采用Dickson倍壓電路結構，MOS管采用二極管接法。輸出電壓與輸入電壓的關系如式：

N為倍壓電路的級數(shù)，Vth為MOS管的閾值電壓。電源轉換效率公式如式：

輸入端的射頻信號瞬態(tài)電流，Vin為輸入端的射頻信號瞬態(tài)電壓，Iout為輸出端的直流電流，Vout為輸出端的直流電壓。

隨著N的增大，輸出電壓會不斷增大，但在實際中由于MOS管存在寄生效應和襯底效應，電源的轉換效率隨著級數(shù)的增加會不斷降低，同時轉換效率與MOS管的寬度也存在一定的關系，所以需要在輸出電壓以及電源效率轉換間進行折中。通過對電路的優(yōu)化，最后采用6級倍壓結構。

低頻端的整流電路，采用NMOS柵交叉連接全波橋式整流電路[5]，把低頻射頻信號變成直流電源VDL，為芯片的后續(xù)電路提供原始的電源。此電路有一對二極管連接的NMOS管，電路從天線到負載電容有閾值電壓Vth的壓降，因此NMOS管應選用低閾值的MOS管。

標準包裝：

2,000

類別：

電容器

家庭：

薄膜電容器

系列：

ECQ-V

包裝：

帶卷（TR）

電容：

10000pF

容差：

±5%

額定電壓 - AC：

額定電壓 - DC：

63V

介電材料：

聚酯，金屬化 - 層疊式

ESR（等效串聯(lián)電阻）：

工作溫度：

-40°C ~ 105°C

安裝類型：

通孔

封裝/外殼：

徑向

大小/尺寸：

0.295" 長 x 0.126" 寬（7.50mm x 3.20mm）

高度 - 安裝（最大值）：

0.307"（7.80mm）

端接：

PC 引腳

引線間距：

0.197"（5.00mm）

應用：

通用

特性

USB Type-C連接中的電源與數(shù)據(jù)正在發(fā)生交融，同時正在改變我們日常對這些技術的使用方式。例如，大多數(shù)筆記本電腦目前都包含數(shù)個接口，用于充電、顯示、音頻以及更多的傳統(tǒng)USB連接。

正在成為全新標準的USB Type-C將所有這些數(shù)據(jù)和電源接口合并為一個高容量線路，并且不受插頭正反的限制。

從空調系統(tǒng)到工廠自動化應用，電源與數(shù)據(jù)也跨過高壓電路中的隔離隔柵匯聚在了一起。對于獨立電源的需求在迅速增長，同時雖然跨過隔離隔柵傳輸數(shù)據(jù)的功能已經(jīng)實現(xiàn)了數(shù)年，對于電力的傳輸仍然需要一個占用寶貴電路板空間，并且會產(chǎn)生可靠性問題的分立式變壓器。

一款全新器件ISOW7841已經(jīng)通過將多個硅片和一個變壓器集成在單個封裝內解決了這一難題。此外，相較于市面上其它的解決方案，ISOW7841在電力傳輸方面的效率要高出80%，并且運行時更加安靜。

隨著經(jīng)濟的不斷增長，那些用于支持汽車、數(shù)據(jù)中心、工廠、住宅以及很多其它提高人類生活質量的技術，將對高效地運行提出更高需求。

電源管理技術對于每個電子系統(tǒng)都越來越關鍵，創(chuàng)新的步伐將繼續(xù)加劇，而我們數(shù)字生活中的半導體數(shù)量也將保持增長。