整體解決的降壓升壓電池充電器
發(fā)布時(shí)間:2020/8/22 20:35:01 訪問次數(shù):2861
超薄柔性點(diǎn)接觸式高密度互聯(lián)技術(shù)組件,166尺寸電池組件功率達(dá)到520W+,而組件效率更是達(dá)到了行業(yè)頂尖的21.5%+。超薄柔性點(diǎn)接觸式高密度互聯(lián)技術(shù)是中建材浚鑫自主研發(fā)的行業(yè)最前端電池互聯(lián)技術(shù)。
大硅片都伴隨著組件尺寸的增大,不是完全靠轉(zhuǎn)換效率的提升。雖然大功率組件對(duì)于系統(tǒng)成本的降低有一定作用,但是大尺寸同樣帶來安裝的難度,也不可能無限增大,所以我們更看重組件轉(zhuǎn)化效率的提升。推出的超薄柔性點(diǎn)接觸式高密度互聯(lián)組件,轉(zhuǎn)換效率達(dá)到21.5%,功率達(dá)到520W,比同尺寸普通組件功率提升超過5%。將最大限度的降低系統(tǒng)成本。
一家集光伏制造,全球EPC總包、項(xiàng)目融資等業(yè)務(wù)于一體的全球知名光伏企業(yè)。擁有電池片產(chǎn)能2GW、組件產(chǎn)能2.5GW以及1GW光伏發(fā)電系統(tǒng)年投資和建設(shè)能力。
AS13985F33_EK_ST
制造商:ams
產(chǎn)品描述:ams/編程器,開發(fā)系統(tǒng)
標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
類別:編程器,開發(fā)系統(tǒng)
家庭:評(píng)估板 - 線性穩(wěn)壓器(LDO)
每 IC 通道數(shù):1 - 單
電壓 - 輸出:3.3V
電流 - 輸出:150mA
電壓 - 輸入:2.5 V ~ 5.5 V
穩(wěn)壓器類型:正,固定式
工作溫度:-40°C ~ 125°C
板類型:完全填充
所含物品:板
使用的 IC/零件:AS13985F33
其它名稱:AS13985F33 EBAS13985F33 EB-NDAS13985F33 EK ST

POWER10處理器主要有這么幾個(gè)技術(shù)特性。制造工藝上面,IBM選擇了三星的7nm工藝,其集成了180億個(gè)晶體管,核心面積高達(dá)602mm2,封裝形式有單芯和雙芯兩種。芯片內(nèi)部一共集成有16個(gè)核心,但被屏蔽掉一個(gè),所有核心均支持SMT8技術(shù),也就是能夠單核超線程出8個(gè)線程來,單芯片最多能夠提供120個(gè)線程。每個(gè)核心的L2緩存有2MB,單個(gè)處理器共享60+60的三級(jí)緩存。相比起POWER9,POWER10的能效增長了兩倍之多。另外在指令集方面,POWER10處理器增加了針對(duì)AI應(yīng)用和安全方面的新指令集,并且通過新的核心架構(gòu)和集成的矩陣數(shù)學(xué)加速器(Matrix Math Accelerator)讓AI性能有了大幅的增長,在BFloat16和INT8的計(jì)算吞吐量上比POWER9要分別高出15倍和20倍。
I/O方面,POWER10集成了一套名為開放內(nèi)存接口(Open Memory Interface)的內(nèi)存控制器,能夠支持GDDR系、DDR系和SCM類的內(nèi)存模塊,靈活度很高,其中對(duì)DDR的支持做到了最新的DDR5,這套接口最高可以提供1TB/s的超高帶寬。另外,POWER10支持PCIe 5.0,一共有32條總線可供分配。

超薄柔性點(diǎn)接觸式高密度互聯(lián)技術(shù)組件,166尺寸電池組件功率達(dá)到520W+,而組件效率更是達(dá)到了行業(yè)頂尖的21.5%+。超薄柔性點(diǎn)接觸式高密度互聯(lián)技術(shù)是中建材浚鑫自主研發(fā)的行業(yè)最前端電池互聯(lián)技術(shù)。
大硅片都伴隨著組件尺寸的增大,不是完全靠轉(zhuǎn)換效率的提升。雖然大功率組件對(duì)于系統(tǒng)成本的降低有一定作用,但是大尺寸同樣帶來安裝的難度,也不可能無限增大,所以我們更看重組件轉(zhuǎn)化效率的提升。推出的超薄柔性點(diǎn)接觸式高密度互聯(lián)組件,轉(zhuǎn)換效率達(dá)到21.5%,功率達(dá)到520W,比同尺寸普通組件功率提升超過5%。將最大限度的降低系統(tǒng)成本。
一家集光伏制造,全球EPC總包、項(xiàng)目融資等業(yè)務(wù)于一體的全球知名光伏企業(yè)。擁有電池片產(chǎn)能2GW、組件產(chǎn)能2.5GW以及1GW光伏發(fā)電系統(tǒng)年投資和建設(shè)能力。
AS13985F33_EK_ST
制造商:ams
產(chǎn)品描述:ams/編程器,開發(fā)系統(tǒng)
標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
類別:編程器,開發(fā)系統(tǒng)
家庭:評(píng)估板 - 線性穩(wěn)壓器(LDO)
每 IC 通道數(shù):1 - 單
電壓 - 輸出:3.3V
電流 - 輸出:150mA
電壓 - 輸入:2.5 V ~ 5.5 V
穩(wěn)壓器類型:正,固定式
工作溫度:-40°C ~ 125°C
板類型:完全填充
所含物品:板
使用的 IC/零件:AS13985F33
其它名稱:AS13985F33 EBAS13985F33 EB-NDAS13985F33 EK ST

POWER10處理器主要有這么幾個(gè)技術(shù)特性。制造工藝上面,IBM選擇了三星的7nm工藝,其集成了180億個(gè)晶體管,核心面積高達(dá)602mm2,封裝形式有單芯和雙芯兩種。芯片內(nèi)部一共集成有16個(gè)核心,但被屏蔽掉一個(gè),所有核心均支持SMT8技術(shù),也就是能夠單核超線程出8個(gè)線程來,單芯片最多能夠提供120個(gè)線程。每個(gè)核心的L2緩存有2MB,單個(gè)處理器共享60+60的三級(jí)緩存。相比起POWER9,POWER10的能效增長了兩倍之多。另外在指令集方面,POWER10處理器增加了針對(duì)AI應(yīng)用和安全方面的新指令集,并且通過新的核心架構(gòu)和集成的矩陣數(shù)學(xué)加速器(Matrix Math Accelerator)讓AI性能有了大幅的增長,在BFloat16和INT8的計(jì)算吞吐量上比POWER9要分別高出15倍和20倍。
I/O方面,POWER10集成了一套名為開放內(nèi)存接口(Open Memory Interface)的內(nèi)存控制器,能夠支持GDDR系、DDR系和SCM類的內(nèi)存模塊,靈活度很高,其中對(duì)DDR的支持做到了最新的DDR5,這套接口最高可以提供1TB/s的超高帶寬。另外,POWER10支持PCIe 5.0,一共有32條總線可供分配。

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