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偏置電路壓控振蕩器和緩沖器

發(fā)布時(shí)間:2020/8/25 12:38:49 訪問(wèn)次數(shù):2069

龍芯掌握CPU核心設(shè)計(jì)能力,芯片設(shè)計(jì)源代碼全部自主研發(fā),在設(shè)計(jì)過(guò)程中主動(dòng)防范芯片漏洞、消除后門隱患。

CPU是復(fù)雜巨系統(tǒng),只有通過(guò)自主研發(fā)的實(shí)踐才能真正把握核心技術(shù)。2016年發(fā)現(xiàn)的“熔斷”和“幽靈”漏洞影響全球大量Intel、ARM處理器!叭蹟唷焙汀坝撵`”漏洞屬于芯片硬件設(shè)計(jì)缺陷,無(wú)法通過(guò)軟件打補(bǔ)丁或者操作系統(tǒng)升級(jí)的方法修復(fù)。即使Intel、ARM自己對(duì)CPU的復(fù)雜性引起的漏洞都難以完全把握,到2020年仍然發(fā)現(xiàn)多款引進(jìn)的ARM處理器型號(hào)存在幽靈漏洞。

龍芯3A4000/3B4000及后續(xù)型號(hào)都實(shí)現(xiàn)對(duì)“熔斷”和“幽靈”漏洞免疫。龍芯走自研CPU的路線,看得懂、改得動(dòng),能夠從流水線、緩存、轉(zhuǎn)移猜測(cè)等關(guān)鍵機(jī)理上分析漏洞、規(guī)避問(wèn)題。龍芯是國(guó)內(nèi)處理器中最早發(fā)布免疫CPU型號(hào)的廠商。龍芯通過(guò)硬件的方式防范漏洞,性能沒(méi)有明顯降低。

 


制造商:

Infineon

產(chǎn)品種類:

IGBT 模塊

RoHS:

商標(biāo):

Infineon Technologies

產(chǎn)品:

IGBT Silicon Modules

配置:

Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:

1200 V

集電極—射極飽和電壓:

2.15 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:

600 A

柵極—射極漏泄電流:

400 nA

最大工作溫度:

+ 125 C

封裝 / 箱體:

EconoPACK+

柵極/發(fā)射極最大電壓:

+/- 20 V

最小工作溫度:

- 40 C

安裝風(fēng)格:

Screw

Pd-功率耗散:

2100 W

工廠包裝數(shù)量:

4

 

壓控振蕩器(VOC)作為信號(hào)源的關(guān)鍵部件在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用。而頻率產(chǎn)生源作為無(wú)線通信系統(tǒng)的核心,是大多數(shù)電子系統(tǒng)的重要組成部分。CMOS工藝具備較寬的電壓調(diào)節(jié)范圍、較低的功耗、較強(qiáng)的抗干擾能力等優(yōu)點(diǎn)被廣泛用于通信系統(tǒng)的芯片中。相對(duì)LC振蕩器而言,CMOS工藝的環(huán)形壓控振蕩器能夠?qū)崿F(xiàn)較寬的調(diào)節(jié)范圍、而且功耗低、面積小、集成高等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用在通信領(lǐng)域中。

四階的環(huán)形壓控振蕩器,包括了偏置電路、壓控振蕩器和緩沖器三個(gè)模塊。其中偏置電路給差分環(huán)形振蕩器的單元電路提供電流源偏置,使壓控振蕩器的輸出具有更好的線性和穩(wěn)定性;壓控振蕩器采用了四階的差分環(huán)形振蕩器,偶數(shù)級(jí)的振蕩器和奇數(shù)級(jí)的差分結(jié)構(gòu)起振時(shí)能夠保持非穩(wěn)定平衡態(tài),而且在起振前還可使電路鎖定,讓電路保持一個(gè)穩(wěn)定的平衡態(tài);緩沖器電路可以將系統(tǒng)的帶寬進(jìn)行擴(kuò)展,這樣就會(huì)使輸出功率管在動(dòng)態(tài)條件下進(jìn)行充放電,從而提高電路的響應(yīng)速度,并且還會(huì)減少電路的靜態(tài)功耗。對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)試與仿真,仿真結(jié)果表明振蕩器的頻率調(diào)節(jié)范圍在2.34GHz-4.62GHz之間,中心頻率為3.29GHz,在頻率為1MHz的相位噪聲為-123dBc/Hz,功耗為2.07mW,波形平緩,從而達(dá)到了相對(duì)的振蕩幅度的要求。

