以光互連帶寬升級至200G，400G(或更高)，對基于PAM4技術(shù)和相干技術(shù)解決方案的需求不斷增長。這些解決方案體積更小、成本更低，同時(shí)又保持了低功耗和高可靠性。

=CMOS的PAM4 CDR加單芯片集成的VCSEL驅(qū)動器HXT14450和線性TIAHXR14450可以有效地解決和滿足數(shù)據(jù)中心的200G和400G短距離的光模塊和有源光纜快速發(fā)展和低成本的要求。與傳統(tǒng)的DSP解決方案相比，該系列具有更小的時(shí)延，更低的功耗和更小的尺寸，以及更高的集成度(包括集成的MCU)，從而進(jìn)一步簡化和加快光模塊系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

該系列CDR已通過-40至85℃溫度范圍認(rèn)證，使其也將成為5G前傳和中傳基礎(chǔ)設(shè)施中光互連通信的理想選擇。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:80 V 集電極—基極電壓 VCBO:80 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:1 V 最大直流電集電極電流:20 A Pd-功率耗散:50 W 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:D44H11 封裝:Tube 高度:9.15 mm 長度:10.4 mm 技術(shù):Si 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 集電極連續(xù)電流:10 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:60 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:Transistors 單位重量:6 g

數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)和電信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的市場需求顯著增長，這主要得益于高帶寬數(shù)據(jù)量(如直播和點(diǎn)播流媒體內(nèi)容)的推動、基于AI的系統(tǒng)數(shù)量的增加，以及越來越多消費(fèi)者在其工作和日常生活中對互聯(lián)系統(tǒng)的依賴而導(dǎo)致的全球范圍內(nèi)向云計(jì)算應(yīng)用的轉(zhuǎn)移。

隨著云和網(wǎng)絡(luò)服務(wù)在企業(yè)及消費(fèi)者日常生活中越來越重要，我們積極擴(kuò)展光通信產(chǎn)品線，在領(lǐng)先的MCU、時(shí)序和電源產(chǎn)品的基礎(chǔ)上再添新品，進(jìn)而為客戶提供完整解決方案，可涵蓋其當(dāng)前系統(tǒng)及未來系統(tǒng)升級擴(kuò)展所需的所有光模塊元器件。