多層陶瓷電容線性穩(wěn)壓器的輸出電壓
發(fā)布時(shí)間:2020/9/27 17:39:58 訪問次數(shù):3819
PM6670開關(guān)控制器采用一個(gè)谷值電流檢測(cè)算法,能夠恰當(dāng)?shù)靥幚硐蘖鞅Wo(hù)和電感電流零交越信息。這個(gè)無功耗的電流檢測(cè)方法是在下橋臂MOSFET導(dǎo)通期間檢測(cè)電流。 VTTREF部分的輸出電壓是VDDQ電壓值的二分之一,電壓調(diào)整精度1%。
這個(gè)穩(wěn)壓器的源出和灌入電流最高為±15mA。在全部工作條件下,線性穩(wěn)壓器的輸出電壓(VTT)等于內(nèi)存的參考電壓VTTREF。為降低總體功耗,LDO的輸入電壓可以是VDDQ或更低的電壓軌。與輸出端的多層陶瓷電容(MLCC)配合,線性穩(wěn)壓器的輸出電壓十分穩(wěn)定。PM6670的三個(gè)主要功能(輸出波紋補(bǔ)償、靜噪跳躍模式和輸出放電選項(xiàng))。

如果檢測(cè)到電池電壓不能滿足要求,系統(tǒng)就會(huì)發(fā)出報(bào)警,以提示用戶注意作好相應(yīng)的防范措施。這時(shí),如果電池電壓低于2 V,第二個(gè)存儲(chǔ)周期就會(huì)停止。存儲(chǔ)器進(jìn)入工作狀態(tài)后,執(zhí)行存儲(chǔ)器讀周期,然后校驗(yàn)內(nèi)存位置的內(nèi)容。這樣就可以得出電池的狀態(tài)。而其后的寫周期就能夠?qū)ν粌?nèi)存位置執(zhí)行寫操作,從而改變存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)內(nèi)容。
第二個(gè)讀周期不能校驗(yàn)已寫數(shù)據(jù),這說明電池電壓小于2 V,數(shù)據(jù)有遭到破壞的可能。
電源監(jiān)視控制器的第五個(gè)功能是提供電池冗余。在很多應(yīng)用中,數(shù)據(jù)完整性非常重要。在這些應(yīng)用中,非常有必要用兩個(gè)電池來保證其系統(tǒng)的可靠性。DSl210控制器提供有內(nèi)部隔離開關(guān),以方便雙電池連接。這樣,在儲(chǔ)備狀態(tài)時(shí),電池處在最高電壓以備應(yīng)用。
如果一個(gè)電池失效,另一個(gè)電池就會(huì)開始工作。冗余電池的開關(guān)對(duì)電路操作和使用者都是透明的。如果一個(gè)正在應(yīng)用的電池電壓下降到2 V或者低于2 V,就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電池狀態(tài)報(bào)警信號(hào)。

便攜設(shè)備要求延長電池使用時(shí)間,提高系統(tǒng)性能,同時(shí)還要求降低產(chǎn)品的成本、尺寸和重量。為滿足這些需求,意法半導(dǎo)體開發(fā)了PM6670,這是一款采用高性能的BCD5(第五代BiCMOS-DMOS)制造工藝設(shè)計(jì)的先進(jìn)架構(gòu)的半導(dǎo)體器件,采用4x4-24 引腳的VFQFPN封裝,能夠滿足DDR2-3內(nèi)存的電源需求。
該器件還內(nèi)置同步降壓控制器、15mA的緩沖參考二極管和強(qiáng)流LDO線性穩(wěn)壓器,其中穩(wěn)壓器的源出和灌入峰流高達(dá)2A。
PM6670的開關(guān)部分是一個(gè)高性能的偽固定頻率,恒定導(dǎo)通時(shí)間控制器是為在寬輸入電壓范圍內(nèi)處理快速負(fù)載瞬變專門設(shè)計(jì)的。
開關(guān)頻率范圍200kHz ~ 500kHz,根據(jù)不同應(yīng)用需求,可以處理不同的工作模式,最大限度降低噪聲或功耗:強(qiáng)制PWM模式實(shí)現(xiàn)偽固定開關(guān)頻率;脈沖跳躍模式通過跳過某些開關(guān)周期在輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)高能效;靜噪跳躍模式將開關(guān)頻率限制在人耳聽音范圍外。
PM6670開關(guān)控制器采用一個(gè)谷值電流檢測(cè)算法,能夠恰當(dāng)?shù)靥幚硐蘖鞅Wo(hù)和電感電流零交越信息。這個(gè)無功耗的電流檢測(cè)方法是在下橋臂MOSFET導(dǎo)通期間檢測(cè)電流。 VTTREF部分的輸出電壓是VDDQ電壓值的二分之一,電壓調(diào)整精度1%。
這個(gè)穩(wěn)壓器的源出和灌入電流最高為±15mA。在全部工作條件下,線性穩(wěn)壓器的輸出電壓(VTT)等于內(nèi)存的參考電壓VTTREF。為降低總體功耗,LDO的輸入電壓可以是VDDQ或更低的電壓軌。與輸出端的多層陶瓷電容(MLCC)配合,線性穩(wěn)壓器的輸出電壓十分穩(wěn)定。PM6670的三個(gè)主要功能(輸出波紋補(bǔ)償、靜噪跳躍模式和輸出放電選項(xiàng))。

