渦流檢測和紅外熱成像技術(shù)無損檢測方法

發(fā)布時(shí)間:2020/10/31 7:29:49 訪問次數(shù):1593

英飛凌 N 溝道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 是同類領(lǐng)先的功率 MOSFET，實(shí)現(xiàn)最高功率密度和能效的解決方案。超低的柵極和輸出電荷、加上最低的導(dǎo)通電阻和小尺寸封裝，使英飛凌 N 溝道 OptiMOS 功率 MOSFET 成為滿足服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信、電信應(yīng)用穩(wěn)壓器解決方案嚴(yán)苛要求的理想選擇。

超快開關(guān)控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于設(shè)計(jì)導(dǎo)入（design in）的解決方案。英飛凌 N 溝道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 提供優(yōu)秀的柵極電荷，最適合直流-直流轉(zhuǎn)換。

OptiMOS™ 產(chǎn)品提供高性能封裝，可用于最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，充分靈活地優(yōu)化空間、效率和成本。OptiMOS™ 產(chǎn)品經(jīng)設(shè)計(jì)符合并超過計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。

TensorFlowAI框架能夠更早、更準(zhǔn)確地檢測電機(jī)系統(tǒng)中潛在的不良異常，以幫助用戶改善預(yù)測性維護(hù)流程、降低維護(hù)成本。

RA6T1產(chǎn)品群的關(guān)鍵特性

120MHzArmCortex-M4內(nèi)核，內(nèi)置浮點(diǎn)運(yùn)算單元

提供64引腳至100引腳LQFP封裝

64KBRAM，并提供256KB至512KB閃存

具有先進(jìn)功能的32位PWM計(jì)時(shí)器，包括支持7種互補(bǔ)PWM模式的載波生成

與電機(jī)控制解決方案組合使用時(shí)，采樣周期為250μs

高速12位ADC，最高速度為0.4μs，并具有采樣/保持功能，允許同時(shí)采集三分流電流

6通道可編程增益放大器

支持IEC60730的家用電器功能安全標(biāo)準(zhǔn)

脈沖渦流熱成像是一種將渦流檢測和紅外熱成像技術(shù)相結(jié)合的新型無損檢測方法，具有非接觸、檢測范圍大、熱圖顯示直觀、感應(yīng)熱激勵(lì)效率高等優(yōu)點(diǎn)。目前的研究主要關(guān)注熱成像、熱激勵(lì)、熱圖分析三個(gè)方面。其中熱激勵(lì)作為關(guān)鍵技術(shù)之一，大多數(shù)研究直接采用商業(yè)感應(yīng)加熱電源，這些電源存在加熱效率低和均勻性差等問題。

鋰電池作為常見的的能量存儲器件，其單體輸出功率低、電壓小。鋰電池單獨(dú)供電時(shí)，提升其功率、電壓時(shí)需要更多的單體；因此兼顧功率輸出、能量儲存與系統(tǒng)體積重量是便攜式脈沖渦流熱成像電源亟待解決的問題。為此，設(shè)計(jì)一種結(jié)合鋰電池與超級電容的便攜式電源，合理有效地實(shí)現(xiàn)了脈沖渦流熱成像技術(shù)應(yīng)用于現(xiàn)場檢測。