第四代SiC FET先進(jìn)技術(shù)平臺推出四款首批器件。作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)（FoM）實(shí)現(xiàn)了新的性能水平，從而使汽車、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心功率因數(shù)校正（PFC）和 DC-DC轉(zhuǎn)換以及可再生能源和儲(chǔ)能領(lǐng)域的電源應(yīng)用都能夠從中受益。

新器件將聯(lián)合碳化硅的產(chǎn)品擴(kuò)展到了750V，這樣就可以為設(shè)計(jì)人員提供更多的裕量并減少其設(shè)計(jì)約束。這一VDS額定值的提高，也使這些FET有利于400/500V總線電壓應(yīng)用。由于與±20V、5V Vth的柵極驅(qū)動(dòng)器廣泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅(qū)動(dòng)。因此，就可以將它們與現(xiàn)有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器一起使用。

ADRF5515是集成式雙通道3.4-3.8 GHz 20 W接收器前端,具有2 級低噪音放大器(LNA)和高功率硅單刀雙擲(SPDT)開關(guān),片內(nèi)偏置和匹配,單電源供電,3.6 GHz時(shí)高增益模式的增益為33 dB,噪音為1.0dB;低增益模式的增益為16 dB,噪音為1.0dB.插入損耗在3.6 GHz 時(shí)為 0.45 dB.

OIP3為32 dBm.6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝.主要用在無線基礎(chǔ)設(shè)備,TDD大規(guī)模MIMO(massivemultiple-input multiple-output)和有源天線系統(tǒng)以及基于TDD的通信系統(tǒng).

傳感器節(jié)點(diǎn)等 IoT 相關(guān)設(shè)備，由于體積非常小，可搭載的電池容量有限，因此必須以極低的耗電量運(yùn)轉(zhuǎn)。大部分此類設(shè)備都采用了耗電量低的無線通信規(guī)范 Bluetooth®。而且，在工廠內(nèi)和室外等高溫環(huán)境下使用、LED 照明等產(chǎn)生發(fā)熱的設(shè)備，存在耐熱性的問題。

于是太陽誘電讓使用溫度范圍的上限比原有產(chǎn)品提高了 20℃，使可支持+105℃的無線通信模塊“EYSPBNZUA”商品化。

用于安裝在工廠和室外的傳感器節(jié)點(diǎn)等 IoT 相關(guān)設(shè)備、LED 照明等的辦公室、家庭自動(dòng)化相關(guān)設(shè)備的無線通信模塊。

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