并串轉(zhuǎn)換的作用是提升數(shù)據(jù)的速率
發(fā)布時(shí)間:2020/8/16 9:23:06 訪問次數(shù):1607
讀數(shù)據(jù)狀態(tài):開啟FIFO通道,關(guān)閉總線開關(guān)以斷開SDRAM與CPU之間的數(shù)據(jù)連接;在SDRAM控制器的控制下,將SDRAM1/2中的數(shù)據(jù)同時(shí)(并行)讀出;經(jīng)過FIFO的緩沖得到連續(xù)的數(shù)據(jù)流,再經(jīng)32位向16位的并串轉(zhuǎn)換,將數(shù)據(jù)速率提升2倍后,供給DAC進(jìn)行數(shù)-模轉(zhuǎn)換,即可得到所編輯的信號(hào)。
圖1中用兩片SDRAM并行工作,是因單片SDRAM不可能提供300MSPS的數(shù)據(jù)流。實(shí)際使用的器件是K4S641632C-TC60,工作時(shí)鐘為166MHz。FIFO緩存SDRAM的輸出數(shù)據(jù),將突發(fā)數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)換成連續(xù)數(shù)據(jù)流,使得在SDRAM處于刷新狀態(tài)時(shí),仍能維持正常的數(shù)據(jù)輸出。實(shí)際使用的器件是兩片并行工作的IDT72V263L6PF,寫入時(shí)鐘為166MHz,讀出時(shí)鐘為150MHz。并串轉(zhuǎn)換的作用是提升數(shù)據(jù)的速率,在DAC器件內(nèi)部完成,筆者采用具有良好動(dòng)態(tài)性能的AD9755AST。CPU及控制接口是一個(gè)基于PC的ISA設(shè)備,可改進(jìn)為PCI設(shè)備;時(shí)鐘電路用來產(chǎn)生166MHz和150MHz的同步時(shí)鐘。下面重點(diǎn)研究SDRAM控制器的設(shè)計(jì),它是本系統(tǒng)的主要特色之一。
制造商
TXC CORPORATION
制造商零件編號(hào)
9C-8.000MAAJ-T
描述
CRYSTAL 8.0000MHZ 18PF SMD
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 無鉛
濕氣敏感性等級(jí) (MSL) 1(無限)
詳細(xì)描述 8MHz-±30ppm-晶體-18pF-HC-49-US
類型 MHz 晶體
頻率 8MHz
頻率穩(wěn)定度 ±30ppm
頻率容差 ±30ppm
負(fù)載電容 18pF
ESR(等效串聯(lián)電阻) 80 Ohms
工作模式 基諧
工作溫度 -20°C ~ 70°C
等級(jí) -
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 HC-49/US
大小/尺寸 0.449" 長 x 0.189" 寬(11.40mm x 4.80mm)
高度 - 安裝(最大值) 0.161"(4.10mm)
經(jīng)過以上簡化的狀態(tài)機(jī)。
SDRAM控制器的EPLD實(shí)現(xiàn),為了實(shí)現(xiàn)上述簡化的SDRAM控制功能,采用一片ALTERA公司生產(chǎn)的EPLD器件MAX7256ATC144-6。圖4是任意波形發(fā)生器SDRAM控制流示意圖。由于具體編程要涉及許多細(xì)節(jié)問題,在此不做贅述,其主要功能如下:
通過ISA總線,實(shí)現(xiàn)與CPU的接口,接收波形數(shù)據(jù)和讀命令;
上電自動(dòng)初始化;
生成23位(8M字存儲(chǔ)器空間)的線性地址,并按行列復(fù)用的方式輸出;
生成SDRAM的控制信號(hào),完成讀、寫和自動(dòng)刷新功能;
控制FIFO,以解決SDRAM刷新和波形長度不是頁長度的倍數(shù)問題。
雖然完全應(yīng)用SDRAM確實(shí)比較復(fù)雜,但只要本著“夠用就行”的原則,對(duì)其功能進(jìn)行合理的簡化,設(shè)計(jì)出具有特殊需求、適用于特定條件的SDRAM控制器是完全可行的。目前,筆者已將基于SDRAM的任意波形發(fā)生器應(yīng)用到多個(gè)研發(fā)項(xiàng)目中。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
