這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，其FoM無(wú)與倫比，并且其單位面積通態(tài)電阻更低，本征電容也很低。在硬開關(guān)應(yīng)用中，第四代FET實(shí)現(xiàn)了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗都得到降低。在軟開關(guān)應(yīng)用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）規(guī)格則可實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現(xiàn)有SiC MOSFET競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的性能（無(wú)論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作），而且還提供了最低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復(fù)特性，從而降低了死區(qū)損耗并提高了效率。

從DC-DC轉(zhuǎn)換和車載充電到功率因數(shù)校正和太陽(yáng)能逆變器，這些器件可幫助各行各業(yè)的工程師們解決他們?cè)跐M足最高電壓和功率要求時(shí)所面臨的各種挑戰(zhàn)。

LM4040精密微功率并聯(lián)電壓基準(zhǔn)是通過(guò)超小型SC70和SOT-23表面安裝組件進(jìn)行空間關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇。易于使用的LM4040的先進(jìn)設(shè)計(jì)消除了外部穩(wěn)定電容器的需要，同時(shí)確保穩(wěn)定與任何電容負(fù)載。TI LM4040有幾種固定的反向擊穿電壓:2.048V、2.500V、3.000V、4.096V、5.000V、8.192V和10.000V。

最小動(dòng)作電流從60μa lm4040 - 2.5增加到100μa lm4040 - 10.0,與所有版本15馬的最大操作電流。TI LM4040精密微功率并聯(lián)電壓基準(zhǔn)采用熔斷器和zenergy -zap反向擊穿電壓微調(diào)，在25℃下保證主要部件的精度優(yōu)于±0.1% (A級(jí))。帶隙基準(zhǔn)溫度漂移曲率校正和低動(dòng)態(tài)阻抗確保在大范圍的工作溫度和電流下穩(wěn)定的反向擊穿電壓精度。

一款完全集成、并帶有壓控振蕩器（VCO）的分?jǐn)?shù)型（Fractional-N）射頻合成器CMX940，能夠以低功耗單芯片解決方案實(shí)現(xiàn)低相位噪聲和出眾的雜散噪聲性能。CMX940已經(jīng)超越了行業(yè)設(shè)定的性能要求標(biāo)準(zhǔn)，可實(shí)現(xiàn)新一代專用移動(dòng)無(wú)線電（PMR）、數(shù)據(jù)調(diào)制解調(diào)器、航海無(wú)線電和其他無(wú)線系統(tǒng)。

為了能夠以低功耗解決方案實(shí)現(xiàn)高性能和高靈活性，CML采用了具有高可配置參考路徑的雙環(huán)路架構(gòu)，包括一個(gè)單獨(dú)的鎖相環(huán)（PLL）和VCO，用于最大程度地降低接近相位噪聲（close-in phase noise），并降低整數(shù)和分?jǐn)?shù)邊界雜散噪聲。