蓄電池Thevinen模型的蓄電池內(nèi)阻是反映蓄電池狀態(tài)的重要參數(shù)。目前多頻點內(nèi)阻測試法是辨識該模型先進有效的技術(shù)。Thevene模型中的極化電阻和極化電容對測試信號極為敏感，需要窄通帶幅頻好的濾波器。

采用集成運放芯片LM324N設(shè)計帶通濾波單元，只能滿足單一中心頻率帶通濾波，對于不同頻率點，需要重復(fù)設(shè)計兩個以上濾波電路單元，且由于外圍RC元器件太多，使得一致性很難把握，濾波器的中心增益變化，導(dǎo)致測出的阻值過于波動，進而惡化了儀器的空間布局。

選用有源濾波芯片MAX267，設(shè)計可選頻帶的帶通濾波器，極大地縮小了電路空間布局，適合手持便攜式的內(nèi)阻測試儀的技術(shù)要求。

IMG全新的多核技術(shù)還可以幫助我們擴展自己的技術(shù)能力，以支持未來的處理器設(shè)計。

Imagination重要的合作伙伴，他們?yōu)槠�、工業(yè)和消費類平臺打造了多款行業(yè)最典型的系統(tǒng)級芯片（SoC）。相比我們以往提供的所有產(chǎn)品，本次所授權(quán)的GPU內(nèi)核又向前邁出了全新一步。新一代的GPU可以用于德州儀器新一代的SoC之中。

簡單高效的防護單粒子翻轉(zhuǎn)的電路設(shè)計方法。EDAC 主要依據(jù)檢錯、糾錯的原理，通過轉(zhuǎn)換電路將寫入的數(shù)據(jù)生成校驗碼并保存，當(dāng)讀出時靠對校驗碼進行判定，若只有一位出錯系統(tǒng)則自動糾正并將正確的數(shù)據(jù)輸出，同時還會進行數(shù)據(jù)的回寫從而覆蓋原來出錯的數(shù)據(jù)。

EDAC盡管糾錯能力強大，但是需要糾錯、譯碼電路，因此結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，不適宜用于高性能的數(shù)據(jù)通道中。EDAC也可用于糾正多bit出錯的情況，但是糾錯電路會更加復(fù)雜。

權(quán)衡TMR和EDAC的優(yōu)缺點，通常會在邏輯電路設(shè)計中使用TMR，在存儲器讀寫電路中使用EDAC。

CMOS雙二階開關(guān)電容有源濾波器芯片，應(yīng)用廣泛。其內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)如示。芯片內(nèi)部包含兩個獨立且性能相同的二階濾波單元，可通過外圍匹配的電阻電容構(gòu)成級聯(lián)反饋網(wǎng)絡(luò)，設(shè)計4階、6階、8階甚至更高階的多級反饋帶通濾波器，可實現(xiàn)切比雪夫、巴特沃斯、貝塞爾、橢圓等類型。

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