讀數(shù)據(jù)狀態(tài):開啟FIFO通道,關(guān)閉總線開關(guān)以斷開SDRAM與CPU之間的數(shù)據(jù)連接;在SDRAM控制器的控制下,將SDRAM1/2中的數(shù)據(jù)同時(shí)(并行)讀出;經(jīng)過FIFO的緩沖得到連續(xù)的數(shù)據(jù)流,再經(jīng)32位向16位的并串轉(zhuǎn)換,將數(shù)據(jù)速率提升2倍后,供給DAC進(jìn)行數(shù)-模轉(zhuǎn)換,即可得到所編輯的信號(hào)。
圖1中用兩片SDRAM并行工作,是因單片SDRAM不可能提供300MSPS的數(shù)據(jù)流。實(shí)際使用的器件是K4S641632C-TC60,工作時(shí)鐘為166MHz。FIFO緩存SDRAM的輸出數(shù)據(jù),將突發(fā)數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)換成連續(xù)數(shù)據(jù)流,使得在SDRAM處于刷新狀態(tài)時(shí),仍能維持正常的數(shù)據(jù)輸出。實(shí)際使用的器件是兩片并行工作的IDT72V263L6PF,寫入時(shí)鐘為166MHz,讀出時(shí)鐘為150MHz。并串轉(zhuǎn)換的作用是提升數(shù)據(jù)的速率,在DAC器件內(nèi)部完成,筆者采用具有良好動(dòng)態(tài)性能的AD9755AST。CPU及控制接口是一個(gè)基于PC的ISA設(shè)備,可改進(jìn)為PCI設(shè)備;時(shí)鐘電路用來產(chǎn)生166MHz和150MHz的同步時(shí)鐘。下面重點(diǎn)研究SDRAM控制器的設(shè)計(jì),它是本系統(tǒng)的主要特色之一。
制造商
TXC CORPORATION
制造商零件編號(hào)
9C-8.000MAAJ-T
描述
CRYSTAL 8.0000MHZ 18PF SMD
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 無鉛
濕氣敏感性等級(jí) (MSL) 1(無限)
詳細(xì)描述 8MHz-±30ppm-晶體-18pF-HC-49-US
類型 MHz 晶體
頻率 8MHz
頻率穩(wěn)定度 ±30ppm
頻率容差 ±30ppm
負(fù)載電容 18pF
ESR(等效串聯(lián)電阻) 80 Ohms
工作模式 基諧
工作溫度 -20°C ~ 70°C
等級(jí) -
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 HC-49/US
大小/尺寸 0.449" 長 x 0.189" 寬(11.40mm x 4.80mm)
高度 - 安裝(最大值) 0.161"(4.10mm)
經(jīng)過以上簡化的狀態(tài)機(jī)。
SDRAM控制器的EPLD實(shí)現(xiàn),為了實(shí)現(xiàn)上述簡化的SDRAM控制功能,采用一片ALTERA公司生產(chǎn)的EPLD器件MAX7256ATC144-6。圖4是任意波形發(fā)生器SDRAM控制流示意圖。由于具體編程要涉及許多細(xì)節(jié)問題,在此不做贅述,其主要功能如下:
通過ISA總線,實(shí)現(xiàn)與CPU的接口,接收波形數(shù)據(jù)和讀命令;
上電自動(dòng)初始化;
生成23位(8M字存儲(chǔ)器空間)的線性地址,并按行列復(fù)用的方式輸出;
生成SDRAM的控制信號(hào),完成讀、寫和自動(dòng)刷新功能;
控制FIFO,以解決SDRAM刷新和波形長度不是頁長度的倍數(shù)問題。
雖然完全應(yīng)用SDRAM確實(shí)比較復(fù)雜,但只要本著“夠用就行”的原則,對(duì)其功能進(jìn)行合理的簡化,設(shè)計(jì)出具有特殊需求、適用于特定條件的SDRAM控制器是完全可行的。目前,筆者已將基于SDRAM的任意波形發(fā)生器應(yīng)用到多個(gè)研發(fā)項(xiàng)目中。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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