nRF5340集成了ArmTrustZone 的Arm CryptoCell-312技術(shù)和安全密匙存儲，可提供最高級別的安全性。該器件使用Arm CryptoCell-312將最通用的互聯(lián)網(wǎng)加密標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行硬件加速，同時Arm TrustZone通過在單個內(nèi)核上創(chuàng)建安全和非安全代碼執(zhí)行區(qū)，為受信任的軟件提供系統(tǒng)范圍內(nèi)的硬件隔離。nRF5340的綜合安全功能可實現(xiàn)先進(jìn)的信任根和安全的固件更新，同時保護(hù)SoC免受惡意攻擊。

nRF5340基于Arm Cortex -M33雙核處理器；一個為高性能應(yīng)用處理器，運行速率可達(dá)128 MHz (510 CoreMark)，帶有專用1 MB閃存和512 KB RAM；另一個為運行速率為64 MHz (238 CoreMark) 的完全可編程超低功耗網(wǎng)絡(luò)處理器，具有專用256 KB閃存和64 KB內(nèi)存。功能強大的應(yīng)用處理器效率極高(65 CoreMark/mA)，具有8 KB的兩通道關(guān)聯(lián)緩存，支持DSP和浮點功能，并提供電壓和頻率調(diào)節(jié)選項，該應(yīng)用處理器集成了Arm TrustZone的Arm Cryptocell-312以及安全密匙存儲的先進(jìn)安全功能，帶有包括NFC、USB、QSPI和高速SPI的各種接口外設(shè)。

完全可編程的網(wǎng)絡(luò)處理器的能效更高(101 CoreMark/mA)，并針對無線電運作期間的低功耗和低占空比傳感器采集進(jìn)行了優(yōu)化。可編程的網(wǎng)絡(luò)處理器訪問提供了2.4 GHz私有協(xié)議的最優(yōu)實現(xiàn)，確保了從nRF51和nRF52系列移植的可行性。

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 高速運算放大器

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: ADA4896-2

通道數(shù)量: 2 Channel

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 90 MHz

SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 120 V/us

電壓增益 dB: 110 dB

CMRR - 共模抑制比: - 120 dB

每個通道的輸出電流: 80 mA

Ib - 輸入偏流: - 4 uA

Vos - 輸入偏置電壓 : - 28 uV

電源電壓-最大: 10 V

電源電壓-最小: 3 V

工作電源電流: 6 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: MSOP-8

封裝: Tube

放大器類型: Voltage Feedback

高度: 1.1 mm

長度: 3 mm

輸出類型: Rail-to-Rail

產(chǎn)品: Operational Amplifiers

電源類型: Single, Dual

寬度: 3 mm

商標(biāo): Analog Devices

關(guān)閉: No Shutdown

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu): Voltage Feedback

en - 輸入電壓噪聲密度: 1 nV/sqrt Hz

最大雙重電源電壓: +/- 5 V

最小雙重電源電壓: +/- 1.5 V

工作電源電壓: 3 V to 10 V

產(chǎn)品類型: Op Amps - High Speed Operational Amplifiers

PSRR - 電源抑制比: - 125 dB

穩(wěn)定時間: 45 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: Amplifier ICs

單位重量: 140 mg

當(dāng)器件不加?xùn)艍呵衣┰措妷捍笥诹銜r，工作在正向阻斷模態(tài)；當(dāng)柵壓大于Si MOSFET的閾值電壓時，器件正向?qū)�；一旦Si MOSFET反向?qū)�，器件將工作在反向�(qū)B(tài)。又因為Si MOSFET的漏源電壓Vds_Si給GaN HEMT的柵源電壓Vgs_GaN提供負(fù)偏置電壓，因此控制Si MOSFET的通斷即可控制GaN HEMT的通斷。這種結(jié)構(gòu)由于引入了硅基器件，因此對封裝的要求較高，體積也較大。

與其他結(jié)構(gòu)GaNFET相比，Cascode GaNFET的結(jié)構(gòu)，電壓等級較高、驅(qū)動電壓范圍較寬，但對dv/dt和di/dt敏感，特別是在高頻時，共源電感過大[可能會使器件損壞。Andrew等人通過將智能柵極驅(qū)動與Si MOSFET集成，驅(qū)動耗盡型GaN HEMT，形成智能Cascade GaNFET，智能Cascade GaNFET內(nèi)置電流檢測、可調(diào)輸出電阻、可調(diào)電流檢測率和智能數(shù)字控制。實驗表明，此改進(jìn)的Cascode結(jié)構(gòu)通過利用動態(tài)開關(guān)技術(shù)，可以減少柵極振蕩、降低高電壓和電流轉(zhuǎn)換速率、解決dv/dt和di/dt問題，優(yōu)化EMI。

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