高速邏輯電路產(chǎn)生高頻干擾和電磁泄漏
發(fā)布時(shí)間:2020/8/11 21:14:27 訪問次數(shù):3363
以數(shù)字電路為主,以低電平傳輸信號(hào)的設(shè)備。所用的數(shù)字集成電路既是干擾源,又是干擾的敏感器件,以存儲(chǔ)器為代表的MOS器件就是一個(gè)典型例子。存儲(chǔ)器瞬間工作時(shí)能產(chǎn)生很大電流,加之工作頻率可達(dá)百兆以上,因而易產(chǎn)生竄擾,造成誤動(dòng)作或通過公共阻抗干擾其它電路。MOS 器件本身的抗擾性又很差。數(shù)字電路傳送脈沖信號(hào),產(chǎn)生的輻射頻率范圍很寬,如時(shí)鐘產(chǎn)生器、高速邏輯電路等都會(huì)產(chǎn)生高頻干擾和電磁泄漏,同時(shí)也會(huì)受通信、電視等頻段的電磁騷擾。在設(shè)計(jì)時(shí)要考慮選用抗干擾器件,合理確定指標(biāo)和運(yùn)用接地、屏蔽等技術(shù)。
接地系統(tǒng)的抗干擾設(shè)計(jì),良好的接地可以保護(hù)設(shè)備或系統(tǒng)的正常操作以及人身安全。可以消除各種電磁干擾和雷擊等。所以接地設(shè)計(jì)是非常重要的,但也是難度較大的課題。地線的種類很多,有邏輯地、信號(hào)地、屏蔽地、保護(hù)地等。接地的方式也可分單點(diǎn)接地、多點(diǎn)接地、混合接地和懸浮地等。理想的接地面應(yīng)為零電位,各接地點(diǎn)之間無電位差。但實(shí)際上,任何“地”或接地線都有電阻。當(dāng)有電流通過時(shí),就會(huì)產(chǎn)生壓降,使地線上的電位不為零,兩個(gè)接地點(diǎn)之間就會(huì)存在地電壓。當(dāng)電路多點(diǎn)接地,井有信號(hào)聯(lián)系時(shí),就將構(gòu)成地環(huán)路干擾電壓。接地技術(shù)十分講究,如信號(hào)接地與電源接地要分開,復(fù)雜電路采用多點(diǎn)接地和公共地等。
AS1344-BTDT
制造商:ams
產(chǎn)品描述:IC REG BOOST ADJ 1.4A 10TDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
類別:集成電路 (IC)
家庭:PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器
系列:-
包裝:剪切帶 (CT)
類型:升壓(升壓)
輸出類型:可調(diào)式
輸出數(shù):1
電壓 - 輸出:5.5 V ~ 42 V
電壓 - 輸入:0.9 V ~ 3.6 V
PWM 類型:-
頻率 - 開關(guān):1MHz
電流 - 輸出:1.4A
同步整流器:無
工作溫度:-40°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:10-WFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:10-TDFN(3x3)
其它名稱:AS1344-BTDT-1KCTAS1344-BTDT-1KCT-NDAS1344-BTDTCTAS1344BTDT1K
ROHS: 無鉛
該P(yáng)MIC集成了i.MX 8M mini應(yīng)用處理器、DDR存儲(chǔ)器和常見系統(tǒng)I/O所需的所有電源:六個(gè)DC/DC降壓穩(wěn)壓器,六個(gè)LDO和一個(gè)用于SDXC卡的1.8V/3.3V電源開關(guān)。此外,該P(yáng)MIC還配備了一個(gè)可支持各種應(yīng)用場景的可編程電源控制時(shí)序器?蛻艨梢酝ㄟ^OTP配置和/或通過軟件對(duì)許多工作參數(shù)(比如輸出電壓、轉(zhuǎn)換速率、電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換、復(fù)位行為等)進(jìn)行配置。該P(yáng)MIC還具有廣泛的監(jiān)視和保護(hù)電路,這使其性能更加完善。
BD71847AMWV具備為整個(gè)系統(tǒng)供電的能力,其內(nèi)置的六個(gè)完整DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器可提供16.5A的電流,六個(gè)LDO可提供超過1.1A的電流。憑借脈沖寬度自動(dòng)選擇和脈沖頻率調(diào)制功能,該芯片可在較寬的輸出電壓和負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換。各種降壓穩(wěn)壓器均使用集成電源開關(guān),開關(guān)頻率為2MHz/1.5MHz,因此可以使用薄型電感。其輸出電壓可以在很寬的范圍內(nèi)進(jìn)行編程,并且兩個(gè)降壓穩(wěn)壓器均采用現(xiàn)代SoC要求的動(dòng)態(tài)電壓縮放(DVS)工作方式,以實(shí)現(xiàn)處理器更出色的單任務(wù)能耗性能。經(jīng)過優(yōu)化,該芯片的電源架構(gòu)允許LDO穩(wěn)壓器以同類更優(yōu)異的總效率提供能量,從而實(shí)現(xiàn)較長的工作時(shí)間和更優(yōu)異的散熱性能表現(xiàn)。各種LDO穩(wěn)壓器均具有可編程輸出電壓,并可提供300mA的電流輸出能力。

