第四代SiC FET先進(jìn)技術(shù)平臺(tái)的四款器件。該產(chǎn)品的性能取得了突破性發(fā)展，很好地解決了易用性、成本這個(gè)工程師面臨的最大挑戰(zhàn)，旨在加速碳化硅這種寬帶隙器件在汽車充電、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心PFC直流轉(zhuǎn)換、可再生能源和儲(chǔ)能應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用。

750V SiC FET這四款第四代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(FoM)實(shí)現(xiàn)了新的性能水平，從而使汽車、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心功率因數(shù)校正(PFC)和 DC-DC轉(zhuǎn)換以及可再生能源和儲(chǔ)能領(lǐng)域的電源應(yīng)用都能夠從中受益。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:IGBT 模塊 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:3-Phase Inverter 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.6 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:10 A Pd-功率耗散:60 W 封裝 / 箱體:SDIP2B-26L 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Bulk 高度:3.5 mm 長度:38 mm 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C 系列:STGIB10CH60TS-L 技術(shù):Si 寬度:24 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 安裝風(fēng)格:Through Hole 產(chǎn)品類型:IGBT Modules 工廠包裝數(shù)量:156 子類別:IGBTs 商標(biāo)名:SLLIMM 單位重量:9.160 g

藍(lán)牙和WLAN等帶寬相對(duì)較窄的傳統(tǒng)無線系統(tǒng)不同，UWB能在寬頻上發(fā)送一系列非常窄的低功率脈沖。較寬的頻譜、較低的功率、脈沖化數(shù)據(jù)，意味著UWB引起的干擾小于傳統(tǒng)的窄帶無線解決方案，并能夠在室內(nèi)無線環(huán)境中提供與有線相媲美的性能。

Modbus串行通信協(xié)議，Modbus已經(jīng)成為工業(yè)領(lǐng)域通信協(xié)議的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，并且現(xiàn)在是工業(yè)電子設(shè)備之間常用的連接方式。Modbus協(xié)議是一個(gè)master/slave架構(gòu)的協(xié)議。有一個(gè)master節(jié)點(diǎn)，其它使用Modbus協(xié)議參與通信的節(jié)點(diǎn)是slave節(jié)點(diǎn)，每一個(gè)slave設(shè)備都有一個(gè)唯一的地址。在串行和MB+網(wǎng)絡(luò)中，只有被指定為主節(jié)點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)可以啟動(dòng)一個(gè)命令。

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