IMG BXS：面向未來(lái)的汽車GPU——BXS系列是符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的GPU，這使其成為迄今為止所開發(fā)的最先進(jìn)的汽車GPU IP內(nèi)核。BXS提供了一個(gè)完整的產(chǎn)品系列，從入門級(jí)到高級(jí)的產(chǎn)品，可為下一代人機(jī)界面（HMI）、UI顯示、信息娛樂(lè)系統(tǒng)、數(shù)字駕艙、環(huán)繞視圖提供解決方案，再到高計(jì)算能力的配置，則可支持自動(dòng)駕駛和ADAS。

有了3D整合方案，晶粒間的訊號(hào)傳輸路徑將大為縮短，可加快數(shù)據(jù)傳送速度和能源效益。三星宣稱，X-Cube可用于7納米和5納米制程。

韓國(guó)時(shí)報(bào)13 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，封裝是晶圓生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)，過(guò)去幾年來(lái)，三星強(qiáng)化封裝技術(shù)，超薄封裝能縮短積體電路的訊號(hào)傳輸路徑，加快傳遞速度、提升能源效益。三星將在16~18 日的Hot Chips 峰會(huì)，公布更多X-Cube 的細(xì)節(jié)。

制造商: Texas Instruments產(chǎn)品種類: 運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放RoHS: 詳細(xì)信息安裝風(fēng)格: SMD/SMT封裝 / 箱體: TSSOP-8通道數(shù)量: 2 Channel電源電壓-最大: 32 VGBP-增益帶寬產(chǎn)品: 700 kHz每個(gè)通道的輸出電流: 30 mASR - 轉(zhuǎn)換速率 : 0.3 V/usVos - 輸入偏置電壓 : 3 mV電源電壓-最小: 3 V最小工作溫度: 0 C最大工作溫度: + 70 CIb - 輸入偏流: 100 nA工作電源電流: 350 uA關(guān)閉: No ShutdownCMRR - 共模抑制比: 65 dB to 80 dBen - 輸入電壓噪聲密度: 40 nV/sqrt Hz系列: LM358A封裝: Tube放大器類型: High Gain Amplifier特點(diǎn): Standard Amps高度: 1.15 mm輸入類型: Rail-to-Rail長(zhǎng)度: 3 mm產(chǎn)品: Operational Amplifiers電源類型: Single, Dual技術(shù): Bipolar寬度: 4.4 mm商標(biāo): Texas Instruments雙重電源電壓: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V最大雙重電源電壓: +/- 16 V最小雙重電源電壓: +/- 1.5 V工作電源電壓: 3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V產(chǎn)品類型: Op Amps - Operational Amplifiers工廠包裝數(shù)量: 150子類別: Amplifier ICsVcm - 共模電壓: Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V電壓增益 dB: 100 dB單位重量: 39 mg

三星電子成功研發(fā)3D 晶圓封裝技術(shù)「X-Cube」，宣稱此種垂直堆疊的封裝方法，可用于7 納米制程，能提高晶圓代工能力，要借此和業(yè)界領(lǐng)袖臺(tái)積電一較高下。

三星官網(wǎng)13日新聞稿稱，三星3D IC封裝技術(shù)X-Cube，采用硅穿孔科技（through-silicon Via，TSV），能讓速度和能效大躍進(jìn)，以協(xié)助解決新一代應(yīng)用程式嚴(yán)苛的表現(xiàn)需求，如5G、人工智能（AI）、高性能運(yùn)算、移動(dòng)和可穿戴裝置等。

三星的新3D 整合技術(shù)，確保TSV 在先進(jìn)的極紫外光（EUV）制程節(jié)點(diǎn)時(shí)，也能穩(wěn)定聯(lián)通」。有了X-Cube，IC 設(shè)計(jì)師打造符合自身需求的客制化解決方案時(shí)，將有更多彈性。X-Cube 的測(cè)試芯片，以7 納米制程為基礎(chǔ)，使用TSV 技術(shù)在邏輯晶粒（logic die）堆疊SRAM，可釋放更多空間、塞入更多存儲(chǔ)器。

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