降壓穩(wěn)壓器和LDO的主控制器
發(fā)布時(shí)間:2020/10/2 19:50:26 訪問(wèn)次數(shù):2975
電源管理IC的通道1直接連接到最大40V的電源電壓,用作次級(jí)同步降壓穩(wěn)壓器和LDO的主控制器。為了增加電路設(shè)計(jì)的靈活性,可以將兩個(gè)次級(jí)穩(wěn)壓器之一切換到LDO模式。每個(gè)控制器都有自己的電源良好(power-good)引腳和使能輸入,從而可以在系統(tǒng)上電階段精確地控制輸出電壓。 NJW4750可以通過(guò)外部同步輸入或內(nèi)部振蕩器進(jìn)行控制,該振蕩器的頻率范圍為280kHz至2.4MHz,可以使用緊湊型線圈。
在-40°C至125°C溫度范圍內(nèi),NJW4750非常適合在最大40V輸入電壓下生成3.3V電源,以及2.8V(LDO)、1.8V(通道2)和1.2V(通道3)的導(dǎo)出電壓。
電源管理IC的應(yīng)用包括工業(yè)控制、相機(jī)系統(tǒng)、IoT板、光電傳感器、單板控制器,尤其適合用于緊湊型外設(shè)和傳感器。

短路保護(hù)的設(shè)計(jì)。分為SW引腳的短路,以及輸出電壓的短路。保護(hù)芯片的時(shí)間,等于檢測(cè)出過(guò)電流的時(shí)間加上關(guān)斷芯片的時(shí)間,而這個(gè)時(shí)間如果大于20納秒的話,芯片就有被破壞的風(fēng)險(xiǎn),所以必須在這樣異常的條件下,去設(shè)計(jì)芯片的一個(gè)保護(hù)的機(jī)制,以保證芯片不會(huì)被破壞。羅姆也對(duì)此款芯片進(jìn)行了破壞性的實(shí)驗(yàn),無(wú)論是輸出短路,還是SW引腳的短路,芯片都不會(huì)被破壞,它很好的使開關(guān)進(jìn)行關(guān)斷,實(shí)現(xiàn)了芯片保護(hù)。
焊料潤(rùn)濕性非常優(yōu)異的一個(gè)QFN4×4的封裝,它使得貼裝的良率更加的提高。這款“BD9V100MUF-C”目前可以提供樣品,計(jì)劃在今年年底會(huì)開始量產(chǎn),預(yù)計(jì)今年也會(huì)推出面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一些產(chǎn)品。

高功率密度。是在更小的面積或是在既有面積不變的情況下,提供更高的功率。
低EMI(電磁干擾)。盡量減少對(duì)其他系統(tǒng)組件的干擾,并簡(jiǎn)化工程師的設(shè)計(jì)和鑒定流程。這是所有工程師都非常感興趣的一點(diǎn)。
低IQ。延長(zhǎng)電池壽命與儲(chǔ)存時(shí)間、實(shí)現(xiàn)更多功能。
低噪度、高精度。衡量在一個(gè)器件、設(shè)計(jì)或本身的產(chǎn)品中不對(duì)其他系統(tǒng)或其他模塊產(chǎn)生干擾的指標(biāo),通過(guò)降低或轉(zhuǎn)移噪聲可簡(jiǎn)化電源鏈并提高精密模擬應(yīng)用的可靠性。
隔離。未來(lái)前沿的電動(dòng)車系統(tǒng)中,通常高壓和低壓系統(tǒng)同時(shí)存在,因此一個(gè)器件如何在非常嚴(yán)苛的環(huán)境下避免被其他系統(tǒng)或模塊干擾,是隔離指標(biāo)對(duì)產(chǎn)品所產(chǎn)生的幫助。
(素材來(lái)源:chinaaet.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
電源管理IC的通道1直接連接到最大40V的電源電壓,用作次級(jí)同步降壓穩(wěn)壓器和LDO的主控制器。為了增加電路設(shè)計(jì)的靈活性,可以將兩個(gè)次級(jí)穩(wěn)壓器之一切換到LDO模式。每個(gè)控制器都有自己的電源良好(power-good)引腳和使能輸入,從而可以在系統(tǒng)上電階段精確地控制輸出電壓。 NJW4750可以通過(guò)外部同步輸入或內(nèi)部振蕩器進(jìn)行控制,該振蕩器的頻率范圍為280kHz至2.4MHz,可以使用緊湊型線圈。
在-40°C至125°C溫度范圍內(nèi),NJW4750非常適合在最大40V輸入電壓下生成3.3V電源,以及2.8V(LDO)、1.8V(通道2)和1.2V(通道3)的導(dǎo)出電壓。
電源管理IC的應(yīng)用包括工業(yè)控制、相機(jī)系統(tǒng)、IoT板、光電傳感器、單板控制器,尤其適合用于緊湊型外設(shè)和傳感器。

短路保護(hù)的設(shè)計(jì)。分為SW引腳的短路,以及輸出電壓的短路。保護(hù)芯片的時(shí)間,等于檢測(cè)出過(guò)電流的時(shí)間加上關(guān)斷芯片的時(shí)間,而這個(gè)時(shí)間如果大于20納秒的話,芯片就有被破壞的風(fēng)險(xiǎn),所以必須在這樣異常的條件下,去設(shè)計(jì)芯片的一個(gè)保護(hù)的機(jī)制,以保證芯片不會(huì)被破壞。羅姆也對(duì)此款芯片進(jìn)行了破壞性的實(shí)驗(yàn),無(wú)論是輸出短路,還是SW引腳的短路,芯片都不會(huì)被破壞,它很好的使開關(guān)進(jìn)行關(guān)斷,實(shí)現(xiàn)了芯片保護(hù)。
焊料潤(rùn)濕性非常優(yōu)異的一個(gè)QFN4×4的封裝,它使得貼裝的良率更加的提高。這款“BD9V100MUF-C”目前可以提供樣品,計(jì)劃在今年年底會(huì)開始量產(chǎn),預(yù)計(jì)今年也會(huì)推出面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一些產(chǎn)品。

高功率密度。是在更小的面積或是在既有面積不變的情況下,提供更高的功率。
低EMI(電磁干擾)。盡量減少對(duì)其他系統(tǒng)組件的干擾,并簡(jiǎn)化工程師的設(shè)計(jì)和鑒定流程。這是所有工程師都非常感興趣的一點(diǎn)。
低IQ。延長(zhǎng)電池壽命與儲(chǔ)存時(shí)間、實(shí)現(xiàn)更多功能。
低噪度、高精度。衡量在一個(gè)器件、設(shè)計(jì)或本身的產(chǎn)品中不對(duì)其他系統(tǒng)或其他模塊產(chǎn)生干擾的指標(biāo),通過(guò)降低或轉(zhuǎn)移噪聲可簡(jiǎn)化電源鏈并提高精密模擬應(yīng)用的可靠性。
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