Mentor宣布將為基于Arm的eMRAM編譯器IP提供IC測試解決方案，該方案基于三星的28FDS工藝技術。測試方案利用了Mentor的Tessent Memory BIST，為SRAM和eMRAM提供了一套統(tǒng)一的存儲器測試和修復IP。

Globalfoundries已經(jīng)在其22FDX（22nm制程的FD-SOI工藝技術）制程中提供了MRAM，同時也在研究另一種存儲技術。

由于Globalfoundries重點發(fā)展FD-SOI技術，特別是22nm制程的FD-SOI，已經(jīng)很成熟，所以該公司的新興存儲技術，特別是MRAM，都是基于具有低功耗特性的FD-SOI技術展開的。

Globalfoundries宣布基于22nm FD-SOI 平臺的eMRAM投入生產(chǎn)。該eMRAM技術平臺可以實現(xiàn)將數(shù)據(jù)保持在-40°C至+125°C的溫度范圍內，壽命周期可以達到100,000，可以將數(shù)據(jù)保留10年。該公司表示，正在與多個客戶合作，計劃在2020年安排多次流片。

公司的eMRAM旨在替代NOR閃存，可以定期通過更新或日志記錄進行重寫。由于是基于磁阻原理，在寫入所需數(shù)據(jù)之前不需要擦除周期，大大提高了寫入速度，宏容量從4-48Mb不等。

英特爾也是MRAM技術的主要推動者，采用的是基于FinFET技術的22 nm制程。

一款基于22nm FinFET制程的STT-MRAM，基于FinFET的MRAM產(chǎn)品，并表示已經(jīng)具備該技術產(chǎn)品的量產(chǎn)能力。

由于市場需求愈加凸顯，且有各大晶圓廠大力投入支持，加快了以MRAM為代表的新興存儲技術的商業(yè)化進程。未來幾年，雖然DRAM和NAND Flash將繼續(xù)站穩(wěn)存儲芯片市場主導地位，但隨著各家半導體大廠相繼投入發(fā)展，新興存儲器的成本將逐步下降，可進一步提升 MRAM等技術的市場普及率。

兩種帶有IO-link的新型旋轉霍爾效應傳感器：ACW4單匝和TCW4多匝模塊化旋轉霍爾效應傳感器。

IO-link集成標準化了傳感器的輸出，因此它們可以在任何啟用IO-Link的現(xiàn)場總線網(wǎng)絡中進行通信，從而簡化了安裝和更換。新的接口功能允許從ERP一直到組件級別的傳感器連接-支持工業(yè)4.0和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）環(huán)境。

使用IO-link簡化了設計定制IO盒以將各種傳感器輸出轉換為適用于應用的現(xiàn)場總線標準的需求，從而節(jié)省了空間和開發(fā)成本。通過這種標準化的通信方法，ACW4和TCW4傳感器可以提供直接連接到任何IO鏈接主站的數(shù)字點對點信號。由于IO鏈接主站具有各種現(xiàn)場總線接口，因此系統(tǒng)中現(xiàn)有的現(xiàn)場總線部分可以保持不變。IO鏈接還提供通用電源功能，從而進一步簡化了系統(tǒng)的設計。 

ACW4和TCW4旋轉霍爾效應傳感器的IO-link功能包括：

24 V操作

IO-link標準規(guī)定的最大20 m連接長度

增強的診斷和“記錄保存”功能

超出規(guī)格或警告情況的事件通知

產(chǎn)品的第二代產(chǎn)品還利用IO-link標準，使用戶能夠從傳感器訪問其他診斷數(shù)據(jù)。用戶現(xiàn)在可以監(jiān)控內部溫度，運行時間，電壓水平和同步等參數(shù)，以識別異常情況。

數(shù)據(jù)使操作員可以更好地了解傳感器的健康狀況，并安排計劃內的維護工作，從而避免代價高昂的停機時間。電子設備包含在IP65等級的超模壓塑料外殼中，可保持環(huán)境密封。這些旋轉霍爾效應傳感器的厚度約為11毫米，非常緊湊且扁平。磁鐵組件是單獨的，并且有一系列磁鐵支架可用于各種安裝。小尺寸和兩部分配置的結合為開發(fā)人員提供了額外的設計靈活性。

新型帶IO-link的ACW4和TCW4旋轉位置傳感器非常適合在檢查，包裝，分揀和碼垛設備中常見的機器人和輸送機應用中使用，其中IO-link有助于維持系統(tǒng)的平穩(wěn)運行，最大程度地減少物料損失并改善包裝準確性和交付。