如果檢測(cè)到電池電壓不能滿足要求,系統(tǒng)就會(huì)發(fā)出報(bào)警,以提示用戶注意作好相應(yīng)的防范措施。這時(shí),如果電池電壓低于2 V,第二個(gè)存儲(chǔ)周期就會(huì)停止。存儲(chǔ)器進(jìn)入工作狀態(tài)后,執(zhí)行存儲(chǔ)器讀周期,然后校驗(yàn)內(nèi)存位置的內(nèi)容。這樣就可以得出電池的狀態(tài)。而其后的寫周期就能夠?qū)ν粌?nèi)存位置執(zhí)行寫操作,從而改變存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)內(nèi)容。
第二個(gè)讀周期不能校驗(yàn)已寫數(shù)據(jù),這說明電池電壓小于2 V,數(shù)據(jù)有遭到破壞的可能。
電源監(jiān)視控制器的第五個(gè)功能是提供電池冗余。在很多應(yīng)用中,數(shù)據(jù)完整性非常重要。在這些應(yīng)用中,非常有必要用兩個(gè)電池來保證其系統(tǒng)的可靠性。DSl210控制器提供有內(nèi)部隔離開關(guān),以方便雙電池連接。這樣,在儲(chǔ)備狀態(tài)時(shí),電池處在最高電壓以備應(yīng)用。
如果一個(gè)電池失效,另一個(gè)電池就會(huì)開始工作。冗余電池的開關(guān)對(duì)電路操作和使用者都是透明的。如果一個(gè)正在應(yīng)用的電池電壓下降到2 V或者低于2 V,就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電池狀態(tài)報(bào)警信號(hào)。

便攜設(shè)備要求延長電池使用時(shí)間,提高系統(tǒng)性能,同時(shí)還要求降低產(chǎn)品的成本、尺寸和重量。為滿足這些需求,意法半導(dǎo)體開發(fā)了PM6670,這是一款采用高性能的BCD5(第五代BiCMOS-DMOS)制造工藝設(shè)計(jì)的先進(jìn)架構(gòu)的半導(dǎo)體器件,采用4x4-24 引腳的VFQFPN封裝,能夠滿足DDR2-3內(nèi)存的電源需求。
該器件還內(nèi)置同步降壓控制器、15mA的緩沖參考二極管和強(qiáng)流LDO線性穩(wěn)壓器,其中穩(wěn)壓器的源出和灌入峰流高達(dá)2A。
PM6670的開關(guān)部分是一個(gè)高性能的偽固定頻率,恒定導(dǎo)通時(shí)間控制器是為在寬輸入電壓范圍內(nèi)處理快速負(fù)載瞬變專門設(shè)計(jì)的。
開關(guān)頻率范圍200kHz ~ 500kHz,根據(jù)不同應(yīng)用需求,可以處理不同的工作模式,最大限度降低噪聲或功耗:強(qiáng)制PWM模式實(shí)現(xiàn)偽固定開關(guān)頻率;脈沖跳躍模式通過跳過某些開關(guān)周期在輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)高能效;靜噪跳躍模式將開關(guān)頻率限制在人耳聽音范圍外。
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