單個(gè)2.5/3.3 V電源的片上穩(wěn)壓器高達(dá)383個(gè)I/O
發(fā)布時(shí)間:2020/12/8 19:27:20 訪問(wèn)次數(shù):1011
不安全的固件還會(huì)因?yàn)樵O(shè)備劫持(DDoS攻擊)、設(shè)備篡改或破壞等隱患,讓OEM廠商遭受財(cái)務(wù)損失和品牌聲譽(yù)方面的問(wèn)題。若不及時(shí)處理這些風(fēng)險(xiǎn),可能會(huì)對(duì)企業(yè)的聲譽(yù)以及財(cái)務(wù)狀況產(chǎn)生不良影響。
新開發(fā)的模塊采用新涂覆材料和新工藝方法,成功地預(yù)防了絕緣擊穿,并抑制了漏電流※1)的增加。在高溫高濕反偏試驗(yàn)(HV-H3TRB)※2)中,實(shí)現(xiàn)了極高的可靠性,超過(guò)1,000小時(shí)也未發(fā)生絕緣擊穿現(xiàn)象。在高溫高濕度環(huán)境下也可以安心地處理1700V的高耐壓了。
全新MachXO3D的主要特性包括:
控制FPGA提供4K和9K查找表、用于實(shí)現(xiàn)上電時(shí)從器件閃存即時(shí)配置的邏輯
用于單個(gè)2.5/3.3 V電源的片上穩(wěn)壓器
支持最大2700 Kbit的用戶閃存和最大430 Kbit的sysMEM™嵌入式塊RAM,讓設(shè)計(jì)選擇更加靈活
高達(dá)383個(gè)I/O,可配置為支持LVCMOS 3.3至1.0,可集成到具有熱插拔、默認(rèn)下拉、輸入遲滯和可編程壓擺率等功能的各類系統(tǒng)環(huán)境中
嵌入式安全模塊,為ECC、AES、SHA和PKC和唯一安全I(xiàn)D等加密功能提供預(yù)驗(yàn)證硬件支持
嵌入式安全配置引擎,可確保只安裝可靠來(lái)源的FPGA配置
雙片上配置存儲(chǔ)器,可在發(fā)生故障時(shí)對(duì)組件固件進(jìn)行重新編程
由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異,以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展,系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì),1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而,受可靠性等因素影響,遲遲難以推出相應(yīng)產(chǎn)品,所以1700V耐壓的產(chǎn)品一般使用IGBT。
ROHM推出了實(shí)現(xiàn)額定1700V的全SiC功率模塊,新產(chǎn)品不僅繼承了1200V耐壓產(chǎn)品中深獲好評(píng)的節(jié)能性能,還進(jìn)一步提高了可靠性。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
不安全的固件還會(huì)因?yàn)樵O(shè)備劫持(DDoS攻擊)、設(shè)備篡改或破壞等隱患,讓OEM廠商遭受財(cái)務(wù)損失和品牌聲譽(yù)方面的問(wèn)題。若不及時(shí)處理這些風(fēng)險(xiǎn),可能會(huì)對(duì)企業(yè)的聲譽(yù)以及財(cái)務(wù)狀況產(chǎn)生不良影響。
新開發(fā)的模塊采用新涂覆材料和新工藝方法,成功地預(yù)防了絕緣擊穿,并抑制了漏電流※1)的增加。在高溫高濕反偏試驗(yàn)(HV-H3TRB)※2)中,實(shí)現(xiàn)了極高的可靠性,超過(guò)1,000小時(shí)也未發(fā)生絕緣擊穿現(xiàn)象。在高溫高濕度環(huán)境下也可以安心地處理1700V的高耐壓了。
全新MachXO3D的主要特性包括:
控制FPGA提供4K和9K查找表、用于實(shí)現(xiàn)上電時(shí)從器件閃存即時(shí)配置的邏輯
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支持最大2700 Kbit的用戶閃存和最大430 Kbit的sysMEM™嵌入式塊RAM,讓設(shè)計(jì)選擇更加靈活
高達(dá)383個(gè)I/O,可配置為支持LVCMOS 3.3至1.0,可集成到具有熱插拔、默認(rèn)下拉、輸入遲滯和可編程壓擺率等功能的各類系統(tǒng)環(huán)境中
嵌入式安全模塊,為ECC、AES、SHA和PKC和唯一安全I(xiàn)D等加密功能提供預(yù)驗(yàn)證硬件支持
嵌入式安全配置引擎,可確保只安裝可靠來(lái)源的FPGA配置
雙片上配置存儲(chǔ)器,可在發(fā)生故障時(shí)對(duì)組件固件進(jìn)行重新編程
由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異,以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展,系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì),1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而,受可靠性等因素影響,遲遲難以推出相應(yīng)產(chǎn)品,所以1700V耐壓的產(chǎn)品一般使用IGBT。
ROHM推出了實(shí)現(xiàn)額定1700V的全SiC功率模塊,新產(chǎn)品不僅繼承了1200V耐壓產(chǎn)品中深獲好評(píng)的節(jié)能性能,還進(jìn)一步提高了可靠性。
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