在GaN-on-Si外延片上制造的GaN器件具有相當(dāng)?shù)偷某杀?/h1>

發(fā)布時(shí)間:2023/6/6 22:46:25 訪問(wèn)次數(shù):312

禁帶寬度Eg< 2.3eV（電子伏特），則稱為窄禁帶半導(dǎo)體，如鍺(Ge)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)以及磷化銦(InP)；若禁帶寬度Eg＞2.3eV則稱為寬禁帶半導(dǎo)體，如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、H碳化硅(HSiC)、H碳化硅(HSiC)、氮化鋁(AlN)以及氮化鎵鋁(ALGaN)等。

寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，非常適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。

硅（Si）與化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展，難以應(yīng)對(duì)能源與環(huán)境面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，寬禁帶半導(dǎo)體材料迎來(lái)廣闊的發(fā)展機(jī)遇。

http://yushuokj.51dzw.com深圳市裕碩科技有限公司

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細(xì)信息 系列:STM32F103C8 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-48 核心:ARM Cortex M3 程序存儲(chǔ)器大小:64 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大時(shí)鐘頻率:72 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:37 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:20 kB 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 高度:1.4 mm 長(zhǎng)度:7 mm 產(chǎn)品:MCU 程序存儲(chǔ)器類型:Flash 寬度:7 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 接口類型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:10 Channel 計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:3 Timer 處理器系列:ARM Cortex M 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2 V 商標(biāo)名:STM32 單位重量:180 mg

SiC的市場(chǎng)應(yīng)用偏向高頻小電力領(lǐng)域，集中在1000V以下；而SiC 適用于1200V 以上的高溫大電力領(lǐng)域，兩者的應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋了新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、智能電網(wǎng)、節(jié)能家電、通信射頻等大多數(shù)具有廣闊發(fā)展前景的新興應(yīng)用市場(chǎng)。

與GaN 相比，SiC熱導(dǎo)率是GaN 的三倍以上，在高溫應(yīng)用領(lǐng)域更有優(yōu)勢(shì)；同時(shí)SiC單晶的制備技術(shù)相對(duì)更成熟，所以SiC 功率器件的種類遠(yuǎn)多于GaN。 但是GaN并不完全處于劣勢(shì)，甚至被稱為SiC器件獲得成長(zhǎng)的最大抑制因素。隨著GaN制造工藝在不斷進(jìn)步，在GaN-on-Si外延片上制造的GaN器件具有相當(dāng)?shù)偷某杀荆仍赟iC晶片上制造任何產(chǎn)品都更為容易。GaN晶體管可能會(huì)成為后期逆變器中的首選，優(yōu)于較昂貴的SiC MOSFET。

(素材來(lái)源：chinaaet和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

禁帶寬度Eg< 2.3eV（電子伏特），則稱為窄禁帶半導(dǎo)體，如鍺(Ge)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)以及磷化銦(InP)；若禁帶寬度Eg＞2.3eV則稱為寬禁帶半導(dǎo)體，如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、H碳化硅(HSiC)、H碳化硅(HSiC)、氮化鋁(AlN)以及氮化鎵鋁(ALGaN)等。

寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，非常適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。

硅（Si）與化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展，難以應(yīng)對(duì)能源與環(huán)境面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，寬禁帶半導(dǎo)體材料迎來(lái)廣闊的發(fā)展機(jī)遇。

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制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細(xì)信息 系列:STM32F103C8 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-48 核心:ARM Cortex M3 程序存儲(chǔ)器大小:64 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大時(shí)鐘頻率:72 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:37 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:20 kB 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 高度:1.4 mm 長(zhǎng)度:7 mm 產(chǎn)品:MCU 程序存儲(chǔ)器類型:Flash 寬度:7 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 接口類型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:10 Channel 計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:3 Timer 處理器系列:ARM Cortex M 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2 V 商標(biāo)名:STM32 單位重量:180 mg

SiC的市場(chǎng)應(yīng)用偏向高頻小電力領(lǐng)域，集中在1000V以下；而SiC 適用于1200V 以上的高溫大電力領(lǐng)域，兩者的應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋了新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、智能電網(wǎng)、節(jié)能家電、通信射頻等大多數(shù)具有廣闊發(fā)展前景的新興應(yīng)用市場(chǎng)。

與GaN 相比，SiC熱導(dǎo)率是GaN 的三倍以上，在高溫應(yīng)用領(lǐng)域更有優(yōu)勢(shì)；同時(shí)SiC單晶的制備技術(shù)相對(duì)更成熟，所以SiC 功率器件的種類遠(yuǎn)多于GaN。 但是GaN并不完全處于劣勢(shì)，甚至被稱為SiC器件獲得成長(zhǎng)的最大抑制因素。隨著GaN制造工藝在不斷進(jìn)步，在GaN-on-Si外延片上制造的GaN器件具有相當(dāng)?shù)偷某杀�，比在SiC晶片上制造任何產(chǎn)品都更為容易。GaN晶體管可能會(huì)成為后期逆變器中的首選，優(yōu)于較昂貴的SiC MOSFET。

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