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新型柵極驅(qū)動器高頻開關(guān)電源應(yīng)用

發(fā)布時間:2020/10/24 13:02:55 訪問次數(shù):828

UCC21520的主要特性和優(yōu)勢:

功率密度更高,尺寸更小:UCC21520的4A源電流與6A灌電流使得高頻開關(guān)電源應(yīng)用1.8nF負載上升時間和下降時間加快為6ns和7ns,從而降低開關(guān)損耗。

魯棒隔離:UCC21520的浪涌防護經(jīng)測試高達12.8 kV,噪聲抗擾度超過100 V/ns。此新型柵極驅(qū)動器能夠防止數(shù)據(jù)中心、工廠和其他高壓環(huán)境中終端設(shè)備經(jīng)常遇到的狀況。

靈活性:UCC21520擁有3V至18V寬范的輸入電壓范圍、可編程死區(qū)時間控制以及雙通道和并行輸出,能為設(shè)計師提供適用于多種應(yīng)用的單個靈活元件。

低功耗:UCC21520的待機電流低至每個通道1mA,可提高用電效率。

完整的電源管理設(shè)計,使系統(tǒng)性能最大化

制造商:英飛凌Infineon/EUPEC

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

品質(zhì):全新原裝

電壓:1200 V

電流:600A

工作溫度:145C

FZ600R12KS4 模塊性能:

絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)

動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

Cortex-A73 最受關(guān)注的特性在于其以最小的面積發(fā)揮了ARMv8-A 架構(gòu)高端處理器的卓越性能,為日益崛起的中端智能手機市場保駕護航;并以中低成本實現(xiàn)最佳用戶體驗。得益于技術(shù)革新,相較于采用ARMv7-A架構(gòu)的Cortex-A15,全新Cortex-A73處理器面積更小。

相比Cortex-A57和Cortex-A72,Cortex-A73的面積分別縮小70% 和 42%。參照國際標準,Cortex-A73核心尺寸比Cortex-72最高減小25%。除了在16納米和10納米工藝等先進技術(shù)節(jié)點應(yīng)用中發(fā)揮作用,Cortex-A73 處理器在大眾市場28納米工藝技術(shù)節(jié)點上也大放異彩,大幅提高中端移動設(shè)備的性能。占用面積減少允許設(shè)備搭載更多芯片,集成更多功能或提升其它系統(tǒng)IP的性能,也可以減少中端移動設(shè)備的SoC及設(shè)備成本。

與八核Cortex-A53相比,Cortex-A73六核在性能上提升30%,單線程峰值性能提高了一倍,大幅提升用戶體驗。

(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

 

UCC21520的主要特性和優(yōu)勢:

功率密度更高,尺寸更。篣CC21520的4A源電流與6A灌電流使得高頻開關(guān)電源應(yīng)用1.8nF負載上升時間和下降時間加快為6ns和7ns,從而降低開關(guān)損耗。

魯棒隔離:UCC21520的浪涌防護經(jīng)測試高達12.8 kV,噪聲抗擾度超過100 V/ns。此新型柵極驅(qū)動器能夠防止數(shù)據(jù)中心、工廠和其他高壓環(huán)境中終端設(shè)備經(jīng)常遇到的狀況。

靈活性:UCC21520擁有3V至18V寬范的輸入電壓范圍、可編程死區(qū)時間控制以及雙通道和并行輸出,能為設(shè)計師提供適用于多種應(yīng)用的單個靈活元件。

低功耗:UCC21520的待機電流低至每個通道1mA,可提高用電效率。

完整的電源管理設(shè)計,使系統(tǒng)性能最大化

制造商:英飛凌Infineon/EUPEC

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

品質(zhì):全新原裝

電壓:1200 V

電流:600A

工作溫度:145C

FZ600R12KS4 模塊性能:

絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)

動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

Cortex-A73 最受關(guān)注的特性在于其以最小的面積發(fā)揮了ARMv8-A 架構(gòu)高端處理器的卓越性能,為日益崛起的中端智能手機市場保駕護航;并以中低成本實現(xiàn)最佳用戶體驗。得益于技術(shù)革新,相較于采用ARMv7-A架構(gòu)的Cortex-A15,全新Cortex-A73處理器面積更小。

相比Cortex-A57和Cortex-A72,Cortex-A73的面積分別縮小70% 和 42%。參照國際標準,Cortex-A73核心尺寸比Cortex-72最高減小25%。除了在16納米和10納米工藝等先進技術(shù)節(jié)點應(yīng)用中發(fā)揮作用,Cortex-A73 處理器在大眾市場28納米工藝技術(shù)節(jié)點上也大放異彩,大幅提高中端移動設(shè)備的性能。占用面積減少允許設(shè)備搭載更多芯片,集成更多功能或提升其它系統(tǒng)IP的性能,也可以減少中端移動設(shè)備的SoC及設(shè)備成本。

與八核Cortex-A53相比,Cortex-A73六核在性能上提升30%,單線程峰值性能提高了一倍,大幅提升用戶體驗。

(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

 

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