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48V逆變器的直流母線抗紋波電流性能

發(fā)布時(shí)間:2020/11/25 18:46:03 訪問次數(shù):1209

利用TCS3410更強(qiáng)大的能力和更高超的性能,智能手機(jī)即使在最具挑戰(zhàn)性的弱光條件下也能提供更流暢、更快速響應(yīng)的顯示亮度管理。更出色的白平衡和圖像色彩校正有助于實(shí)現(xiàn)卓越的攝像性能。該模塊還能消除人工光源產(chǎn)生的高頻閃爍在照片和視頻中引起的條帶和偽影的影響。

光源閃爍檢測(cè)功能的改進(jìn)還將最高11位分辨率下可檢測(cè)的光源閃爍頻率范圍擴(kuò)展到7kHz。

TCS3410改進(jìn)的靈敏度和采樣率使智能手機(jī)能夠在更弱的光線下檢測(cè)更高頻率的光源閃爍。

TCS3410環(huán)境光和光源閃爍檢測(cè)傳感器已量產(chǎn)。艾邁斯半導(dǎo)體可根據(jù)客戶要求提供評(píng)估板。

改進(jìn)的顏色(RGB)和光源閃爍檢測(cè)功能

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): SiC

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 98 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 15 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V

Qg-柵極電荷: 220 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 468 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

晶體管類型: 1 N-Channel

商標(biāo): ON Semiconductor

正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S

下降時(shí)間: 11 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 41 ns

工廠包裝數(shù)量: 800

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns

典型接通延遲時(shí)間: 25 ns

單位重量: 1.573 g

48V汽車逆變器時(shí)若并聯(lián)使用多顆較小的高功率密度混合鋁電容器,則可以減少所需元器件的數(shù)量,并仍然保持較高的抗紋波電流性能。PHA225和PHH225混合系列是設(shè)計(jì)大功率汽車應(yīng)用的理想選擇,例如用于48V逆變器的直流母線、冷卻風(fēng)扇、水泵、動(dòng)力轉(zhuǎn)向以及制動(dòng)和噴射系統(tǒng)。

A780、PHA225和PHH225系列的設(shè)計(jì)結(jié)合了專有的混合聚合物技術(shù)和電解質(zhì)材料。在聚合物和鋁產(chǎn)品方面的這些進(jìn)步不僅對(duì)不斷增長的汽車電氣化趨勢(shì)提供了支持,而且在去耦、平滑、濾波和電源轉(zhuǎn)換等方面為設(shè)計(jì)工程師提供了可靠的解決方案。



(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

利用TCS3410更強(qiáng)大的能力和更高超的性能,智能手機(jī)即使在最具挑戰(zhàn)性的弱光條件下也能提供更流暢、更快速響應(yīng)的顯示亮度管理。更出色的白平衡和圖像色彩校正有助于實(shí)現(xiàn)卓越的攝像性能。該模塊還能消除人工光源產(chǎn)生的高頻閃爍在照片和視頻中引起的條帶和偽影的影響。

光源閃爍檢測(cè)功能的改進(jìn)還將最高11位分辨率下可檢測(cè)的光源閃爍頻率范圍擴(kuò)展到7kHz。

TCS3410改進(jìn)的靈敏度和采樣率使智能手機(jī)能夠在更弱的光線下檢測(cè)更高頻率的光源閃爍。

TCS3410環(huán)境光和光源閃爍檢測(cè)傳感器已量產(chǎn)。艾邁斯半導(dǎo)體可根據(jù)客戶要求提供評(píng)估板。

改進(jìn)的顏色(RGB)和光源閃爍檢測(cè)功能

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): SiC

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 98 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 15 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V

Qg-柵極電荷: 220 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 468 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

晶體管類型: 1 N-Channel

商標(biāo): ON Semiconductor

正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S

下降時(shí)間: 11 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 41 ns

工廠包裝數(shù)量: 800

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns

典型接通延遲時(shí)間: 25 ns

單位重量: 1.573 g

48V汽車逆變器時(shí)若并聯(lián)使用多顆較小的高功率密度混合鋁電容器,則可以減少所需元器件的數(shù)量,并仍然保持較高的抗紋波電流性能。PHA225和PHH225混合系列是設(shè)計(jì)大功率汽車應(yīng)用的理想選擇,例如用于48V逆變器的直流母線、冷卻風(fēng)扇、水泵、動(dòng)力轉(zhuǎn)向以及制動(dòng)和噴射系統(tǒng)。

A780、PHA225和PHH225系列的設(shè)計(jì)結(jié)合了專有的混合聚合物技術(shù)和電解質(zhì)材料。在聚合物和鋁產(chǎn)品方面的這些進(jìn)步不僅對(duì)不斷增長的汽車電氣化趨勢(shì)提供了支持,而且在去耦、平滑、濾波和電源轉(zhuǎn)換等方面為設(shè)計(jì)工程師提供了可靠的解決方案。



(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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