低密度（64 Kb至1Mb）非易失性串行RAM（NVRAM）解決方案通常是成本最高的終端產(chǎn)品。Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口（SPI）EERAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，與當(dāng)前的串行NVRAM產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員節(jié)省高達(dá)25%的成本。新系列產(chǎn)品為Microchip的EERAM產(chǎn)品陣容增添了范圍從64 Kb到1 Mb不等的四種可靠SPI密度。

EERAM是一種獨(dú)立非易失性RAM存儲(chǔ)器，使用與串行SRAM相同的SPI和I2C協(xié)議，可使器件在斷電期間保留SRAM內(nèi)容，而無(wú)需使用外部電池。用戶幾乎看不見(jiàn)該器件的所有非易失性部分。

以生產(chǎn)線為例，工作站在其整個(gè)生命周期中會(huì)處理高達(dá)數(shù)百萬(wàn)個(gè)任務(wù)，而在任務(wù)期間丟失數(shù)據(jù)可能會(huì)造成生產(chǎn)線檢修或物品報(bào)廢。EERAM在這些場(chǎng)景中會(huì)自動(dòng)存儲(chǔ)SRAM內(nèi)容，從而使生產(chǎn)線可從任務(wù)中斷處開(kāi)始，恢復(fù)運(yùn)行。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 預(yù)偏置 RoHS: 詳細(xì)信息 配置:Single 晶體管極性:NPN 典型輸入電阻器:22 kOhms 典型電阻器比率:1 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 直流集電極/Base Gain hfe Min:56 集電極連續(xù)電流:30 mA 峰值直流集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:200 mW 最大工作溫度:+ 150 C 系列:DTC124EKA 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 寬度:1.6 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 產(chǎn)品類(lèi)型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數(shù)量:3000 子類(lèi)別:Transistors 零件號(hào)別名:DTC124EKA 單位重量:8 mg

EERAM價(jià)格之所以較低，是因?yàn)槭褂昧藰?biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）和閃存工藝。因?yàn)檫@些器件采用的是產(chǎn)量最高，使用最廣泛的工藝，因此可提供業(yè)界最佳的可靠性和最低的成本。而諸如鐵電RAM（FRAM）的替代解決方案采用的則是特殊工藝，不但成本高，而且長(zhǎng)期供貨不穩(wěn)。全新EERAM系列具有Microchip以客戶驅(qū)動(dòng)的“淘汰模式”，有助于確保在客戶需要的時(shí)間內(nèi)為其供貨。

EERAM為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了系統(tǒng)所需的可靠且高性價(jià)比的非易失性RAM解決方案。幾年前，我們首次推出了4 Kb和16 Kb密度產(chǎn)品，取得了良好的市場(chǎng)反響。我們的全新系列產(chǎn)品首次提供SPI接口，并將密度擴(kuò)展到了1兆位，為滿足客戶的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求提供了更多選擇。

當(dāng)器件檢測(cè)到電源耗盡時(shí)，會(huì)自動(dòng)將SRAM數(shù)據(jù)傳輸?shù)椒且资源鎯?chǔ)器中，并在電源恢復(fù)供電時(shí)再將數(shù)據(jù)移回到SRAM中。

(素材：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除）