在靠近FET的位置布置陶瓷儲(chǔ)能電容器，使得高 △l/△t的輸入和輸出環(huán)路結(jié)構(gòu)非常緊湊。

對(duì)稱布局和覆銅處理意味著 FET 之間以及 FET 與旁路二極管之間的連接的阻抗和電感極低。

具反向幾何形狀的電流分路器，可進(jìn)一步降低寄生電感；HF 電流環(huán)路也可減至最小。

由于沒(méi)有其它大型器件阻礙熱連接，因此 PCB 底面上的半導(dǎo)體可以得到更好的冷卻。

超快恢復(fù)肖特基二極管緊鄰相應(yīng)的 FET 布置。

大面積覆銅可以作為良好的散熱片并提供低 RDC，但不得超過(guò)必要的面積，特別是在兩個(gè)“熱”△U/△t 開關(guān)節(jié)點(diǎn)上，以免形成不必要的天線。

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在國(guó)際巨頭寡占的射頻前段市場(chǎng)，模組化產(chǎn)品才是國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的主賽道，而在國(guó)內(nèi)射頻前端市場(chǎng)，分立器件仍是當(dāng)前本土競(jìng)爭(zhēng)的主賽道，本土公司缺乏先進(jìn)濾波器技術(shù)及產(chǎn)品，模組化能力普遍不強(qiáng)。

在射頻前端模塊領(lǐng)域，中低端的同質(zhì)化和高端的工藝、技術(shù)瓶頸并存，這也是當(dāng)下國(guó)內(nèi)手機(jī)射頻前端廠商的困境，特別是濾波器的技術(shù)短板，成為高度集成的大阻礙。

雖然阻礙重重，但在技術(shù)發(fā)展和市場(chǎng)需求的雙重作用下，5G時(shí)代的射頻前端模塊化的重要性不言而喻，PAMiD正成為5G手機(jī)射頻前端模塊設(shè)計(jì)的下一個(gè)風(fēng)向標(biāo)。

全新PON/FTTH服務(wù)需求帶來(lái)的壓力往往會(huì)導(dǎo)致僅開展最低程度的測(cè)試，甚至不進(jìn)行測(cè)試，這會(huì)使得技術(shù)人員在20％到50％的時(shí)間內(nèi)都無(wú)法在首次到訪作業(yè)時(shí)完成安裝和激活，從而導(dǎo)致客戶體驗(yàn)欠佳，并造成收入損失。

隨著服務(wù)激活失敗率和維護(hù)成本的持續(xù)上升，VIAVI Optimeter將成為企業(yè)內(nèi)部和家庭技術(shù)人員的重要工具，確保技術(shù)人員首次作業(yè)時(shí)就能正確完成最后一公里光纖的安裝，以提高部署成功率，而無(wú)需多次往返。

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