最大功率傳輸定理必須考慮的第三個(gè)影響因素不是特別明顯：最大功率傳輸定理。為了從具有等效串聯(lián)電阻的超級(jí)電容源獲得最大外部功率，負(fù)載電阻必須等于源電阻。本文交替使用耗盡、備份或負(fù)載幾種表述，在這里它們都表示相同的意思。

為了計(jì)算最大的功率傳輸，我們可以對前一個(gè)公式求導(dǎo)，求出它為零時(shí)的條件。RSTK = RLOAD時(shí)就是這種情況。

讓RSTK = RLOAD，可以得出：

如果負(fù)載電阻大于源電阻，由于總電路電阻增大，負(fù)載功率會(huì)降低。如果負(fù)載電阻低于源電阻，則由于總電阻降低，大部分功耗在電容源內(nèi);類似的，負(fù)載中消耗的功率也降低。對于給定的電容電壓和給定的堆棧電阻(超級(jí)電容的ESR)，當(dāng)源阻抗和負(fù)載阻抗匹配時(shí)，可傳輸功率最大。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：35類別：電機(jī)，電磁閥，驅(qū)動(dòng)器板/模塊家庭：螺線管系列：L-28螺線管類型：開放框架（拉）占空比：連續(xù)行程長度：-功率（W）：7.5W電壓：24VDC襯套螺紋：-DC 電阻（DCR）：76.8 歐姆安裝類型：-端子類型：-其它名稱：Q6873916

FET 類型：N 溝道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：60V電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：17A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：640pF @ 25V功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），60W（Tc）不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 10A，10V工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝供應(yīng)商器件封裝：D2PAK封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

由于堆疊式超級(jí)電容的ESR固定不變，所以在備份操作期間唯一變化的值就是堆棧電壓，當(dāng)然也包括堆棧電流。

為了滿足備份負(fù)載的要求，隨著堆棧電壓降低，支持負(fù)載所需的電流增加。電流增加到超過定義的最佳水平時(shí)，會(huì)增加超級(jí)電容的ESR損失，從而導(dǎo)致可用備份功率降低。如果這種情況發(fā)生在DC-DC轉(zhuǎn)換器達(dá)到其最低輸入電壓之前，則會(huì)轉(zhuǎn)化為額外的可用電能損失。

LTC3351具有熱插拔控制器，用于提供保護(hù)功能。熱插拔控制器使用背對背N通道MOSFET提供折返限流功能，可減少高可用性應(yīng)用中的浪涌電流和短路保護(hù)。

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