(素材來(lái)源:21IC和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

 

 

龍芯掌握CPU核心設(shè)計(jì)能力,芯片設(shè)計(jì)源代碼全部自主研發(fā),在設(shè)計(jì)過(guò)程中主動(dòng)防范芯片漏洞、消除后門隱患。

CPU是復(fù)雜巨系統(tǒng),只有通過(guò)自主研發(fā)的實(shí)踐才能真正把握核心技術(shù)。2016年發(fā)現(xiàn)的“熔斷”和“幽靈”漏洞影響全球大量Intel、ARM處理器!叭蹟唷焙汀坝撵`”漏洞屬于芯片硬件設(shè)計(jì)缺陷,無(wú)法通過(guò)軟件打補(bǔ)丁或者操作系統(tǒng)升級(jí)的方法修復(fù)。即使Intel、ARM自己對(duì)CPU的復(fù)雜性引起的漏洞都難以完全把握,到2020年仍然發(fā)現(xiàn)多款引進(jìn)的ARM處理器型號(hào)存在幽靈漏洞。

龍芯3A4000/3B4000及后續(xù)型號(hào)都實(shí)現(xiàn)對(duì)“熔斷”和“幽靈”漏洞免疫。龍芯走自研CPU的路線,看得懂、改得動(dòng),能夠從流水線、緩存、轉(zhuǎn)移猜測(cè)等關(guān)鍵機(jī)理上分析漏洞、規(guī)避問(wèn)題。龍芯是國(guó)內(nèi)處理器中最早發(fā)布免疫CPU型號(hào)的廠商。龍芯通過(guò)硬件的方式防范漏洞,性能沒(méi)有明顯降低。

 


制造商:

Infineon

產(chǎn)品種類:

IGBT 模塊

RoHS:

商標(biāo):

Infineon Technologies

產(chǎn)品:

IGBT Silicon Modules

配置:

Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:

1200 V

集電極—射極飽和電壓:

2.15 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:

600 A

柵極—射極漏泄電流:

400 nA

最大工作溫度:

+ 125 C

封裝 / 箱體:

EconoPACK+

柵極/發(fā)射極最大電壓:

+/- 20 V

最小工作溫度:

- 40 C

安裝風(fēng)格:

Screw

Pd-功率耗散:

2100 W

工廠包裝數(shù)量:

4

 

壓控振蕩器(VOC)作為信號(hào)源的關(guān)鍵部件在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用。而頻率產(chǎn)生源作為無(wú)線通信系統(tǒng)的核心,是大多數(shù)電子系統(tǒng)的重要組成部分。CMOS工藝具備較寬的電壓調(diào)節(jié)范圍、較低的功耗、較強(qiáng)的抗干擾能力等優(yōu)點(diǎn)被廣泛用于通信系統(tǒng)的芯片中。相對(duì)LC振蕩器而言,CMOS工藝的環(huán)形壓控振蕩器能夠?qū)崿F(xiàn)較寬的調(diào)節(jié)范圍、而且功耗低、面積小、集成高等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用在通信領(lǐng)域中。

四階的環(huán)形壓控振蕩器,包括了偏置電路、壓控振蕩器和緩沖器三個(gè)模塊。其中偏置電路給差分環(huán)形振蕩器的單元電路提供電流源偏置,使壓控振蕩器的輸出具有更好的線性和穩(wěn)定性;壓控振蕩器采用了四階的差分環(huán)形振蕩器,偶數(shù)級(jí)的振蕩器和奇數(shù)級(jí)的差分結(jié)構(gòu)起振時(shí)能夠保持非穩(wěn)定平衡態(tài),而且在起振前還可使電路鎖定,讓電路保持一個(gè)穩(wěn)定的平衡態(tài);緩沖器電路可以將系統(tǒng)的帶寬進(jìn)行擴(kuò)展,這樣就會(huì)使輸出功率管在動(dòng)態(tài)條件下進(jìn)行充放電,從而提高電路的響應(yīng)速度,并且還會(huì)減少電路的靜態(tài)功耗。對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)試與仿真,仿真結(jié)果表明振蕩器的頻率調(diào)節(jié)范圍在2.34GHz-4.62GHz之間,中心頻率為3.29GHz,在頻率為1MHz的相位噪聲為-123dBc/Hz,功耗為2.07mW,波形平緩,從而達(dá)到了相對(duì)的振蕩幅度的要求。

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