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共模能量和輻射能量噪聲源

發(fā)布時(shí)間:2020/10/13 22:07:15 訪問次數(shù):969

故障的原因和隔離的必要性,CAN 總線故障可能由多種原因引起:子系統(tǒng)之間的接地電勢差;共模能量和輻射能量等一般噪聲源;以及配電總線上的高壓噪聲和尖峰。為確保汽車和工業(yè)系統(tǒng)中 CAN 總線互連器件的穩(wěn)健運(yùn)行,需要兩種隔離類型:

與電源總線隔離

連接各子系統(tǒng)的通信總線的隔離

與集成解決方案相比,電源和信號(hào)路徑單獨(dú)隔離的解決方案通常成本更低,效率更高。這些解決方案還使設(shè)計(jì)人員能夠獨(dú)立優(yōu)化兩條路徑的隔離電平。設(shè)計(jì)人員可自由選擇   適合具體應(yīng)用的隔離技術(shù)類型。選擇包括磁隔離、光隔離和電容隔離。

基本電氣絕緣(使用絕緣材料)與強(qiáng)化絕緣之間也有區(qū)別。所需的絕緣水平取決于所涉及的電壓電平,以及是否存在從可接觸部件到地面的連接。基本絕緣提供防電擊保護(hù)。

意法半導(dǎo)體 MDmesh™ II 功率 MOSFET 將垂直結(jié)構(gòu)與 STM 帶狀布局相結(jié)合,產(chǎn)生了業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,使其能適應(yīng)要求最高的高效轉(zhuǎn)換器。這些 MDmesh™ II 功率 MOSFET 完全絕緣,采用薄型封裝,加長了從引腳到散熱盤的爬電路徑。它們經(jīng) 100% 雪崩測試,輸入電容、柵極電荷及柵極輸入電阻低。

特性

完全絕緣和低輪廓封裝,增加爬電路徑從引腳到散熱器板

與上一代相比,RDS(on) x區(qū)域更低

100%雪崩測試

低輸入電容和柵電荷

Zener-protected

低柵輸入電阻

應(yīng)用

切換應(yīng)用程序

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:  技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220-3通道數(shù)量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:600 VId-連續(xù)漏極電流:13 A

NXP 的 TJA1052i 針對(duì)電動(dòng)和混合動(dòng)力車輛進(jìn)行了優(yōu)化。

TJA1052i 設(shè)計(jì)用于鋰離子 (Li-ion) 電池管理、再生制動(dòng)和 48 V 至 12 V 電平位移。該器件還可用于皮帶淘汰項(xiàng)目中高壓按需泵和電機(jī)的隔離。通過 AEC-Q100    的 TJA1052i 實(shí)現(xiàn)了 ISO 11898-2:2016 和 SAE J2284-1 至 SAE J2284-5 中定義的 CAN 物理層 (PHY)。提供三種隔離級(jí)別:1 千伏 (kV)、2.5 kV 和 5 kV。與 ISO1042 一樣,TJA1052i 也需要一個(gè)外部隔離電源。

集成電源和信號(hào)隔離解決方案

雖然分立 DC-DC 轉(zhuǎn)換器實(shí)施方案通常比同等集成方案效率更高,但集成解決方案具有以下優(yōu)點(diǎn):

電路板面積小

更容易

設(shè)計(jì)簡單

來自 Analog Devices 的 ADM3055E/ADM3057E 是 5 kV rms 和 3 kV rms 隔離式 CAN 收發(fā)器,帶有集成隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。


ADM3055E/ADM3057E 隔離式 CAN 收發(fā)器集成電源和信號(hào)隔離。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

故障的原因和隔離的必要性,CAN 總線故障可能由多種原因引起:子系統(tǒng)之間的接地電勢差;共模能量和輻射能量等一般噪聲源;以及配電總線上的高壓噪聲和尖峰。為確保汽車和工業(yè)系統(tǒng)中 CAN 總線互連器件的穩(wěn)健運(yùn)行,需要兩種隔離類型:

與電源總線隔離

連接各子系統(tǒng)的通信總線的隔離

與集成解決方案相比,電源和信號(hào)路徑單獨(dú)隔離的解決方案通常成本更低,效率更高。這些解決方案還使設(shè)計(jì)人員能夠獨(dú)立優(yōu)化兩條路徑的隔離電平。設(shè)計(jì)人員可自由選擇   適合具體應(yīng)用的隔離技術(shù)類型。選擇包括磁隔離、光隔離和電容隔離。

基本電氣絕緣(使用絕緣材料)與強(qiáng)化絕緣之間也有區(qū)別。所需的絕緣水平取決于所涉及的電壓電平,以及是否存在從可接觸部件到地面的連接。基本絕緣提供防電擊保護(hù)。

意法半導(dǎo)體 MDmesh™ II 功率 MOSFET 將垂直結(jié)構(gòu)與 STM 帶狀布局相結(jié)合,產(chǎn)生了業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,使其能適應(yīng)要求最高的高效轉(zhuǎn)換器。這些 MDmesh™ II 功率 MOSFET 完全絕緣,采用薄型封裝,加長了從引腳到散熱盤的爬電路徑。它們經(jīng) 100% 雪崩測試,輸入電容、柵極電荷及柵極輸入電阻低。

特性

完全絕緣和低輪廓封裝,增加爬電路徑從引腳到散熱器板

與上一代相比,RDS(on) x區(qū)域更低

100%雪崩測試

低輸入電容和柵電荷

Zener-protected

低柵輸入電阻

應(yīng)用

切換應(yīng)用程序

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:  技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220-3通道數(shù)量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:600 VId-連續(xù)漏極電流:13 A

NXP 的 TJA1052i 針對(duì)電動(dòng)和混合動(dòng)力車輛進(jìn)行了優(yōu)化。

TJA1052i 設(shè)計(jì)用于鋰離子 (Li-ion) 電池管理、再生制動(dòng)和 48 V 至 12 V 電平位移。該器件還可用于皮帶淘汰項(xiàng)目中高壓按需泵和電機(jī)的隔離。通過 AEC-Q100    的 TJA1052i 實(shí)現(xiàn)了 ISO 11898-2:2016 和 SAE J2284-1 至 SAE J2284-5 中定義的 CAN 物理層 (PHY)。提供三種隔離級(jí)別:1 千伏 (kV)、2.5 kV 和 5 kV。與 ISO1042 一樣,TJA1052i 也需要一個(gè)外部隔離電源。

集成電源和信號(hào)隔離解決方案

雖然分立 DC-DC 轉(zhuǎn)換器實(shí)施方案通常比同等集成方案效率更高,但集成解決方案具有以下優(yōu)點(diǎn):

電路板面積小

更容易

設(shè)計(jì)簡單

來自 Analog Devices 的 ADM3055E/ADM3057E 是 5 kV rms 和 3 kV rms 隔離式 CAN 收發(fā)器,帶有集成隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器


ADM3055E/ADM3057E 隔離式 CAN 收發(fā)器集成電源和信號(hào)隔離。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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