NI PXle-6570基于圖形向量的數(shù)字通道板卡和NI數(shù)字圖形向量編輯器。 該產(chǎn)品將射頻集成電路、電源管理IC、微機(jī)電（MEMS）系統(tǒng)設(shè)備以及混合信號(hào)IC的制造商從傳統(tǒng)半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)的封閉式架構(gòu)中解放出來(lái)。

傳統(tǒng)ATE的測(cè)試覆蓋率通常無(wú)法滿足最新半導(dǎo)體設(shè)備的要求。通過(guò)將半導(dǎo)體行業(yè)成熟的數(shù)字測(cè)試模式引入到基于PXI開(kāi)放平臺(tái)的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)（STS）中,并使用功能強(qiáng)大且人性化的編輯器和調(diào)試器進(jìn)行優(yōu)化，用戶可以利用先進(jìn)的PXI儀器來(lái)降低射頻和模擬IC的測(cè)試成本并提高吞吐量。

PXI數(shù)字模式儀器為半導(dǎo)體工程師提供所有高端數(shù)字測(cè)試平臺(tái)才具備的數(shù)字性能，因此它的問(wèn)世無(wú)疑是為STS錦上添花，如果生產(chǎn)車間的PXI具備這個(gè)功能，他們就可以在滿足先進(jìn)器件的成本和測(cè)試要求的同時(shí)，輕松將其擴(kuò)展到其他產(chǎn)品的測(cè)試上。

0.18微米雙極-互補(bǔ)-擴(kuò)散金氧半導(dǎo)體Bipolar CMOS DMOS (BCD) 制程技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)業(yè)界最嚴(yán)格的AEC-Q100 Grade-0 車用電子硅芯片驗(yàn)證。該制程方案包含符合車用標(biāo)準(zhǔn)的FDK及硅智財(cái)解決方案，可用于車用電子之應(yīng)用芯片如電源管理芯片進(jìn)行量產(chǎn)。成功通過(guò)車規(guī)驗(yàn)證之制程方案后，聯(lián)華電子所制造的車用電子芯片即可滿足用于高溫環(huán)境下高可靠性車輛應(yīng)用最嚴(yán)格的需求。這是繼成功量產(chǎn)AEC-Q100 Grade-1規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品后，再創(chuàng)另一技術(shù)發(fā)展的新里程碑。

車用電子的硅芯片含量，隨著包括先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、信息娛樂(lè)系統(tǒng)及導(dǎo)航系統(tǒng)等電子組件持續(xù)演進(jìn)而急遽攀升。大眾近來(lái)對(duì)于排放減量與能源效率有更高的期待，進(jìn)而推升更先進(jìn)的電源電子科技與組件的需求。此類科技與組件需要更嚴(yán)格的AEC-Q100 Grade-0制造標(biāo)準(zhǔn)，才能符合高溫、零缺失的需求。聯(lián)華電子以其0.18微米 BCD 制程，成為少數(shù)符合 AEC-Q100 Grade 1 & 0 半導(dǎo)體產(chǎn)品規(guī)范的晶圓廠，我們盼望能協(xié)助更多晶圓廠客戶進(jìn)入蓬勃發(fā)展的車用芯片市場(chǎng)。

新型增強(qiáng)隔離式雙通道驅(qū)動(dòng)器，具有高速傳播延遲，強(qiáng)力驅(qū)動(dòng)，以及通用兼容性的特點(diǎn)

5.7k VRMS隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，它是TI隔離產(chǎn)品組合中新型柵極驅(qū)動(dòng)器家族的第一款產(chǎn)品。因其高度的靈活性和通用兼容性，UCC21520隔離式驅(qū)動(dòng)器能夠廣泛地用于低端、高端、高端/低端或半橋電源管理設(shè)計(jì)。UCC21520的集成元件、先進(jìn)防護(hù)功能和優(yōu)化的開(kāi)關(guān)性能，能幫助設(shè)計(jì)師為企業(yè)、電信、汽車和工業(yè)應(yīng)用創(chuàng)建更小、更可靠的設(shè)計(jì)。

UCC21520為對(duì)系統(tǒng)防護(hù)和可靠性有高要求的高壓應(yīng)用而開(kāi)發(fā)，可提供5.7 k VRMS的增強(qiáng)隔離，其浪涌抗擾度經(jīng)測(cè)試高達(dá)12.8 kV，普通模式的瞬態(tài)過(guò)壓抗擾度在100 V/ns以上。它擁有業(yè)內(nèi)最快的19ns傳播延遲，以及業(yè)內(nèi)最緊密的低于5ns的通道至通道延遲匹配，UCC21520可提供高功率密度和高效率，使解決方案尺寸更小，在終端設(shè)備使用壽命內(nèi)運(yùn)行更可靠。

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