jié)合,這也是公司順利開(kāi)辟全新市場(chǎng)的重要原因。

可編程電源市場(chǎng)的前景非常廣闊。包括SSD、白電、電動(dòng)工具以及視頻編解碼領(lǐng)域都是傳統(tǒng)可編程電源市場(chǎng)的強(qiáng)項(xiàng),并且有著穩(wěn)定增長(zhǎng),對(duì)于未來(lái),包括可穿戴市場(chǎng)、車用市場(chǎng)將是可編程電源最具潛力的市場(chǎng)。

在可編程技術(shù)上,Active-Semi具有ActiveCiPS專利技術(shù),可在芯片生產(chǎn)時(shí)對(duì)CiPS組件進(jìn)行編程,通過(guò)修改非易失性閃存而不是MASK,然后提供給客戶,從而實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高度靈活性與快速上市周期。

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