nRF5系列SoC中的首個成員nRF5340TM高端多協(xié)議系統(tǒng)級芯片(SoC)。nRF5340基于Nordic經(jīng)過驗證并在全球范圍廣泛采用的nRF51和nRF52系列多協(xié)議SoC而構(gòu)建，同時引入了具有先進安全功能的全新靈活雙處理器硬件架構(gòu)，支持包括藍牙5.1/低功耗藍牙 (Bluetooth  Low Energy /Bluetooth LE)、藍牙Mesh、Thread和Zigbee等主要RF協(xié)議。

nRF5340 SoC為擴展工作溫度至105oC而設(shè)計，同時支持多協(xié)議和先進的安全功能，非常適合專業(yè)照明和工業(yè)應(yīng)用。這款SoC的高性能應(yīng)用處理器還帶有512 KB RAM大內(nèi)存，可滿足下一代尖端可穿戴設(shè)備的需求。該器件帶有擴展的QSPI外設(shè)接口，能夠以96 MHz與外部存儲器連接，同時還集成了可用作顯示器和復(fù)雜傳感器接口的32 MHz高速SPI外設(shè)。

增強型GaN FET一般的分立式驅(qū)動電路。分立式驅(qū)動電路由驅(qū)動電源VCC、PWM信號、隔離和柵極電阻RG等基本部分組成。前面幾部分主要是給GaN FET提供驅(qū)動電壓VGS。

GaN FET峰值箝位驅(qū)動電路。通過加入二極管-電阻-電容網(wǎng)絡(luò)對柵極進行箝位保護，此箝位電路可以有效抑制開通過程的柵極電壓峰值和漏極電流峰值。其中，R1和C1可使器件快速開關(guān)并抑制柵極電壓峰值，但在關(guān)斷過程會產(chǎn)生負的柵極電壓尖峰；故用D1、R3支路提高關(guān)斷時C1的放電速率，且R3越大，C1放電越快。

降低反向?qū)〒p耗的GaN FET的新型柵驅(qū)動電路,在分壓型驅(qū)動的基礎(chǔ)上加入了由電阻R3、電容C3、P溝道MOSFET自激開關(guān)Q1和二極管Dg組成的電路虛線部分所示。C3、R3的值要比C2、R2的值大得多，因此，C2比C3充放電快得多。關(guān)斷時，未改進前的分壓驅(qū)動中，分壓電容C2存儲的電荷會產(chǎn)生高負VGS使反向?qū)〒p耗增加。改進后，加入的虛線部分電路可使C2放電，使VGS幾乎降為零。VGS受二極管Dg的正向壓降限制。因此，該驅(qū)動設(shè)計有效減少了器件反向特性引起的損耗。

凹槽柵結(jié)構(gòu)通過電感耦合等離子體(Inductively Couple Plasma，ICP)干法刻蝕技術(shù)刻蝕掉柵極下方區(qū)域一定厚度的AlGaN勢壘層，當AlGaN勢壘層厚度減薄到一定程度時，溝道內(nèi)的2DEG濃度會足夠低[5]。凹型柵極下方的整個AlGaN勢壘層被去除，柵極下的2DEG消失，柵極金屬下沉積了Al2O3膜作為柵極電介質(zhì)，可防止由于器件尺寸越來越小而引發(fā)嚴重柵極漏電流、擊穿電壓過低等問題。在零柵壓下，2DEG濃度小到可以忽略，器件處于關(guān)斷狀態(tài)。只有施加正柵壓后，導(dǎo)電通道才會恢復(fù)，實現(xiàn)器件導(dǎo)通，即實現(xiàn)增強型特性。但除去柵極下方的勢壘層，AlGaN勢壘層其他區(qū)域的未被減薄，2DEG濃度保持原有水平。凹槽柵技術(shù)制成的GaN FET在飽和電流和跨導(dǎo)方面較有優(yōu)勢。

Cascode結(jié)構(gòu)是由高壓耗盡型GaN HEMT和低壓增強型Si MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)級聯(lián)構(gòu)成的。

(素材：chinaaet.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除）