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共模扼流圈磁芯利用率及電流處理能力

發(fā)布時間:2020/11/16 22:49:41 訪問次數(shù):938

WE-CMBNC是經(jīng)VDE認證的共模扼流圈系列,采用高磁導(dǎo)率納米晶體磁芯材料。盡管尺寸較小,但提供出色的寬帶衰減性能,較高的額定電流和較低的直流電阻值。WE-CMB 系列的共模扼流圈具有扁平外型和高額定電壓。

WE-CMBNC優(yōu)勢

高磁導(dǎo)率納米晶體磁芯材料

高IR和低RDC ,小尺寸

寬頻帶抑制

在高溫條件下,具有穩(wěn)定的電感值

通過塑料外殼和專利繞組墊片改進絕緣性能

保護性涂層,堅固耐用

同類別最低 AC 和 DC 損耗  | 溫度穩(wěn)定性表現(xiàn)優(yōu)秀

降壓式:24 V 至 12 V(2 A, 500 kHz, 2.2 μH)

500 kHz 時的 AC 和 DC 損耗

相比類似尺寸零件,AC 和 DC 損耗減少可達30%。

使用在線元件模擬軟件 REDEXPERT,確定您應(yīng)用時 AC 和 DC 的實際損耗。

WE-MAPI 旨在滿足最新和未來 IC 的各種要求。創(chuàng)新的引線框架焊盤設(shè)計可直接連接導(dǎo)線,顯著提升磁芯利用率以及電流處理能力。

WE-MAPI 系列集成:

當前最高評分

AC 損耗同類最低

超乎想象的低 DCR

優(yōu)秀溫度穩(wěn)定性

創(chuàng)新設(shè)計

最低 EMI 輻射

使用 REDEXPERT,可以輕松、快速地確定直流偏置下的MLCC值,得出的值更接近實際,參見圖 6。結(jié)果:必須考慮到輸入電壓為 24 V 時電容會減少 20%;因此有效電容只 有 23 μF , 但 已 足 夠 。 此 外 , 將 一 個 68 μF/35 VWCAP-PSLC 鋁聚合物電容器(+串聯(lián)一個 0.22 Ω SMD電阻,然后)與陶瓷電容器并聯(lián)使用。

WE-MAPI: 全球最小的合金電感

創(chuàng)新細節(jié)設(shè)計

無焊盤設(shè)計,實現(xiàn)最佳共面性

無焊錫及點焊焊接點,實現(xiàn)最高可靠性

最大核心利用率最大磁芯利用率,實現(xiàn)最高電流處理能力

減少寄生電容,實現(xiàn)最低交流損耗

自屏蔽結(jié)構(gòu)實現(xiàn)最優(yōu) EMI 性能

(素材來源:21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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WE-CMBNC優(yōu)勢

高磁導(dǎo)率納米晶體磁芯材料

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寬頻帶抑制

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通過塑料外殼和專利繞組墊片改進絕緣性能

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同類別最低 AC 和 DC 損耗  | 溫度穩(wěn)定性表現(xiàn)優(yōu)秀

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500 kHz 時的 AC 和 DC 損耗

相比類似尺寸零件,AC 和 DC 損耗減少可達30%。

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超乎想象的低 DCR

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最低 EMI 輻射

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最大核心利用率最大磁芯利用率,實現(xiàn)最高電流處理能力

減少寄生電容,實現(xiàn)最低交流損耗

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