數(shù)字通道板卡和NI數(shù)字圖形向量編輯器
發(fā)布時(shí)間:2020/10/24 12:56:02 訪問次數(shù):1078
NI PXle-6570基于圖形向量的數(shù)字通道板卡和NI數(shù)字圖形向量編輯器。 該產(chǎn)品將射頻集成電路、電源管理IC、微機(jī)電(MEMS)系統(tǒng)設(shè)備以及混合信號(hào)IC的制造商從傳統(tǒng)半導(dǎo)體自動(dòng)化測試設(shè)備(ATE)的封閉式架構(gòu)中解放出來。
傳統(tǒng)ATE的測試覆蓋率通常無法滿足最新半導(dǎo)體設(shè)備的要求。通過將半導(dǎo)體行業(yè)成熟的數(shù)字測試模式引入到基于PXI開放平臺(tái)的半導(dǎo)體測試系統(tǒng)(STS)中,并使用功能強(qiáng)大且人性化的編輯器和調(diào)試器進(jìn)行優(yōu)化,用戶可以利用先進(jìn)的PXI儀器來降低射頻和模擬IC的測試成本并提高吞吐量。
PXI數(shù)字模式儀器為半導(dǎo)體工程師提供所有高端數(shù)字測試平臺(tái)才具備的數(shù)字性能,因此它的問世無疑是為STS錦上添花,如果生產(chǎn)車間的PXI具備這個(gè)功能,他們就可以在滿足先進(jìn)器件的成本和測試要求的同時(shí),輕松將其擴(kuò)展到其他產(chǎn)品的測試上。

特性
使用一個(gè)外接電阻,電流可從10mA to 400mA 可調(diào)通過外接NMOS 或 NPN 三極管,電壓可擴(kuò)
展至400V以上,電流可擴(kuò)展到3.0A。
電源電壓: 2.7-6V
可低壓差輸出:100mV@350mA
極小的靜態(tài)電流:250uA
過熱保護(hù)
軟啟動(dòng)
低壓保護(hù):2.5V
SOT-89-5 封裝
應(yīng)用
LED 照明驅(qū)動(dòng)
0.18微米雙極-互補(bǔ)-擴(kuò)散金氧半導(dǎo)體Bipolar CMOS DMOS (BCD) 制程技術(shù)平臺(tái)已通過業(yè)界最嚴(yán)格的AEC-Q100 Grade-0 車用電子硅芯片驗(yàn)證。該制程方案包含符合車用標(biāo)準(zhǔn)的FDK及硅智財(cái)解決方案,可用于車用電子之應(yīng)用芯片如電源管理芯片進(jìn)行量產(chǎn)。
成功通過車規(guī)驗(yàn)證之制程方案后,聯(lián)華電子所制造的車用電子芯片即可滿足用于高溫環(huán)境下高可靠性車輛應(yīng)用最嚴(yán)格的需求。這是繼成功量產(chǎn)AEC-Q100 Grade-1規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品后,再創(chuàng)另一技術(shù)發(fā)展的新里程碑。
車用電子的硅芯片含量,隨著包括先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、信息娛樂系統(tǒng)及導(dǎo)航系統(tǒng)等電子組件持續(xù)演進(jìn)而急遽攀升。大眾近來對(duì)于排放減量與能源效率有更高的期待,進(jìn)而推升更先進(jìn)的電源電子科技與組件的需求。
NI le-6570基于圖形向量的數(shù)字通道板卡和NI數(shù)字圖形向量編輯器。 該產(chǎn)品將射頻集成電路、電源管理IC、微機(jī)電(MEMS)系統(tǒng)設(shè)備以及混合信號(hào)IC的制造商從傳統(tǒng)半導(dǎo)體自動(dòng)化測試設(shè)備(ATE)的封閉式架構(gòu)中解放出來。
傳統(tǒng)ATE的測試覆蓋率通常無法滿足最新半導(dǎo)體設(shè)備的要求。通過將半導(dǎo)體行業(yè)成熟的數(shù)字測試模式引入到基于I開放平臺(tái)的半導(dǎo)體測試系統(tǒng)(STS)中,并使用功能強(qiáng)大且人性化的編輯器和調(diào)試器進(jìn)行優(yōu)化,用戶可以利用先進(jìn)的I儀器來降低射頻和模擬IC的測試成本并提高吞吐量。
I數(shù)字模式儀器為半導(dǎo)體工程師提供所有高端數(shù)字測試平臺(tái)才具備的數(shù)字性能,因此它的問世無疑是為STS錦上添花,如果生產(chǎn)車間的I具備這個(gè)功能,他們就可以在滿足先進(jìn)器件的成本和測試要求的同時(shí),輕松將其擴(kuò)展到其他產(chǎn)品的測試上。

特性
使用一個(gè)外接電阻,電流可從10mA to 400mA 可調(diào)通過外接NMOS 或 NPN 三極管,電壓可擴(kuò)
展至400V以上,電流可擴(kuò)展到3.0A。
電源電壓: 2.7-6V
可低壓差輸出:100mV@350mA
極小的靜態(tài)電流:250uA
過熱保護(hù)
軟啟動(dòng)
低壓保護(hù):2.5V
SOT-89-5 封裝
應(yīng)用
LED 照明驅(qū)動(dòng)
0.18微米雙極-互補(bǔ)-擴(kuò)散金氧半導(dǎo)體Bipolar CMOS DMOS (BCD) 制程技術(shù)平臺(tái)已通過業(yè)界最嚴(yán)格的AEC-Q100 Grade-0 車用電子硅芯片驗(yàn)證。該制程方案包含符合車用標(biāo)準(zhǔn)的FDK及硅智財(cái)解決方案,可用于車用電子之應(yīng)用芯片如電源管理芯片進(jìn)行量產(chǎn)。
成功通過車規(guī)驗(yàn)證之制程方案后,聯(lián)華電子所制造的車用電子芯片即可滿足用于高溫環(huán)境下高可靠性車輛應(yīng)用最嚴(yán)格的需求。這是繼成功量產(chǎn)AEC-Q100 Grade-1規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品后,再創(chuàng)另一技術(shù)發(fā)展的新里程碑。
車用電子的硅芯片含量,隨著包括先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、信息娛樂系統(tǒng)及導(dǎo)航系統(tǒng)等電子組件持續(xù)演進(jìn)而急遽攀升。大眾近來對(duì)于排放減量與能源效率有更高的期待,進(jìn)而推升更先進(jìn)的電源電子科技與組件的需求。
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