Transphorm的模擬評估板提供了前所未有的、以最簡單的方式使用我們高效GaN的機會。與之前的數(shù)字板非常相似的是，它為電源系統(tǒng)工程師提供了以往高壓設(shè)備市場所缺少的選擇。無論最終應(yīng)用的針對性價值主張如何，我們都能提供各種工具集和最強大的GaN來幫助您取得成功。

SuperGaN器件：性能超越超結(jié)MOSFET,TDTTP4000W065AN在板中采用Transphorm的SuperGaN Gen IV TP65H035G4WS FET作為快速開關(guān)支路，而低電阻硅MOSFET則用在慢速開關(guān)支路中。最終的性能與其數(shù)字控制產(chǎn)品TDTTP4000W066C相似。

TP65H035G4WS是采用TO-247通孔封裝且導通電阻為35毫歐的650伏器件，具有固有的高熱耗散能力。此功能消除了將器件并聯(lián)以輸出更高功率的需求，而這是具有競爭力的表面貼裝GaN解決方案所需的一種設(shè)計方法。而且，與所有其他Transphorm GaN器件一樣，SuperGaN FET可以通過4伏閾值電壓(Vth)及0至12伏現(xiàn)成的標準柵極驅(qū)動電路來驅(qū)動。

現(xiàn)在可通過TI和授權(quán)分銷商購買TPS63900，大小為2.5mm x 2.5mm，帶晶圓小尺寸無鉛（WSON）封裝。完整卷帶和定制卷帶可登錄TI.com及通過其他渠道獲得。

制造商:Microchip產(chǎn)品種類:以太網(wǎng) ICRoHS: 詳細信息商標:Microchip Technology產(chǎn)品:Ethernet Controllers數(shù)據(jù)速率:10 Mb/s工作電源電壓:3.3 V最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:Through Hole封裝 / 箱體:SPDIP-28雙工:Full Duplex, Half Duplex接口類型:MII, MIIM最小工作溫度:- 40 C封裝:Tube標準:10Base-T工廠包裝數(shù)量:15

5G平臺T750，面向新一代5G CPE無線產(chǎn)品，以及5G固定無線接入（FWA）和移動熱點（MiFi）等設(shè)備，為家庭、企業(yè)和移動用戶帶來高速5G連接。

T750采用先進的7nm制程，高度集成5G調(diào)制解調(diào)器和四核 Arm CPU，提供完備的功能和配置，讓設(shè)備制造商得以打造精巧的高性能消費類產(chǎn)品。目前，T750正在為廠商送樣。

聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的增加，以及遠程辦公、視頻會議和在線課程等服務(wù)的激增，普及高速寬帶連接變得越來越重要。通過T750平臺，我們將把領(lǐng)先的5G技術(shù)延伸到手機領(lǐng)域之外，為運營商和設(shè)備制造商開辟新市場，讓消費者充分體驗5G連接的優(yōu)勢。

支持Sub-6GHz頻段的5G路由器為數(shù)字用戶線路（DSL）、電纜或光纖服務(wù)受限的地區(qū)帶來了更便利的寬帶選擇，讓難以接入現(xiàn)有無線服務(wù)與信號的郊區(qū)、農(nóng)村等偏遠地區(qū)，也能夠獲得超高速的網(wǎng)絡(luò)連接。

據(jù)分析機構(gòu)IDC預測，全球5G和LTE路由器、以及網(wǎng)關(guān)市場，

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