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開關(guān)直流轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器

發(fā)布時間:2020/10/17 18:20:06 訪問次數(shù):593

Texas Instruments電源管理解決方案范圍涵蓋標(biāo)準(zhǔn)IC至集成解決方案,其中包括電源模塊、數(shù)字電源、電池管理。TI廣泛的產(chǎn)品選擇涵蓋隔離式交流/直流和直流/直流電源控制器以及非隔離式穩(wěn)壓器,如開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器。利用TI廣泛的電源管理產(chǎn)品組合、設(shè)計工具和支持資源,您可以構(gòu)建創(chuàng)新、高效且經(jīng)濟(jì)的解決方案

產(chǎn)品種類:開關(guān)穩(wěn)壓器RoHS:  安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WSON-12輸出電壓:2 V to 60 V輸出電流:1.5 A輸出端數(shù)量:1 Output最大輸入電壓:65 V拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Buck最小輸入電壓:4.5 V開關(guān)頻率:1 MHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel高度:0.8 mm 輸入電壓:4.5 V to 65 V 長度:4 mm 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C 類型:Synchronous Buck/Fly-Buck Converter 寬度:4 mm 商標(biāo):Texas Instruments 關(guān)閉:Shutdown 工作電源電流:2.3 mA 產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators


通常情況下,Vt隨著通道長度的增加而增加,但當(dāng)施加Vds時,由于耗盡區(qū)的存在,通道長度會減少,因此,會造成所謂的Vsb滾落(減少)。 泄漏當(dāng)晶體管截止時,假定漏-源電流為零。實(shí)際上,由于亞閾值導(dǎo)通和結(jié)泄漏,它們會泄漏少量電流。

對于亞閾值泄漏,假定當(dāng)V gs IV-特性曲線表示的指數(shù)下降DS在VGS

溫度也是一個巨大的非理想性機(jī)制,因?yàn)樗饕绊懙狡駷橹褂懻摰钠渌抢硐胄。亞閾值泄漏隨溫度增加。閾值電壓(Vt)也會隨著溫度的升高而降低,這使其易于受到DIBL和亞閾值導(dǎo)通的影響。一般來說,它更適合在低溫下工作,因?yàn)樗茱@著降低速度飽和和遷移率降低。

幾何依賴性Layout設(shè)計人員通常繪制具有一定溝道長度(Ldrawn)和寬度(Wdrawn)的晶體管。但實(shí)際的柵極/溝道長度尺寸可能會因制造工藝的不同而有所偏離。這將導(dǎo)致晶體管的尺寸小于/多于預(yù)期的尺寸,因此它將影響閾值電壓和有效溝道長度和速度飽和效應(yīng),這可能會導(dǎo)致一些非理想性,如前文所述。這種非理想性的模型如下所示;LD 和WD取決于制造過程。


(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Texas Instruments電源管理解決方案范圍涵蓋標(biāo)準(zhǔn)IC至集成解決方案,其中包括電源模塊、數(shù)字電源、電池管理。TI廣泛的產(chǎn)品選擇涵蓋隔離式交流/直流和直流/直流電源控制器以及非隔離式穩(wěn)壓器,如開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器。利用TI廣泛的電源管理產(chǎn)品組合、設(shè)計工具和支持資源,您可以構(gòu)建創(chuàng)新、高效且經(jīng)濟(jì)的解決方案

產(chǎn)品種類:開關(guān)穩(wěn)壓器RoHS:  安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WSON-12輸出電壓:2 V to 60 V輸出電流:1.5 A輸出端數(shù)量:1 Output最大輸入電壓:65 V拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Buck最小輸入電壓:4.5 V開關(guān)頻率:1 MHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel高度:0.8 mm 輸入電壓:4.5 V to 65 V 長度:4 mm 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C 類型:Synchronous Buck/Fly-Buck Converter 寬度:4 mm 商標(biāo):Texas Instruments 關(guān)閉:Shutdown 工作電源電流:2.3 mA 產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators


通常情況下,Vt隨著通道長度的增加而增加,但當(dāng)施加Vds時,由于耗盡區(qū)的存在,通道長度會減少,因此,會造成所謂的Vsb滾落(減少)。 泄漏當(dāng)晶體管截止時,假定漏-源電流為零。實(shí)際上,由于亞閾值導(dǎo)通和結(jié)泄漏,它們會泄漏少量電流。

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幾何依賴性Layout設(shè)計人員通常繪制具有一定溝道長度(Ldrawn)和寬度(Wdrawn)的晶體管。但實(shí)際的柵極/溝道長度尺寸可能會因制造工藝的不同而有所偏離。這將導(dǎo)致晶體管的尺寸小于/多于預(yù)期的尺寸,因此它將影響閾值電壓和有效溝道長度和速度飽和效應(yīng),這可能會導(dǎo)致一些非理想性,如前文所述。這種非理想性的模型如下所示;LD 和WD取決于制造過程。


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