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高導(dǎo)熱效率 PowerDI 3333-8 的結(jié)殼間熱阻

發(fā)布時(shí)間:2020/11/14 12:45:54 訪問(wèn)次數(shù):966

增加分辨率可進(jìn)一步提高過(guò)采樣性能。兩種采樣技術(shù),利用AD7380系列的分辨率提升特性可以直接添加額外的2位分辨率。AD7380系列是高速SAR ADC,可減輕微控制器上SPI的負(fù)擔(dān),使其可進(jìn)行額外的數(shù)據(jù)處理。AD7380系列器件高度可靠,可提高ADC轉(zhuǎn)換精度。

10log(fS/(2 × BW))為過(guò)程增益。

fS/(2 × BW)為采樣比或奈奎斯特比率。

包括了處理增益,以考慮在2 × BW之外采樣的額外過(guò)采樣過(guò)程。將采樣頻率提高k倍(其中k是參與平均的樣本數(shù)或過(guò)采樣率),會(huì)導(dǎo)致SNR提高。

過(guò)采樣 = k × (fS/(2 × BW))

理想情況下,k的值加倍會(huì)使SNR提高3 dB。

說(shuō)明了在不同的過(guò)采樣率下,典型的正常和滾動(dòng)平均過(guò)采樣對(duì)SNR的影響。隨著過(guò)采樣率的增加,SNR也會(huì)提高。

AD7380正常平均過(guò)采樣的典型SNR性能,AD7380滾動(dòng)平均過(guò)采樣的典型SNR性能

制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:監(jiān)控電路RoHS:是類型:Voltage Detectors安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SC-82AB-4閾值電壓:3.7 V被監(jiān)測(cè)輸入數(shù):1 Input人工復(fù)位:No Manual Reset看門狗計(jì)時(shí)器:No Watchdog電源電壓-最大:10 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C準(zhǔn)確性:2 %系列:NCP305封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標(biāo):ON Semiconductor過(guò)電壓閾值:3.774 V欠電壓閾值:3.626 V工作電源電流:1 uA產(chǎn)品類型:Supervisory Circuits工廠包裝數(shù)量:3000子類別:PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小:0.8 V

3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代兩個(gè)分立式 MOSFET,以減少眾多汽車產(chǎn)品應(yīng)用中電路板所占用的空間,包括電動(dòng)座椅控制以及先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 等。


DMT47M2LDVQ 整合了兩個(gè) n 信道增強(qiáng)模式 MOSFET,并就此配置實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低的 RDS(ON) - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID 時(shí)僅為 10.9mΩ。在如此低的導(dǎo)通電阻下,無(wú)線充電或馬達(dá)控制等產(chǎn)品應(yīng)用中的傳導(dǎo)損耗可降至最低。在 10V 的 VGS 和 20A 的 ID 時(shí),典型的柵極電荷為 14.0nC,將交換損耗降至最低。

DMT47M2LDVQ 的高導(dǎo)熱效率 PowerDI® 3333-8 的結(jié)殼間熱阻 (Rthjc) 為 8.43°C/W,可以開(kāi)發(fā)出比單獨(dú)封裝 MOSFET 功率密度更高的終端產(chǎn)品應(yīng)用。如此便能減少實(shí)作汽車功能 (諸如 ADAS 等) 所需的 PCB 面積。

DMT47M2LDVQ 符合 AEC-Q100 Grade 1 等級(jí)規(guī)范,能支持 PPAP 文件,且以 IATF 16949 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的生產(chǎn)設(shè)施制造。


(素材來(lái)源:21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


增加分辨率可進(jìn)一步提高過(guò)采樣性能。兩種采樣技術(shù),利用AD7380系列的分辨率提升特性可以直接添加額外的2位分辨率。AD7380系列是高速SAR ADC,可減輕微控制器上SPI的負(fù)擔(dān),使其可進(jìn)行額外的數(shù)據(jù)處理。AD7380系列器件高度可靠,可提高ADC轉(zhuǎn)換精度。

10log(fS/(2 × BW))為過(guò)程增益。

fS/(2 × BW)為采樣比或奈奎斯特比率。

包括了處理增益,以考慮在2 × BW之外采樣的額外過(guò)采樣過(guò)程。將采樣頻率提高k倍(其中k是參與平均的樣本數(shù)或過(guò)采樣率),會(huì)導(dǎo)致SNR提高。

過(guò)采樣 = k × (fS/(2 × BW))

理想情況下,k的值加倍會(huì)使SNR提高3 dB。

說(shuō)明了在不同的過(guò)采樣率下,典型的正常和滾動(dòng)平均過(guò)采樣對(duì)SNR的影響。隨著過(guò)采樣率的增加,SNR也會(huì)提高。

AD7380正常平均過(guò)采樣的典型SNR性能,AD7380滾動(dòng)平均過(guò)采樣的典型SNR性能

制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:監(jiān)控電路RoHS:是類型:Voltage Detectors安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SC-82AB-4閾值電壓:3.7 V被監(jiān)測(cè)輸入數(shù):1 Input人工復(fù)位:No Manual Reset看門狗計(jì)時(shí)器:No Watchdog電源電壓-最大:10 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C準(zhǔn)確性:2 %系列:NCP305封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標(biāo):ON Semiconductor過(guò)電壓閾值:3.774 V欠電壓閾值:3.626 V工作電源電流:1 uA產(chǎn)品類型:Supervisory Circuits工廠包裝數(shù)量:3000子類別:PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小:0.8 V

3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代兩個(gè)分立式 MOSFET,以減少眾多汽車產(chǎn)品應(yīng)用中電路板所占用的空間,包括電動(dòng)座椅控制以及先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 等。


DMT47M2LDVQ 整合了兩個(gè) n 信道增強(qiáng)模式 MOSFET,并就此配置實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低的 RDS(ON) - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID 時(shí)僅為 10.9mΩ。在如此低的導(dǎo)通電阻下,無(wú)線充電或馬達(dá)控制等產(chǎn)品應(yīng)用中的傳導(dǎo)損耗可降至最低。在 10V 的 VGS 和 20A 的 ID 時(shí),典型的柵極電荷為 14.0nC,將交換損耗降至最低。

DMT47M2LDVQ 的高導(dǎo)熱效率 PowerDI® 3333-8 的結(jié)殼間熱阻 (Rthjc) 為 8.43°C/W,可以開(kāi)發(fā)出比單獨(dú)封裝 MOSFET 功率密度更高的終端產(chǎn)品應(yīng)用。如此便能減少實(shí)作汽車功能 (諸如 ADAS 等) 所需的 PCB 面積。

DMT47M2LDVQ 符合 AEC-Q100 Grade 1 等級(jí)規(guī)范,能支持 PPAP 文件,且以 IATF 16949 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的生產(chǎn)設(shè)施制造。


(素材來(lái)源:21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


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