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TSV技術(shù)芯片信號路徑的傳輸速率

發(fā)布時間:2020/9/19 23:52:04 訪問次數(shù):1202

3D封裝技術(shù)上面努力著,在三星推出X-Cube時,全球主要的三家半導(dǎo)體代工廠均已經(jīng)擁有3D或2.5D的封裝技術(shù)了。前有臺積電的CoWoS,Intel的Foveros,現(xiàn)在三星也公布了自家的3D封裝技術(shù)X-Cube。顯而易見的是,未來我們買到的電子產(chǎn)品中,使用3D封裝技術(shù)的芯片比例會越來越高。

臺積電的CoWoS封裝是一項2.5D封裝技術(shù),它可以把多個小芯片封裝到一個基板上,這項技術(shù)有許多優(yōu)點,但主要優(yōu)勢是節(jié)約空間、增強芯片之間的互聯(lián)性和功耗降低,AMD的Fury和Vega系列顯卡就是使用這一技術(shù)把GPU和HBM顯存封裝在一起的,NVIDIA的高端Tesla計算卡也是用這種封裝。

英特爾Foveros3D堆疊封裝技術(shù),可以通過在水平布置的芯片之上垂直安置更多面積更小、功能更簡單的小芯片來讓方案整體具備更完整的功能。

除了功能性的提升之外,F(xiàn)overos技術(shù)對于產(chǎn)業(yè)來說最吸引的地方在于他可以將過去漫長的重新設(shè)計、測試、流片過程統(tǒng)統(tǒng)省去,直接將不同IP、不同工藝的各種成熟方案封裝在一起,從而大幅降低成本并提升產(chǎn)品上市速度。

X-Cube 3D可大規(guī)模投產(chǎn),三星的X-Cube意為拓展的立方體。不同于以往多個芯片平行封裝,全新的X-Cube3D封裝允許多枚芯片堆疊封裝,使得成品芯片結(jié)構(gòu)更加緊湊。而芯片之間的通信連接采用了TSV技術(shù),而不是傳統(tǒng)的導(dǎo)線。

技術(shù)已經(jīng)可以將SRAM存儲芯片堆疊到主芯片上方,以騰出更多的空間用于堆疊其他組件,目前該技術(shù)已經(jīng)可以用于7nm甚至5nm制程工藝的產(chǎn)品線,也就是說離大規(guī)模投產(chǎn)已經(jīng)十分接近。

三星封裝將發(fā)展更多領(lǐng)域,TSV技術(shù)可以大幅減少芯片之間的信號路徑,降低功耗的同時提高了傳輸?shù)乃俾。該技術(shù)將會應(yīng)用于最前沿的5G、AI、AR、HPC、移動芯片已經(jīng)VR領(lǐng)域,這些領(lǐng)域也都是最需要先進(jìn)封裝工藝的地方。

至于芯片發(fā)展的路線,三星與各大芯片廠商保持一致,將會跳過4nm的制程工藝,直接選用3nm作為下一代產(chǎn)品的研發(fā)目標(biāo)。目前三星計劃和無晶圓廠的芯片設(shè)計公司繼續(xù)合作,推進(jìn)3D封裝工藝在下一代高性能應(yīng)用中的部署。


(素材:chinaaet.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除)



3D封裝技術(shù)上面努力著,在三星推出X-Cube時,全球主要的三家半導(dǎo)體代工廠均已經(jīng)擁有3D或2.5D的封裝技術(shù)了。前有臺積電的CoWoS,Intel的Foveros,現(xiàn)在三星也公布了自家的3D封裝技術(shù)X-Cube。顯而易見的是,未來我們買到的電子產(chǎn)品中,使用3D封裝技術(shù)的芯片比例會越來越高。

臺積電的CoWoS封裝是一項2.5D封裝技術(shù),它可以把多個小芯片封裝到一個基板上,這項技術(shù)有許多優(yōu)點,但主要優(yōu)勢是節(jié)約空間、增強芯片之間的互聯(lián)性和功耗降低,AMD的Fury和Vega系列顯卡就是使用這一技術(shù)把GPU和HBM顯存封裝在一起的,NVIDIA的高端Tesla計算卡也是用這種封裝。

英特爾Foveros3D堆疊封裝技術(shù),可以通過在水平布置的芯片之上垂直安置更多面積更小、功能更簡單的小芯片來讓方案整體具備更完整的功能。

除了功能性的提升之外,F(xiàn)overos技術(shù)對于產(chǎn)業(yè)來說最吸引的地方在于他可以將過去漫長的重新設(shè)計、測試、流片過程統(tǒng)統(tǒng)省去,直接將不同IP、不同工藝的各種成熟方案封裝在一起,從而大幅降低成本并提升產(chǎn)品上市速度。

X-Cube 3D可大規(guī)模投產(chǎn),三星的X-Cube意為拓展的立方體。不同于以往多個芯片平行封裝,全新的X-Cube3D封裝允許多枚芯片堆疊封裝,使得成品芯片結(jié)構(gòu)更加緊湊。而芯片之間的通信連接采用了TSV技術(shù),而不是傳統(tǒng)的導(dǎo)線。

技術(shù)已經(jīng)可以將SRAM存儲芯片堆疊到主芯片上方,以騰出更多的空間用于堆疊其他組件,目前該技術(shù)已經(jīng)可以用于7nm甚至5nm制程工藝的產(chǎn)品線,也就是說離大規(guī)模投產(chǎn)已經(jīng)十分接近。

三星封裝將發(fā)展更多領(lǐng)域,TSV技術(shù)可以大幅減少芯片之間的信號路徑,降低功耗的同時提高了傳輸?shù)乃俾。該技術(shù)將會應(yīng)用于最前沿的5G、AI、AR、HPC、移動芯片已經(jīng)VR領(lǐng)域,這些領(lǐng)域也都是最需要先進(jìn)封裝工藝的地方。

至于芯片發(fā)展的路線,三星與各大芯片廠商保持一致,將會跳過4nm的制程工藝,直接選用3nm作為下一代產(chǎn)品的研發(fā)目標(biāo)。目前三星計劃和無晶圓廠的芯片設(shè)計公司繼續(xù)合作,推進(jìn)3D封裝工藝在下一代高性能應(yīng)用中的部署。


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