馬達驅動及光伏和儲能溝槽半導體技術
發(fā)布時間:2020/11/30 13:16:50 訪問次數:701
以GaN、SiC為代表的第三代半導體因具備優(yōu)異的材料物理特性，為進一步提升電力電子器件的性能提供了更大的空間。SiC作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生產技術和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，目前在已經形成了全球的材料、器件和應用產業(yè)鏈。
根據IHS預測，2020年650 V CoolSiC™ MOSFET 領域將會有近5000萬美元的市場份額，至2028年，市場份額將會達到一億6000萬美元，復合成長率達16%，如此廣闊的增長空間，給專注于SiC市場的半導體廠商帶來更多的機遇。加之SiC的應用領域非常廣泛，包括電源供應器、不間斷電源、電動汽車充電、馬達驅動以及光伏和儲能等。如此廣闊的市場空間以及廣泛的應用場景吸引了很多半導體廠商，其中包括英飛凌。
制造商:Infineon產品種類:射頻發(fā)射器RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel系列:TDx7116 商標:Infineon Technologies 產品類型:RF Transmitter 工廠包裝數量:5000 子類別:Wireless & RF Integrated Circuits
制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊產品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V在25 C的連續(xù)集電極電流:28 A最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:EASY1B商標:Infineon Technologies柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:Screw工廠包裝數量:24
SiC的工藝分為平面式和溝槽式，與英飛凌過去發(fā)布的所有CoolSiC MOSFET產品相比，新產品采用基于英飛凌先進的溝槽半導體技術，英飛凌溝槽式的經驗來自于CoolMOS幾十年的工作經驗累積，在用溝槽式設計可以達到性能的要求，不會偏離它的可靠度。以SiCMOS為例，在同樣的可靠度上面，SiC溝槽式的設計遠比平面式的SiCMOS擁有更高的性能。
除了性能上的優(yōu)勢，英飛凌擁有非常有實力的SiC技術，在整個產品制造、研發(fā)，投入了很多的精力。英飛凌擁有自己的生產線，可以自己調整產能需求。英飛凌一直在電源管理領域有很好的工程師可以跟客戶展開探討共同優(yōu)化設計。Si、SiC、GaN技術，英飛凌都在掌握之中，根據在不同的應用場域，客戶可以有不同的選擇。無論是Si，SiC還是GaN，英飛凌都會有很好的產品供客戶選擇。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
以GaN、SiC為代表的第三代半導體因具備優(yōu)異的材料物理特性，為進一步提升電力電子器件的性能提供了更大的空間。SiC作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生產技術和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，目前在已經形成了全球的材料、器件和應用產業(yè)鏈。
根據IHS預測，2020年650 V CoolSiC™ MOSFET 領域將會有近5000萬美元的市場份額，至2028年，市場份額將會達到一億6000萬美元，復合成長率達16%，如此廣闊的增長空間，給專注于SiC市場的半導體廠商帶來更多的機遇。加之SiC的應用領域非常廣泛，包括電源供應器、不間斷電源、電動汽車充電、馬達驅動以及光伏和儲能等。如此廣闊的市場空間以及廣泛的應用場景吸引了很多半導體廠商，其中包括英飛凌。
制造商:Infineon產品種類:射頻發(fā)射器RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel系列:TDx7116 商標:Infineon Technologies 產品類型:RF Transmitter 工廠包裝數量:5000 子類別:Wireless & RF Integrated Circuits
制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊產品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V在25 C的連續(xù)集電極電流:28 A最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:EASY1B商標:Infineon Technologies柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:Screw工廠包裝數量:24
SiC的工藝分為平面式和溝槽式，與英飛凌過去發(fā)布的所有CoolSiC MOSFET產品相比，新產品采用基于英飛凌先進的溝槽半導體技術，英飛凌溝槽式的經驗來自于CoolMOS幾十年的工作經驗累積，在用溝槽式設計可以達到性能的要求，不會偏離它的可靠度。以SiCMOS為例，在同樣的可靠度上面，SiC溝槽式的設計遠比平面式的SiCMOS擁有更高的性能。
除了性能上的優(yōu)勢，英飛凌擁有非常有實力的SiC技術，在整個產品制造、研發(fā)，投入了很多的精力。英飛凌擁有自己的生產線，可以自己調整產能需求。英飛凌一直在電源管理領域有很好的工程師可以跟客戶展開探討共同優(yōu)化設計。Si、SiC、GaN技術，英飛凌都在掌握之中，根據在不同的應用場域，客戶可以有不同的選擇。無論是Si，SiC還是GaN，英飛凌都會有很好的產品供客戶選擇。
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