不角度及線性的對(duì)齊偏差，連接器系統(tǒng)就能正常運(yùn)行。這些對(duì)齊偏差值是通過(guò)考慮諸如絕緣體干擾、光束偏轉(zhuǎn)和接觸摩擦等因素來(lái)計(jì)算的。超過(guò)對(duì)齊偏差值可能會(huì)導(dǎo)致電路和/或絕緣體斷路或損壞。

雖然設(shè)計(jì)、組件公差、設(shè)備和制造能力等所有必要的信息對(duì)于設(shè)計(jì)師通常是唾手可得，但能夠與連接器制造商取得聯(lián)系是很重要的，以提供更具體的指導(dǎo)和對(duì)對(duì)齊偏差公差累積的驗(yàn)證。

定位銷不適用于多連接器應(yīng)用,一些連接器制造商提供可選的定位銷，它們通常位于連接器底部的相對(duì)側(cè)。這些定位銷有助于手動(dòng)放置，可用于幫助連接器在PCB板上確定方向，且對(duì)于單連接器應(yīng)用來(lái)說(shuō)，它們不會(huì)增加整體公差累積。

雖然定位銷對(duì)于手動(dòng)放置和確定方向都非常有用，但對(duì)于多連接器應(yīng)用來(lái)說(shuō)，不建議使用它們，因?yàn)樗鼈儠?huì)對(duì)整體公差累積產(chǎn)生影響。

三種典型的高溫應(yīng)用外，在許多特種工業(yè)應(yīng)用中，液體冷卻受到嚴(yán)重限制時(shí)，電控系統(tǒng)將面臨同樣的高溫挑戰(zhàn)。耐高溫的電控技術(shù)是實(shí)現(xiàn)以上高溫應(yīng)用的關(guān)鍵，其核心實(shí)現(xiàn)技術(shù)是SiC功率器件的高溫封裝技術(shù)和與之相匹配的高溫驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)。

SiC材料及其器件結(jié)構(gòu)有天生的耐高溫能力，在真空條件下甚至可耐達(dá)400至600℃的高溫。在實(shí)際應(yīng)用中，為防止接觸空氣而產(chǎn)生氧化，SiC器件必須有封裝，且若要耐高溫，必須采用耐高溫的封裝。結(jié)溫150℃是業(yè)界目前的最高標(biāo)準(zhǔn)，175℃結(jié)溫等級(jí)剛剛開始展露，有準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)化封裝可以采用，而200℃乃至更高溫的封裝對(duì)封裝材料和工藝要求十分嚴(yán)苛，而且必須根據(jù)裸片特征進(jìn)行定制設(shè)計(jì)，以保證導(dǎo)熱和散熱性能要求。

針對(duì)電動(dòng)汽車和全電/多電飛機(jī)的功率電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，Cissoid還推出了三相全橋1200V SiC MOSFET智能功率模塊（IPM）體系，該體系是一個(gè)可擴(kuò)展的平臺(tái)系列。該體系利用了低開關(guān)損耗技術(shù)，提供了一種已整合的解決方案，即IPM。IPM是由門極驅(qū)動(dòng)電路和三相碳化硅功率模塊組成，兩者的配合已經(jīng)過(guò)優(yōu)化和協(xié)調(diào)，實(shí)現(xiàn)了SiC器件優(yōu)勢(shì)的充分利用。目前出品的CXT-PLA3SA12450AA模塊的額定結(jié)溫高達(dá)175°C，門極驅(qū)動(dòng)電路可以在高達(dá)125°C的環(huán)境中運(yùn)行。另外，隨應(yīng)用條件和場(chǎng)景的需求，通過(guò)更換更高等級(jí)的被動(dòng)元器件和主要芯片及模塊的封裝可以進(jìn)一步提升運(yùn)行溫度等級(jí)。

CXT-PLA3SA12450AA三相全橋1200V/450A SiC MOSFET智能功率模塊

Cissoid創(chuàng)新的特種SOI硅芯片技術(shù)，率先在高溫半導(dǎo)體分立器件和小規(guī)模集成電路上實(shí)現(xiàn)了重大突破。隨著第三代半導(dǎo)體如SiC功率半導(dǎo)體器件的日趨成熟和普及，其固有的耐高溫性能與Cissoid高溫半導(dǎo)體器件形成了非常好的搭配，由此將大大改變電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)的格局，為設(shè)計(jì)工程師提供了全新的拓展空間。

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