80ns高開關(guān)頻率高降壓比電源管理解決方案
發(fā)布時(shí)間:2020/12/11 13:04:16 訪問次數(shù):595
DA9062-A系統(tǒng)主PMIC、DA9130-A sub-PMIC和DA9131-A sub-PMIC提供顯著的可擴(kuò)展性和靈活性優(yōu)勢,同時(shí)在高溫環(huán)境中分布散熱。內(nèi)置的可配置引擎有助于系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師輕松解決電源時(shí)序、散熱和系統(tǒng)控制挑戰(zhàn)。直觀的GUI(Smart Canvas)簡化了定制流程,以實(shí)現(xiàn)“完美匹配”的電源管理解決方案。這樣高度優(yōu)化、具成本效益的電源管理解決方案,有助于實(shí)現(xiàn)最具競爭力和差異化特性的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
這些系統(tǒng)主PMIC和sub-PMIC器件都完全通過AEC-Q100 Grade 2認(rèn)證。
Dialog的PMIC解決方案現(xiàn)已采用到Telechips芯片組中。
NU501線性恒流驅(qū)動(dòng)IC用途,專用于LED燈條,LED模組, 汽車車燈模組燈條,LED廣告燈條,高端LED高鐵/地鐵照明,高端LED火車照明.
晶片特性
15 ~ 300mA 單通道定電流驅(qū)動(dòng)器
VDD電源電壓範(fàn)圍 1.6V ~ 15V,寬廣電源設(shè)計(jì),支
援自我供電結(jié)構(gòu)
支援 VDD腳位 PWM調(diào)光
固定電流設(shè)計(jì),不需要外加電阻設(shè)定電流
低輸出端電壓降 0.4V ~ 0.8 V (依輸出電流而定)
快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間
接腳皆有 8kV ESD 抗靜電能力
晶片間輸出電流差異±5%
電源及負(fù)載調(diào)變率±0.5%/V
125℃~160℃晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降,無過溫閃爍現(xiàn)象
工作環(huán)境溫度 -40℃~85℃
無鉛環(huán)保封裝

其電流模式架構(gòu)提供方便的環(huán)路補(bǔ)償、快速瞬態(tài)響應(yīng)和出色的電壓穩(wěn)定性。電流檢測通過檢測輸出電感器 (DCR) 兩端的壓降來完成以實(shí)現(xiàn)最高效率,或者通過使用一個(gè)可選的檢測電阻器完成。很短的 80ns 最小接通時(shí)間在高開關(guān)頻率時(shí)允許高降壓比。
在過載情況下,電流折返限制了 MOSFET 產(chǎn)生的熱量。其他特點(diǎn)包括一個(gè)集成的自舉二極管、一個(gè)電源良好輸出信號、可調(diào)輸入過壓閉鎖和軟啟動(dòng)。
LTC7801 采用 4mm x 5mm QFN-24 和 TSSOP-24 耐熱性能增強(qiáng)型封裝。提供兩種工作結(jié)溫級版本:–40°C 至 125°C的擴(kuò)展溫度級和工業(yè)溫度級、以及–40°C 至 150°C的高溫汽車級。
DA9062-A系統(tǒng)主PMIC、DA9130-A sub-PMIC和DA9131-A sub-PMIC提供顯著的可擴(kuò)展性和靈活性優(yōu)勢,同時(shí)在高溫環(huán)境中分布散熱。內(nèi)置的可配置引擎有助于系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師輕松解決電源時(shí)序、散熱和系統(tǒng)控制挑戰(zhàn)。直觀的GUI(Smart Canvas)簡化了定制流程,以實(shí)現(xiàn)“完美匹配”的電源管理解決方案。這樣高度優(yōu)化、具成本效益的電源管理解決方案,有助于實(shí)現(xiàn)最具競爭力和差異化特性的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
這些系統(tǒng)主PMIC和sub-PMIC器件都完全通過AEC-Q100 Grade 2認(rèn)證。
Dialog的PMIC解決方案現(xiàn)已采用到Telechips芯片組中。
NU501線性恒流驅(qū)動(dòng)IC用途,專用于LED燈條,LED模組, 汽車車燈模組燈條,LED廣告燈條,高端LED高鐵/地鐵照明,高端LED火車照明.
晶片特性
15 ~ 300mA 單通道定電流驅(qū)動(dòng)器
VDD電源電壓範(fàn)圍 1.6V ~ 15V,寬廣電源設(shè)計(jì),支
援自我供電結(jié)構(gòu)
支援 VDD腳位 PWM調(diào)光
固定電流設(shè)計(jì),不需要外加電阻設(shè)定電流
低輸出端電壓降 0.4V ~ 0.8 V (依輸出電流而定)
快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間
接腳皆有 8kV ESD 抗靜電能力
晶片間輸出電流差異±5%
電源及負(fù)載調(diào)變率±0.5%/V
125℃~160℃晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降,無過溫閃爍現(xiàn)象
工作環(huán)境溫度 -40℃~85℃
無鉛環(huán)保封裝

其電流模式架構(gòu)提供方便的環(huán)路補(bǔ)償、快速瞬態(tài)響應(yīng)和出色的電壓穩(wěn)定性。電流檢測通過檢測輸出電感器 (DCR) 兩端的壓降來完成以實(shí)現(xiàn)最高效率,或者通過使用一個(gè)可選的檢測電阻器完成。很短的 80ns 最小接通時(shí)間在高開關(guān)頻率時(shí)允許高降壓比。
在過載情況下,電流折返限制了 MOSFET 產(chǎn)生的熱量。其他特點(diǎn)包括一個(gè)集成的自舉二極管、一個(gè)電源良好輸出信號、可調(diào)輸入過壓閉鎖和軟啟動(dòng)。
LTC7801 采用 4mm x 5mm QFN-24 和 TSSOP-24 耐熱性能增強(qiáng)型封裝。提供兩種工作結(jié)溫級版本:–40°C 至 125°C的擴(kuò)展溫度級和工業(yè)溫度級、以及–40°C 至 150°C的高溫汽車級。
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