家電、樓宇和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備日趨智能和復(fù)雜，制造商努力控制不斷上漲的BOM成本，以滿足日益增長(zhǎng)的電機(jī)性能需求。RA6T1MCU將基于Arm架構(gòu)RA產(chǎn)品家族的卓越性能和靈活性，與瑞薩長(zhǎng)期以來(lái)的電機(jī)控制專長(zhǎng)充分融合。設(shè)備AI化的需求不斷增長(zhǎng)，瑞薩很高興能借助RA6T1電機(jī)控制和預(yù)測(cè)性維護(hù)解決方案來(lái)補(bǔ)充GoogleTensorFlowLite平臺(tái)。

行業(yè)向‘維護(hù)4.0（Maintenance4.0）的邁進(jìn)，AI和機(jī)器學(xué)習(xí)正在將預(yù)測(cè)性維護(hù)提升到一個(gè)全新水平。我們很高興能與瑞薩合作，加速智能家居和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的普及，將我們的開源TensorFlowAI框架與瑞薩強(qiáng)大的RA6T1MCU集成，助力電機(jī)控制設(shè)備智能化實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展。

全新RA6T132位MCU基于ArmCortex-M4內(nèi)核，工作頻率為120MHz，具備針對(duì)高性能和高精度電機(jī)控制進(jìn)行優(yōu)化的豐富外設(shè)。集成了高速模擬技術(shù)的外設(shè)功能，在提升電機(jī)控制性能的同時(shí)顯著降低BOM成本。

產(chǎn)品種類:8位微控制器 -MCURoHS:  安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:PDIP-40系列:核心:數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit最大時(shí)鐘頻率:20 MHz程序存儲(chǔ)器大小:8 kB數(shù)據(jù) RAM 大小:368 BADC分辨率:10 bit輸入/輸出端數(shù)量:33 I/O工作電源電壓:4 V to 5.5 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C接口類型:I2C, SPI, USART封裝:Tube高度:3.81 mm 長(zhǎng)度:52.26 mm 產(chǎn)品:MCU 程序存儲(chǔ)器類型:Flash 寬度:13.84 mm 商標(biāo):Microchip Technology 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 數(shù)據(jù) ROM 大小:256 B 數(shù)據(jù) Rom 類型:EEPROM ADC通道數(shù)量:8 計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:3 Timer 處理器系列:PIC16 產(chǎn)品類型:8-bit Microcontrollers - MCU 10 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4 V 商標(biāo)名: 單位重量:6 g

脈沖渦流熱成像激勵(lì)電源的研究。王曉娜等人引入U(xiǎn)型聚磁線圈的整套激勵(lì)裝置，通過(guò)有限元仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證有聚磁線圈的激勵(lì)比無(wú)聚磁線圈的激勵(lì)具有更高的能量傳遞效率和更佳的均勻性。

為克服單路激勵(lì)存在對(duì)裂紋方向依耐性強(qiáng)和檢測(cè)靈敏度，提出一種雙路正交激勵(lì)電源系統(tǒng)。針對(duì)于傳統(tǒng)高頻感應(yīng)加熱電源中諧振頻率搜索慢、頻帶窄，提出一種基于改進(jìn)型全數(shù)字頻率跟蹤技術(shù)的高頻感應(yīng)加熱電源。

電源雖然改善了商業(yè)電源存在的問(wèn)題，但這些電源采用大型變壓器整流供電或直接采用直流電源供電，存在著體積重量大、不便移動(dòng)等問(wèn)題。現(xiàn)代便攜式設(shè)備通常有鋰電池供電和外接電源兩種供電方式。對(duì)于一些船舶、大橋等戶外檢測(cè)場(chǎng)景，由鋰電池供電的便攜式脈沖激勵(lì)電源系統(tǒng)顯得尤為重要。

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