電源和信號(hào)分別隔離的分立解決方案

發(fā)布時(shí)間:2020/10/13 22:14:40 訪問次數(shù):1246

電壓大于 60 V DC 或 30 V AC 的系統(tǒng)視為危險(xiǎn)系統(tǒng)，需要至少保護(hù)。系統(tǒng)不一定具有故障保險(xiǎn)措施，但任何故障都將限制在系統(tǒng)內(nèi)。強(qiáng)化或雙重絕緣可提供兩級(jí)保護(hù)。這樣可以在發(fā)生故障時(shí)確保用戶的安全。接入市電電壓的系統(tǒng)要求具有強(qiáng)化絕緣。

隔離解決方案之間的設(shè)計(jì)權(quán)衡

CAN 總線系統(tǒng)中的隔離選項(xiàng)包括電源和信號(hào)分別隔離的分立解決方案，以及完全集成的電源和信號(hào)隔離解決方案。集成解決方案還可包括相關(guān)保護(hù)功能，如高靜電放電 (ESD) 魯棒性和射頻 (RF) 抗擾度，從而使其可以在汽車和工業(yè)應(yīng)用中使用，而無需額外的保護(hù)器件，例如瞬態(tài)電壓抑制器二極管。

在這些不同的解決方案選項(xiàng)之間存在尺寸與效率的性能權(quán)衡。就解決方案尺寸而言，單芯片解決方案是的，典型封裝約為 330 平方毫米 (mm2)。

制造商

Infineon Technologies

制造商零件編號(hào)

SPP11N65C3XKSA1

描述

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無限）

詳細(xì)描述通孔-N-溝道-650V-11A（Tc）-125W（Tc）-PG-TO220-3-1

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 650V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 11A

運(yùn)營商網(wǎng)絡(luò)需要支持網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，這就需要運(yùn)營商部署5G SA網(wǎng)絡(luò)。其次，app本身或者操作系統(tǒng)要知道這個(gè)app的數(shù)據(jù)應(yīng)該跑在哪一個(gè)網(wǎng)絡(luò)切片上。3GPP標(biāo)準(zhǔn)是如何規(guī)范app與網(wǎng)絡(luò)切片之間的關(guān)系的。在3GPP 5G協(xié)議中定義了一個(gè)URSP（用戶終端路由選擇策略）規(guī)則。

這個(gè)規(guī)則就描述了app與網(wǎng)絡(luò)切片之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。終端操作系統(tǒng)需要根據(jù)URSP規(guī)則，為app選擇一個(gè)網(wǎng)絡(luò)切片。URSP規(guī)則中有兩組重要的參數(shù)，一組是描述app屬性的Traffic Descriptor（通路描述符）參數(shù)，包含AppId、DNN（數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)名稱）、IP Descriptor（IP三元組），Domain Descriptor（域名描述符）、Connection Capabilities等參數(shù)。另一組是描述數(shù)據(jù)承載屬性的Route Selection Descriptor（路由選擇描述符），包含S-NSSAI（網(wǎng)絡(luò)切切片）、SSC Mode（會(huì)話與服務(wù)連續(xù)性模式）、DNN等參數(shù)。URSP規(guī)則其實(shí)就是多組Traffic Descriptor與Route Selection Descriptor的對(duì)應(yīng)關(guān)系。