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單個四路串行外設(shè)接口和兩個I2C總線接口

發(fā)布時(shí)間:2020/12/5 18:22:14 訪問次數(shù):627

RE01 1500KB是基于薄埋層氧化物上硅(SOTB)工藝技術(shù)的能效最高的Arm® Cortex®-M0+ MCU,在有源和待機(jī)狀態(tài)下具有超低電流功耗,以及在低工作電壓(1.62V)下高速工作頻率64MHz.RE01 1500KB極大地延長了電池壽命,提供高性能.片上的1.5MB閃存滿足需要存儲大量數(shù)據(jù)如圖像信息的應(yīng)用.

連接到外部閃存的單個四路串行外設(shè)接口和兩個I2C總線接口,五個串行通信接口(SCIg)和兩個串行通信接口(SCIi),每個有16B FIFO.工作電壓1.62 V 到 3.6 V.主要用在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用(IoT)如混合式電子表,智能家庭/建筑物,健康管理,智能農(nóng)業(yè),結(jié)構(gòu)監(jiān)測和跟蹤.

為了在競爭激烈的存儲市場上取得成功,我們的MB1000企業(yè)級SSD控制器必須達(dá)到極其高的設(shè)計(jì)目標(biāo)。在執(zhí)行了競爭性分析、微體系結(jié)構(gòu)探索和硬件/軟件基準(zhǔn)分析后,我們斷定,Synopsys經(jīng)過硅驗(yàn)證的ARC HS38處理器和DDR4與PCI Express 3.1 IP能提供最佳的功耗、性能和面積組合,從而滿足我們的需要。

DesignWare DDR4和PCI Express 3.1 IP的特征增強(qiáng)了SoC差異化

由于選擇了DesignWare IP,憶芯科技能夠降低系統(tǒng)硬件要求,降低功耗,提高性能并削減整體成本。選擇使用DesignWare DDR4 IP在其存儲應(yīng)用內(nèi)實(shí)現(xiàn)更加高效的內(nèi)存。


TetraMAX II ATPG利用與DFTMAX™壓縮、PrimeTime®時(shí)序分析和StarRC™提取等Synopsys Galaxy™ Design Platform工具,以及Yield Explorer®以設(shè)計(jì)為中心的成品率分析等Synopsys工具建立的鏈接,提供最高質(zhì)量的測試和最快、最富成效的工作流程。

Synopsys將滿足我們所有客戶對于嚴(yán)苛的上市時(shí)間和較高的測試質(zhì)量的需求,如Socionext。我們與Socionext的長期合作一直在證明,利用先進(jìn)的工具和方法能帶來巨大的好處,如TetraMAX II ATPG所帶來的好處一樣。繼運(yùn)行時(shí)間和質(zhì)量結(jié)果后,Socionext還從評估中看到,我們期望與他們就其他新設(shè)計(jì)進(jìn)行合作,滿足他們極具挑戰(zhàn)性的測試需求。


(素材來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)




RE01 1500KB是基于薄埋層氧化物上硅(SOTB)工藝技術(shù)的能效最高的Arm® Cortex®-M0+ MCU,在有源和待機(jī)狀態(tài)下具有超低電流功耗,以及在低工作電壓(1.62V)下高速工作頻率64MHz.RE01 1500KB極大地延長了電池壽命,提供高性能.片上的1.5MB閃存滿足需要存儲大量數(shù)據(jù)如圖像信息的應(yīng)用.

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(素材來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)




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