充放電的次數(shù)增加，其惡化程度會(huì)進(jìn)一步加劇，循環(huán)壽命相比未配組的單體電池大幅下降。對(duì)鋰離子電池的自放電率進(jìn)行深入研究是電池生產(chǎn)的迫切需要。

電池的自放電現(xiàn)象是指電池處于開路擱置時(shí)，其容量自發(fā)損耗的現(xiàn)象，也稱為荷電保持能力。自放電一般可分為兩種 ：可逆自放電和不可逆自放電。損失容量能夠可逆得到補(bǔ)償?shù)臑榭赡孀苑烹�，其原理跟電池正常放電反�?yīng)相似。

損失容量無法得到補(bǔ)償?shù)淖苑烹姙椴豢赡孀苑烹�，其主要原因是電池�?nèi)部發(fā)生了不可逆反應(yīng) ，包括正極與電解液反應(yīng)、負(fù)極與電解液反應(yīng)、電解液自帶雜質(zhì)引起的反應(yīng)，以及制成時(shí)所攜帶雜質(zhì)造成的微短路引起的不可逆反應(yīng)等。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

閃存結(jié)合了EPROM的高密度和EEPROM結(jié)構(gòu)的變通性的優(yōu)點(diǎn)。

EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過特殊手段擦去，然后重新寫入。其基本單元電路如下圖所示。常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡(jiǎn)稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長(zhǎng)出兩個(gè)高濃度的P型區(qū)，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個(gè)多晶硅柵極浮空在絕緣層中，與四周無直接電氣聯(lián)接。

正極材料、負(fù)極材料、電解液和存儲(chǔ)環(huán)境等對(duì)鋰離子電池自放電率的影響。同時(shí)介紹了目前常用的傳統(tǒng)鋰電池自放電率的測(cè)量方法和新型自放電率快速測(cè)量方法。

鋰離子電池自放電反應(yīng)不可避免，其存在不僅導(dǎo)致電池本身容量的減少，還嚴(yán)重影響電池的配組及循環(huán)壽命。鋰離子電池的自放電率一般為每月2%～5%，可以完全滿足單體電池的使用要求。

單體鋰電池一旦組裝成模塊后，因各個(gè)單體鋰電池的特性不是完全一致，故每次充放電后，各單體鋰電池的端電壓不可能達(dá)到完全一致 ，從而會(huì)在鋰電池模塊中出現(xiàn)過充或者過放的單體電池，單體鋰電池性能就會(huì)產(chǎn)生惡化。

正極材料的影響主要是正極材料過渡金屬及雜質(zhì)在負(fù)極析出導(dǎo)致內(nèi)短路，從而增加鋰電池的自放電。

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