材料既模擬純氫超導(dǎo)相而且可以在更低壓力下實(shí)現(xiàn)金屬化

發(fā)布時(shí)間:2023/4/19 23:43:49 訪問(wèn)次數(shù):148

現(xiàn)在我們生活在一個(gè)半導(dǎo)體社會(huì)，有了這種技術(shù)，我們就將進(jìn)入一個(gè)超導(dǎo)社會(huì)，你將不再需要電池之類(lèi)的東西。

金剛石壓腔所產(chǎn)生的超導(dǎo)材料的量是用“皮升”（picoliter，縮寫(xiě)為pL）來(lái)測(cè)量的，1皮升為1升的萬(wàn)億分之一，大約是打印機(jī)單個(gè)噴墨墨滴的大小。

下一個(gè)挑戰(zhàn)是找到在較低壓力下制造室溫超導(dǎo)材料的方法，這樣就可以節(jié)省成本并提高產(chǎn)量。與金剛石壓腔內(nèi)產(chǎn)生的數(shù)千億帕壓力相比，海平面上地球的大氣壓（即標(biāo)準(zhǔn)大氣壓）只有101325帕。

制造商

ON Semiconductor

制造商零件編號(hào)

NB3N551DR2G

描述

IC CLK BUFFER 1:4 180MHZ 8SOIC

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無(wú)限）

詳細(xì)描述 Clock-扇出緩沖器（分配）-IC-1：4-180MHz-8-SOIC（0.154"-3.90mm-寬）

類(lèi)型扇出緩沖器（分配）

電路數(shù) 1

比率 - 輸入:輸出 1：4

差分 - 輸入:輸出無(wú)/無(wú)

輸入 LVCMOS，LVTTL

輸出 LVCMOS，LVTTL

頻率 - 最大值 180MHz

電壓 - 電源 3V ~ 5.5V

工作溫度 -40°C ~ 85°C

安裝類(lèi)型表面貼裝

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC

“范式轉(zhuǎn)變”在羅徹斯特大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室里，迪亞斯在研究方法上追求一種“范式轉(zhuǎn)變”，即使用一種替代性的富氫材料，這種材料既模擬了純氫的超導(dǎo)相，而且可以在更低的壓力下實(shí)現(xiàn)金屬化。

研究人員在實(shí)驗(yàn)室中結(jié)合了釔和氫。由此產(chǎn)生的超氫化釔表現(xiàn)出了超導(dǎo)電性，當(dāng)時(shí)的溫度約為零下11.1攝氏度，壓力約為1790億帕。

研究人員對(duì)共價(jià)富氫有機(jī)物衍生材料進(jìn)行了探索。通過(guò)加入第三種元素——碳，可以使臨界溫度提得更高，因?yàn)樘寄芘c鄰近原子形成很強(qiáng)的化學(xué)鍵。最終，這項(xiàng)工作的成果便是一種簡(jiǎn)單的碳質(zhì)硫氫化物，可以將實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)的溫度提高到15攝氏度。碳的存在在這里也同樣重要。對(duì)這一元素組合進(jìn)行進(jìn)一步的“成分調(diào)整”，可能是在更高溫度下實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)性的關(guān)鍵。