多留個心眼看看其采用的線材是否達到相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)，例如在額定功率為500W的電源上，其主要輸出線路應(yīng)該采用18AWG級別的線材。如果這款電源它沒有按照規(guī)范要求在線材上標(biāo)注相應(yīng)的規(guī)格，或者說只采用了較低規(guī)格的線材，這時候就不妨考慮一下其它產(chǎn)品，畢竟連基本功都沒有做好的電源，我們很難相信其用料和性能能有較好的表現(xiàn)，在某種程度上來說，也是一個比較方便的、用于排除劣質(zhì)電源的方法。

貼片鉭電容的作用:

具有儲藏電量、進行充放電等性能

穩(wěn)壓防治電壓抖動及濾波的作用。

貼片鉭電容的優(yōu)點：

由于體積小容量較大，適用于較小空間

隨著溫度的升高，其介質(zhì)損耗低，壽命長，絕緣電阻高，漏電系數(shù)小，穩(wěn)定性要優(yōu)于陶瓷電容。

中科院帶來了一個重大消息，國內(nèi)的芯片將會放棄之前使用的美國架構(gòu)技術(shù)，準(zhǔn)備轉(zhuǎn)換成正在全面自主研發(fā)國產(chǎn)的“龍芯”架構(gòu)，這意味著中國“龍芯”正式開始走向產(chǎn)品。

這次轉(zhuǎn)折可以說成是國內(nèi)芯片行業(yè)的背水一戰(zhàn)，面對國外種種壓力之下，國內(nèi)企業(yè)別無他法，只能夠自己尋找機會突破國外的封鎖。

國內(nèi)的海思在芯片設(shè)計領(lǐng)域處在世界上領(lǐng)先的水平，甚至可以設(shè)計出5nm的芯片。

但是由于我們將重心放在了芯片的設(shè)計上，卻忽略了芯片的生產(chǎn)，只能依賴國外的技術(shù)來生產(chǎn)芯片。國內(nèi)最先進的中芯國際，在不久后也只能生產(chǎn)14nm芯片，而眼下正繼續(xù)的7nm和5nm芯片，真的是心有余而力不足。

MIPS架構(gòu)技術(shù)是美國上世紀的產(chǎn)物，到時我國龍芯一號的性能和良品率都和對手相差很遠，經(jīng)過不斷的改良使我們的龍芯一號終于開始將兩者的距離不斷拉近。

啟動龍芯，并且決定去除美國的MIPS架構(gòu)技術(shù)，不僅是為了防止美國的制裁，更是為了大力發(fā)展國內(nèi)的芯片行業(yè)，國家對半導(dǎo)體行業(yè)越來越重視，并且在各方面給予半導(dǎo)體公司優(yōu)惠政策，鼓勵國產(chǎn)芯片的大力發(fā)展，逐漸拉近與國外芯片的距離，并超過對方，以期打破國外對中國半導(dǎo)體的限制。

主要技術(shù)性能

電容器損耗角正切(tanδ)不大于0.0002。

電容器的實測電容與其額定值的偏差不超過-3%～+5%。

電容器放電電阻（如有）能在電容器脫離電源后將其剩余電壓自√2UN降到電壓75V 以下。

電容器內(nèi)部熔絲（如有）能在0.9 √2UN和2.0√2UN之間的電壓下元件擊穿時可靠動作。

安全可靠的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：

單元絕緣裕度加大，長期運行電壓可提高到1.2倍額定電壓。

隱藏式內(nèi)熔絲動作性能達到世界先進水平。

極板采用鋁箔折邊凸出結(jié)構(gòu)，改善邊緣的電場分布。

分布式內(nèi)放電電阻，消除內(nèi)部直流電壓、抑制熔絲動作時產(chǎn)生的電弧。

一體式滾壓套管，無需任何焊接，有效防止套管部位的滲漏。

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