NPN 雙極型晶體管 Q1 是最重要的組件。筆者首先選擇了這種器件。該晶體管應(yīng)符合下列要求：

集電極至發(fā)射極和基極至發(fā)射極的擊穿電壓應(yīng)超過最高輸入電壓 Vin_max。

集電極最大允許電流應(yīng)超過最大負(fù)載電流 Io_max。

除了這兩項基本要求之外，使用具有備選封裝的組件也是一個好主意。當(dāng)涉及到功耗時，擁有這種靈活性將會簡化以后的設(shè)計過程。具有備選封裝和不同額定功率的 NPN 晶體管。

所用 NPN 晶體管的關(guān)鍵特性。

當(dāng) IC = 50mA 時：

直流(DC)電流增益 hFE = 60;

集電極 - 發(fā)射極最高飽和電壓 VCEsat = 300mV;

基極 - 發(fā)射極最高飽和電壓 VBEsat = 950mV。

齊納二極管 Dz 的選擇

輸出電壓等于反向齊納電壓 VZ 減去該晶體管基極至發(fā)射極電壓 VBE。最低反向齊納電壓應(yīng)符合下述要求。

晶體管 Q1 而言，因為有限流電阻器 RC，所以在短路事件中不會發(fā)生最壞情況下的功耗。在正常運(yùn)行期間 Q1 的功耗是集電極電流的函數(shù).

當(dāng)滿足下列條件時，會發(fā)生最壞的情況：

VIN = VIN_max

VO = VO_min

IC = (VIN_max – VO_min)/(2×RC)

Q1 的最大功耗為(VIN_max – VO_min)2/(4×RC)。在本示例中，它是 110mW。筆者選擇了一種額定功率為 350mW、采用 SOT23 封裝的小外形晶體管。

至于 RB 的最大功耗，在具有最大輸入的短路事件中會發(fā)生最壞的情況。跨 RB 的電壓等于輸入電壓減去 VBE(sat)。最大功耗估計為 38mW。

可編程為 18kΩ或 180kΩ的內(nèi)部上拉電阻，一次自動偏置一個熱敏電阻。上拉電阻器在出廠調(diào)試期間進(jìn)行測量，其值以數(shù)字方式存儲在器件中，用于溫度計算。

電壓 ADC 以 REG18 電壓為基準(zhǔn)，按比例測量熱敏電阻引腳電壓。每個熱敏電阻上的電壓每隔一到三個測量循環(huán)測量一次。原始 ADC 計數(shù)值可通過 DASTATUS6()子命令獲得。在正常模式下，器件每隔 250ms 將這些測量值轉(zhuǎn)換為溫度；在睡眠模式下，器件每隔一次測量將這些測量值轉(zhuǎn)換為溫度。

BQ76942 和 BQ76952 采用基于 ADC 測量的五階多項式來計算溫度。這些器件包括用于以下各項的默認(rèn)多項式系數(shù)：

使用 18kΩ上拉電阻的 Semitec 103-AT 熱敏電阻（25°C 時 10kΩ，B25/85 = 3,435 k）。

使用 180kΩ上拉電阻的 Semitec 204AP-2 熱敏電阻（25°C 時 200kΩ，B25/85 = 4,470 k）。

為與其他熱敏電阻配合使用而優(yōu)化的自定義系數(shù)也可寫入寄存器或一次性可編程存儲器中。

每個啟用的熱敏電阻計算的溫度以 0.1°K 為單位，可通過使用串行通信接口進(jìn)行讀取。

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