8款不同的650 V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品。英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的Si基、SiC以及GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。

8個(gè)不同的產(chǎn)品，采用兩種插件TO-247封裝。從靜態(tài)導(dǎo)通電阻的角度來看，涵蓋4款額定值在27 mΩ-107 mΩ之間的不同產(chǎn)品，目標(biāo)市場(chǎng)主要是工業(yè)電源、光伏、充電樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲(chǔ)存，之后英飛凌也將會(huì)陸續(xù)推出更多的封裝來滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

在電源領(lǐng)域，除了性能考量之外，它的堅(jiān)固和可靠程度也是不能被忽略的，不然會(huì)造成以后不可挽回的成本和商譽(yù)的損失。英飛凌針對(duì)SiC產(chǎn)品的可靠度也做了很多方案，例如，增加堅(jiān)固耐用度，優(yōu)化柵極氧化層的可靠度；抗寄生導(dǎo)通，將VGS重新設(shè)計(jì)在大于4V上，以此降低一些噪音進(jìn)來的“誤導(dǎo)通”；優(yōu)化適用于硬換向的體二極管等。

STM32F103RET6嵌入式-微控制器

核心尺寸:32-位  

速度:72MHz  

連接性:CAN，I2C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB  

外設(shè):DMA，電機(jī)控制PWM，PDR，POR，PVD，PWM，溫度傳感器，WDT  

I/O數(shù):51  

程序存儲(chǔ)容量:512KB（512Kx8）  

程序存儲(chǔ)器類型:閃存  

EEPROM容量:-  

RAM容量:64Kx8  

電壓-電源(Vcc/Vdd):2V~3.6V  

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D16x12b;D/A2x12b  

振蕩器類型:內(nèi)部  

工作溫度:-40°C~85°C  

封裝:64-LQFP

新一代功率半導(dǎo)體可謂是勢(shì)在必行，尤其是氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的應(yīng)用，或許將更快地推動(dòng)未來電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)最佳性能的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的能源損耗。很多半導(dǎo)體企業(yè)陸續(xù)調(diào)整在新材料方面的布局，包括CISSOID。

為延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的行駛里程，降低整體系統(tǒng)成本，越來越多的電動(dòng)汽車公司計(jì)劃向800V電池過渡，制造商改用SiC功率晶體管作為牽引逆變器。基于SiC的功率模塊可供使用，這些功率模塊需要針對(duì)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化，將快速開關(guān)SiC電源模塊集成到優(yōu)化的逆變器中，包括柵極驅(qū)動(dòng)器、去耦和水冷卻，這給設(shè)計(jì)帶來了極大的挑戰(zhàn)。而完全優(yōu)化和高度集成（IPM）的解決方案可以節(jié)省大量的開發(fā)時(shí)間和工程資源。