內(nèi)部的智能溫度控制電路芯片
發(fā)布時(shí)間:2020/10/17 18:19:38 訪問次數(shù):775
芯片內(nèi)部的高精度電壓基準(zhǔn)源、誤差放大器和電阻分壓網(wǎng)絡(luò)確保電池端調(diào)制電壓的精度在1%以內(nèi),滿足鋰離子電池和鋰聚合物電池的要求。當(dāng)輸入電壓低于欠壓鎖定閾值電壓或者輸入電壓低于電池電壓時(shí),充電器進(jìn)入低功耗的睡眠模式,此時(shí)電池端消耗的電流小于 2uA。
TP4056 內(nèi)部的智能溫度控制電路在芯片的結(jié)溫超過125℃時(shí)自動(dòng)降低充電電流,這個(gè)功能可以使用戶最大限度的利用芯片的功率處理能力,不用擔(dān)心因?yàn)檫^熱而損壞芯片或者外部元器件。
用戶在設(shè)計(jì)充電電流時(shí),可以不用考慮最壞情況,而只是根據(jù)典型情況進(jìn)行設(shè)計(jì)因?yàn)樵谧顗那闆r下,TP4056會(huì)自動(dòng)減小充電電流。
如果將使能輸入端 CE接低電平,充電器停止充電。
最大充電電流:1A
無需 MOSFET、檢測(cè)電阻器和隔離二極管
智能熱調(diào)節(jié)功能可實(shí)現(xiàn)充電速率最大化
智能再充電功能
預(yù)充電壓:4.2V±1%
C/10 充電終止
待機(jī)電流 40uA
BAT 超低自耗電 1uA
2.9V 涓流充電閾值
單獨(dú)的充電、結(jié)束指示燈控制信號(hào)
封裝形式:SOP8(帶散熱底座)
施加較小的柵極電壓(Vgs
在導(dǎo)通狀態(tài)下,漏極電流(Ids)與漏極電壓(Vds)線性增加,直到(Vds = Vgs = Vdsat),之后漏極電流保持恒定。如果漏極電壓進(jìn)一步增加到該值(Vds > Vdsat),此時(shí)晶體管可能會(huì)產(chǎn)生其最大電流限制,該晶體管將處于飽和狀態(tài)。
舉例來說,如果你不停地消耗大量的食物,根據(jù)你的體力限制,你能做的工作是有最大限度的,也就是說,你消耗再多的食物都被認(rèn)為是浪費(fèi)了。晶體管也受到它的物理限制,如它的特征尺寸(W和L)和它的摻雜水平(它所包含的雜質(zhì)數(shù)量)的限制。
芯片內(nèi)部的高精度電壓基準(zhǔn)源、誤差放大器和電阻分壓網(wǎng)絡(luò)確保電池端調(diào)制電壓的精度在1%以內(nèi),滿足鋰離子電池和鋰聚合物電池的要求。當(dāng)輸入電壓低于欠壓鎖定閾值電壓或者輸入電壓低于電池電壓時(shí),充電器進(jìn)入低功耗的睡眠模式,此時(shí)電池端消耗的電流小于 2uA。
TP4056 內(nèi)部的智能溫度控制電路在芯片的結(jié)溫超過125℃時(shí)自動(dòng)降低充電電流,這個(gè)功能可以使用戶最大限度的利用芯片的功率處理能力,不用擔(dān)心因?yàn)檫^熱而損壞芯片或者外部元器件。
用戶在設(shè)計(jì)充電電流時(shí),可以不用考慮最壞情況,而只是根據(jù)典型情況進(jìn)行設(shè)計(jì)因?yàn)樵谧顗那闆r下,TP4056會(huì)自動(dòng)減小充電電流。
如果將使能輸入端 CE接低電平,充電器停止充電。
最大充電電流:1A
無需 MOSFET、檢測(cè)電阻器和隔離二極管
智能熱調(diào)節(jié)功能可實(shí)現(xiàn)充電速率最大化
智能再充電功能
預(yù)充電壓:4.2V±1%
C/10 充電終止
待機(jī)電流 40uA
BAT 超低自耗電 1uA
2.9V 涓流充電閾值
單獨(dú)的充電、結(jié)束指示燈控制信號(hào)
封裝形式:SOP8(帶散熱底座)
施加較小的柵極電壓(Vgs
在導(dǎo)通狀態(tài)下,漏極電流(Ids)與漏極電壓(Vds)線性增加,直到(Vds = Vgs = Vdsat),之后漏極電流保持恒定。如果漏極電壓進(jìn)一步增加到該值(Vds > Vdsat),此時(shí)晶體管可能會(huì)產(chǎn)生其最大電流限制,該晶體管將處于飽和狀態(tài)。
舉例來說,如果你不停地消耗大量的食物,根據(jù)你的體力限制,你能做的工作是有最大限度的,也就是說,你消耗再多的食物都被認(rèn)為是浪費(fèi)了。晶體管也受到它的物理限制,如它的特征尺寸(W和L)和它的摻雜水平(它所包含的雜質(zhì)數(shù)量)的限制。
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