在高溫高濕環(huán)境下確保業(yè)界頂級(jí)的可靠性，通過采用新涂覆材料作為芯片的保護(hù)對(duì)策，并引進(jìn)新工藝方法，使新模塊通過了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗(yàn)，從而使1700V耐壓的產(chǎn)品得以成功走向市場(chǎng)。

比如在高溫高濕反偏試驗(yàn)中，比較對(duì)象IGBT模塊在1,000小時(shí)以內(nèi)發(fā)生了引發(fā)故障的絕緣擊穿，而BSM250D17P2E004在85℃／85%的高溫高濕環(huán)境下，即使施加1360V達(dá)1,000小時(shí)以上，仍然無故障，表現(xiàn)出極高的可靠性。

優(yōu)異的導(dǎo)通電阻性能，有助于設(shè)備進(jìn)一步節(jié)新模塊中使用的是ROHM產(chǎn)的SiC SBD和SiC MOSFET。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置，使導(dǎo)通電阻低于同等普通產(chǎn)品10%，這將非常有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能。

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。

模塊中采用了ROHM產(chǎn)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），通過優(yōu)化模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使導(dǎo)通電阻性能比與同等SiC產(chǎn)品優(yōu)異10％，非常有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能。

ROHM不僅會(huì)繼續(xù)擴(kuò)充讓客戶安心使用的產(chǎn)品陣容，還會(huì)配備可輕松測(cè)試SiC模塊的評(píng)估板等，以進(jìn)一步滿足日益擴(kuò)大的市場(chǎng)需求。

SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容：

漏電流功率元器件中從絕緣的位置泄漏出來的微小電流。抑制漏電流可防止元器件損壞和功耗增加。

高溫高濕反偏試驗(yàn)（HV-H3TRB：High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias）對(duì)于在高溫高濕環(huán)境下使用功率元器件時(shí)的耐久性進(jìn)行評(píng)估的試驗(yàn)。通過電場(chǎng)和水分引起的絕緣處漏電流的增加，來檢測(cè)絕緣擊穿等故障現(xiàn)象。

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