全球先進(jìn)工藝芯片IP和定制，擁有自主全系列高帶寬高性能計(jì)算IP技術(shù)，多次在先進(jìn)工藝上填補(bǔ)國內(nèi)空白，核心技術(shù)支持了全球客戶數(shù)十億顆高端SOC量產(chǎn)。

自2019年始，芯動(dòng)在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下，團(tuán)隊(duì)全程攻堅(jiān)克難，投入數(shù)千萬元設(shè)計(jì)優(yōu)化，率先完成NTO流片�；贜+1制程的首款芯片經(jīng)過數(shù)月多輪測(cè)試迭代，助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。

芯動(dòng)科技與全球知名代工廠已有多年國產(chǎn)IP生態(tài)共建的合作，為大量國內(nèi)和全球客戶實(shí)現(xiàn)從成熟工藝（55nm、40nm、28nm、22nm等)到先進(jìn)工藝（如FinFET 14nm、12nm、7nm等）的不斷跨越，在各先進(jìn)工藝中規(guī)模IP授權(quán)和定制批量生產(chǎn)高端SOC，包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先進(jìn)技術(shù)規(guī)模量產(chǎn)，連續(xù)多年獲得中芯國際“最佳IP合作伙伴”獎(jiǎng)。

芯動(dòng)科技基于國產(chǎn)N+1新工藝的率先里程碑NTO流片驗(yàn)證成功，為國產(chǎn)半導(dǎo)體生態(tài)鏈再立新功。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細(xì)信息產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:1.75 V在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A柵極—射極漏泄電流:100 nA最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:Module封裝:Bulk商標(biāo):Infineon Technologies柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:SMD/SMTPd-功率耗散:790 W工廠包裝數(shù)量:10

標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶零件狀態(tài)有源類別產(chǎn)品族PMIC - 電池充電器系列-其它名稱296-39552-2

規(guī)格電池化學(xué)鋰離子/聚合物電池?cái)?shù)1電流 - 充電恒流 - 可編程可編程特性電流故障保護(hù)過流，超溫，過壓充電電流 - 最大值3A電池組電壓4.4V（最大）電壓 - 供電（最高）6.2V接口I2C，USB工作溫度-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型表面貼裝型封裝/外殼24-VFQFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝24-VQFN（4x4）

在5G無線基站、交換機(jī)等設(shè)備的主控芯片上，中興自研的7納米芯片已實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)商用，5納米還在實(shí)驗(yàn)階段。

中興在芯片、操作系統(tǒng)的自主創(chuàng)新發(fā)展，以前我們都是自用。實(shí)際上我們投入了大量的人員在搞研發(fā)，比如成都有近4000人在研發(fā)自主操作系統(tǒng)。

中興通訊的7納米和5納米芯片均為5G基站用的芯片。中興也是中國當(dāng)前量產(chǎn)7納米導(dǎo)入5納米的企業(yè)。

中興通訊回應(yīng)過有關(guān)7nm、5nm半導(dǎo)體芯片的傳聞，其表示，在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，中興通訊專注于通信芯片的設(shè)計(jì)，并不具備芯片生產(chǎn)制造能力。在專用通信芯片的設(shè)計(jì)上，公司有20多年的經(jīng)驗(yàn)積累，具備從芯片系統(tǒng)架構(gòu)到后端物理實(shí)現(xiàn)的全流程定制設(shè)計(jì)能力。