以數(shù)字電路為主,以低電平傳輸信號(hào)的設(shè)備。所用的數(shù)字集成電路既是干擾源,又是干擾的敏感器件,以存儲(chǔ)器為代表的MOS器件就是一個(gè)典型例子。存儲(chǔ)器瞬間工作時(shí)能產(chǎn)生很大電流,加之工作頻率可達(dá)百兆以上,因而易產(chǎn)生竄擾,造成誤動(dòng)作或通過公共阻抗干擾其它電路。MOS 器件本身的抗擾性又很差。數(shù)字電路傳送脈沖信號(hào),產(chǎn)生的輻射頻率范圍很寬,如時(shí)鐘產(chǎn)生器、高速邏輯電路等都會(huì)產(chǎn)生高頻干擾和電磁泄漏,同時(shí)也會(huì)受通信、電視等頻段的電磁騷擾。在設(shè)計(jì)時(shí)要考慮選用抗干擾器件,合理確定指標(biāo)和運(yùn)用接地、屏蔽等技術(shù)。
接地系統(tǒng)的抗干擾設(shè)計(jì),良好的接地可以保護(hù)設(shè)備或系統(tǒng)的正常操作以及人身安全?梢韵鞣N電磁干擾和雷擊等。所以接地設(shè)計(jì)是非常重要的,但也是難度較大的課題。地線的種類很多,有邏輯地、信號(hào)地、屏蔽地、保護(hù)地等。接地的方式也可分單點(diǎn)接地、多點(diǎn)接地、混合接地和懸浮地等。理想的接地面應(yīng)為零電位,各接地點(diǎn)之間無電位差。但實(shí)際上,任何“地”或接地線都有電阻。當(dāng)有電流通過時(shí),就會(huì)產(chǎn)生壓降,使地線上的電位不為零,兩個(gè)接地點(diǎn)之間就會(huì)存在地電壓。當(dāng)電路多點(diǎn)接地,井有信號(hào)聯(lián)系時(shí),就將構(gòu)成地環(huán)路干擾電壓。接地技術(shù)十分講究,如信號(hào)接地與電源接地要分開,復(fù)雜電路采用多點(diǎn)接地和公共地等。
AS1344-BTDT
制造商:ams
產(chǎn)品描述:IC REG BOOST ADJ 1.4A 10TDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
類別:集成電路 (IC)
家庭:PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器
系列:-
包裝:剪切帶 (CT)
類型:升壓(升壓)
輸出類型:可調(diào)式
輸出數(shù):1
電壓 - 輸出:5.5 V ~ 42 V
電壓 - 輸入:0.9 V ~ 3.6 V
PWM 類型:-
頻率 - 開關(guān):1MHz
電流 - 輸出:1.4A
同步整流器:無
工作溫度:-40°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:10-WFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:10-TDFN(3x3)
其它名稱:AS1344-BTDT-1KCTAS1344-BTDT-1KCT-NDAS1344-BTDTCTAS1344BTDT1K
ROHS: 無鉛
該P(yáng)MIC集成了i.MX 8M mini應(yīng)用處理器、DDR存儲(chǔ)器和常見系統(tǒng)I/O所需的所有電源:六個(gè)DC/DC降壓穩(wěn)壓器,六個(gè)LDO和一個(gè)用于SDXC卡的1.8V/3.3V電源開關(guān)。此外,該P(yáng)MIC還配備了一個(gè)可支持各種應(yīng)用場景的可編程電源控制時(shí)序器?蛻艨梢酝ㄟ^OTP配置和/或通過軟件對(duì)許多工作參數(shù)(比如輸出電壓、轉(zhuǎn)換速率、電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換、復(fù)位行為等)進(jìn)行配置。該P(yáng)MIC還具有廣泛的監(jiān)視和保護(hù)電路,這使其性能更加完善。
BD71847AMWV具備為整個(gè)系統(tǒng)供電的能力,其內(nèi)置的六個(gè)完整DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器可提供16.5A的電流,六個(gè)LDO可提供超過1.1A的電流。憑借脈沖寬度自動(dòng)選擇和脈沖頻率調(diào)制功能,該芯片可在較寬的輸出電壓和負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換。各種降壓穩(wěn)壓器均使用集成電源開關(guān),開關(guān)頻率為2MHz/1.5MHz,因此可以使用薄型電感。其輸出電壓可以在很寬的范圍內(nèi)進(jìn)行編程,并且兩個(gè)降壓穩(wěn)壓器均采用現(xiàn)代SoC要求的動(dòng)態(tài)電壓縮放(DVS)工作方式,以實(shí)現(xiàn)處理器更出色的單任務(wù)能耗性能。經(jīng)過優(yōu)化,該芯片的電源架構(gòu)允許LDO穩(wěn)壓器以同類更優(yōu)異的總效率提供能量,從而實(shí)現(xiàn)較長的工作時(shí)間和更優(yōu)異的散熱性能表現(xiàn)。各種LDO穩(wěn)壓器均具有可編程輸出電壓,并可提供300mA的電流輸出能力。

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