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0至+12V柵極電壓驅(qū)動(dòng)DC-DC轉(zhuǎn)換和車載充電

發(fā)布時(shí)間:2020/11/25 22:28:03 訪問次數(shù):1026

Wi-Fi是一種允許電子設(shè)備連接到一個(gè)無線局域網(wǎng)的技術(shù),通常使用2.4G UHF或5G SHF ISM 射頻頻段,連接到無線局域網(wǎng)通常是有密碼保護(hù)的;但也可是開放的,這樣就允許任何在WLAN范圍內(nèi)的設(shè)備可以連接上。

由于無線網(wǎng)絡(luò)的頻段在世界范圍內(nèi)是無需任何電信運(yùn)營執(zhí)照的,因此WLAN無線設(shè)備提供了一個(gè)世界范圍內(nèi)可以使用的,費(fèi)用極其低廉且數(shù)據(jù)帶寬極高的無線空中接口。用戶可以在Wi-Fi覆蓋區(qū)域內(nèi)快速瀏覽網(wǎng)頁,隨時(shí)隨地接聽撥打電話,有了Wi-Fi功能我們打長(zhǎng)途電話、瀏覽網(wǎng)頁、收發(fā)電子郵件、音樂下載、數(shù)碼照片傳遞等,再無需擔(dān)心速度慢和花費(fèi)高的問題。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220FP-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續(xù)漏極電流:6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:30 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:SuperMESH 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.3 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 系列:STP6NK60Z 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時(shí)間:19 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:14 ns 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:47 ns 典型接通延遲時(shí)間:14 ns 單位重量:330 mg

SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的要求也有別于以前的硅器件,這讓工程師在從原來的硅器件轉(zhuǎn)向碳化硅FET時(shí),不得不去重新設(shè)計(jì),以便采用新的驅(qū)動(dòng)電路。

UnitedSiC的第四代SiC FET的所有器件都可以用0至+12V柵極電壓驅(qū)動(dòng),SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。

從DC-DC轉(zhuǎn)換和車載充電到功率因數(shù)校正和太陽能逆變器,這些領(lǐng)域都是UnitedSiC的應(yīng)用領(lǐng)域。在效率和性能要求更高、同時(shí)成本不敏感的應(yīng)用上,例如:車載、快充領(lǐng)域,SiC MOSFET正在逐漸取代硅器件。

電動(dòng)汽車的OBC、DC/DC,驅(qū)動(dòng),快速充電樁,電信電源,服務(wù)器電源,太陽能,儲(chǔ)能以及高壓斷路器。

(素材來源:21ic和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

Wi-Fi是一種允許電子設(shè)備連接到一個(gè)無線局域網(wǎng)的技術(shù),通常使用2.4G UHF或5G SHF ISM 射頻頻段,連接到無線局域網(wǎng)通常是有密碼保護(hù)的;但也可是開放的,這樣就允許任何在WLAN范圍內(nèi)的設(shè)備可以連接上。

由于無線網(wǎng)絡(luò)的頻段在世界范圍內(nèi)是無需任何電信運(yùn)營執(zhí)照的,因此WLAN無線設(shè)備提供了一個(gè)世界范圍內(nèi)可以使用的,費(fèi)用極其低廉且數(shù)據(jù)帶寬極高的無線空中接口。用戶可以在Wi-Fi覆蓋區(qū)域內(nèi)快速瀏覽網(wǎng)頁,隨時(shí)隨地接聽撥打電話,有了Wi-Fi功能我們打長(zhǎng)途電話、瀏覽網(wǎng)頁、收發(fā)電子郵件、音樂下載、數(shù)碼照片傳遞等,再無需擔(dān)心速度慢和花費(fèi)高的問題。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220FP-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續(xù)漏極電流:6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:30 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:SuperMESH 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.3 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 系列:STP6NK60Z 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時(shí)間:19 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:14 ns 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:47 ns 典型接通延遲時(shí)間:14 ns 單位重量:330 mg

SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的要求也有別于以前的硅器件,這讓工程師在從原來的硅器件轉(zhuǎn)向碳化硅FET時(shí),不得不去重新設(shè)計(jì),以便采用新的驅(qū)動(dòng)電路。

UnitedSiC的第四代SiC FET的所有器件都可以用0至+12V柵極電壓驅(qū)動(dòng),SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。

從DC-DC轉(zhuǎn)換和車載充電到功率因數(shù)校正和太陽能逆變器,這些領(lǐng)域都是UnitedSiC的應(yīng)用領(lǐng)域。在效率和性能要求更高、同時(shí)成本不敏感的應(yīng)用上,例如:車載、快充領(lǐng)域,SiC MOSFET正在逐漸取代硅器件。

電動(dòng)汽車的OBC、DC/DC,驅(qū)動(dòng),快速充電樁,電信電源,服務(wù)器電源,太陽能,儲(chǔ)能以及高壓斷路器。

(素材來源:21ic和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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