100 V 氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、汽車信息娛樂及激光雷達系統(tǒng)的理想功率器件。

增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器（硬開關和諧振式）和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統(tǒng)。

EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準硅器件相比，這兩款氮化鎵器件的性能更高。

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產(chǎn)品種類:

功率因數(shù)校正 - PFC

RoHS:

開關頻率:

75 kHz

最小工作溫度:

- 40 C

最大工作溫度:

+ 105 C

安裝風格:

Through Hole

封裝 / 箱體:

SOP-16

封裝:

Cut Tape

封裝:

MouseReel

封裝:

Reel

系列:

商標:

ON Semiconductor / Fairchild

Pd-功率耗散:

800 mW

產(chǎn)品類型:

PFC - Power Factor Correction

EPC2204的導通電阻降低了25％，但尺寸卻縮小了3倍。 與基準硅MOSFET器件相比，其柵極電荷（QG）小超過50%，并且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復電荷（QRR），從而使得D類音頻放大器可以實現(xiàn)更低的失真和更高效的同步整流器和電機驅(qū)動器。

100 V基準硅場效應晶體管與100V 氮化鎵場效應晶體管的性能比較

預計最新一代且性能優(yōu)越的100V eGaN FET的價格會更高。但這些最先進的100 V晶體管的價格與等效老化器件相近。我們?yōu)樵O計工程師提供的氮化鎵器件的優(yōu)勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高且成本相近。氮化鎵器件正在加速替代功率MOSFET器件。